據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。

三星稱，公司使用第二代10納米級(jí)工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片，實(shí)現(xiàn)了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10納米級(jí)工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片。

另?yè)?jù)路透社報(bào)道，三星開(kāi)發(fā)的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，擴(kuò)大了領(lǐng)先對(duì)手的優(yōu)勢(shì)。在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的推動(dòng)下，三星今年的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)有望創(chuàng)下紀(jì)錄。

三星稱，和第一代10納米級(jí)工藝相比，第二代工藝的產(chǎn)能提高30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的DRAM芯片需求。而且，第二代10納米級(jí)芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

作為全球最大芯片制造商，三星表示，和2012年使用20納米工藝生產(chǎn)的4Gb DDR3芯片相比，新的8Gb DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。

三星稱，公司希望通過(guò)擴(kuò)大10納米級(jí)DRAM芯片的生產(chǎn)，進(jìn)一步提升整體競(jìng)爭(zhēng)力。三星還表示，公司將使用新工藝為客戶生產(chǎn)更多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，利用最新技術(shù)進(jìn)步，深挖服務(wù)器、移動(dòng)和圖形芯片市場(chǎng)。三星將在2018年把現(xiàn)有多數(shù)DRAM芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到10納米級(jí)芯片上。

三星在10月底為半導(dǎo)體部門(mén)等三大主要業(yè)務(wù)任命了新一代負(fù)責(zé)人。三星稱，公司并不尋求立即擴(kuò)大芯片出貨量，但會(huì)投資維持長(zhǎng)期市場(chǎng)地位。