DRAM在2017的成長主要來自于服務(wù)器內(nèi)容的成長，這個(gè)成長趨勢(shì)并沒有減緩。

2016年底看到幾份存儲(chǔ)器市場年度回顧與展望報(bào)告時(shí)，看到「惟3Q后存儲(chǔ)器市場可能開始進(jìn)入存儲(chǔ)器市場長周期景氣循環(huán)的供過于求區(qū)段…」這等字眼時(shí)不覺莞爾，頗有今夕是何夕的感覺。

存儲(chǔ)器市場景氣循環(huán)是在近乎完全競爭市場、摩爾定律以及以計(jì)算機(jī)為中心需求三大支柱所塑造的市場粗略模型，現(xiàn)在很多條件已不復(fù)存在，再沿用這樣的模型實(shí)在危險(xiǎn)。

2018的幾份預(yù)測報(bào)告出乎意料外的一致：DRAM續(xù)強(qiáng)，而NAND則在有些應(yīng)用上價(jià)格稍為疲弱，我的預(yù)期相似，但稍為樂觀些。

DRAM在2017的成長主要來自于服務(wù)器內(nèi)容的成長，這個(gè)成長趨勢(shì)并沒有減緩。而且5G在2019會(huì)于中、韓等提前實(shí)施，2018就會(huì)有網(wǎng)絡(luò)布建先期需求，這也是2018冬奧韓國要展示的亮點(diǎn)之一。高帶寬就要更多的緩沖，而服務(wù)器不是消費(fèi)產(chǎn)品，對(duì)價(jià)格比較不敏感。另外在實(shí)驗(yàn)場起跑的AI對(duì)DRAM的需求也很大，從第二代TPU的systolic設(shè)計(jì)就知道資料從AI處理器經(jīng)DRAM到NAND之間反復(fù)傳遞造成多大的負(fù)擔(dān)，需要專用的設(shè)計(jì)來減輕負(fù)擔(dān)。這些都是持續(xù)的硬需求。

供給面方面去年半導(dǎo)體設(shè)備銷售大成長，韓國市場躍居世界第一，以NAND為主，DRAM設(shè)備的投資還遠(yuǎn)不如2015年的峰值。為什么市場看俏而公司如此吝于投資？站在公司經(jīng)營的立場容易了解。機(jī)器設(shè)備的投資已經(jīng)快享受不到摩爾定律的紅利，而費(fèi)用攤提得在5年內(nèi)完成，這是一組完全不一樣的財(cái)務(wù)規(guī)則。至于國內(nèi)想投入生產(chǎn)，由于市場已成寡占，幾乎沒有并購、聯(lián)合開發(fā)、授權(quán)移轉(zhuǎn)的可能，每一步都有侵權(quán)的疑慮，所以要進(jìn)入量產(chǎn)恐怕還有一些時(shí)日。

NAND的價(jià)格在4Q有些跌落，主要原因在于現(xiàn)在正處于SSD與HDD的交叉期，NAND的價(jià)格上漲，HDD自然趁勢(shì)回籠，牽制SSD在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的市占率。這個(gè)因素短期間內(nèi)還在，但是當(dāng)制程持續(xù)演進(jìn)，HDD每位元單位成本被遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋開后，這個(gè)因素就消失了。另一個(gè)令人比較難樂觀的原因是去年存儲(chǔ)器公司資本支出大幅成長的是3D NAND制程設(shè)備，并且還有QLC(四位元)和9X L的位元成長空間，類摩爾定律的效益還在，這也是為什么存儲(chǔ)器公司設(shè)備投資如此慷慨的原因，而且3D的技術(shù)可能還有后續(xù)效益，譬若用之于MRAM。

不過那些令DRAM需求暢旺的理由－內(nèi)容、帶寬、物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器學(xué)習(xí)對(duì)NAND無一不適用，而且乘數(shù)更大，這是我之所以比一般報(bào)告樂觀一點(diǎn)的原因！