文章來源：Tom聊芯片智造

原文作者：Tom

CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)，指的是將多個(gè)裸片(die)集成在一個(gè)TSV轉(zhuǎn)換板(interposer)上，然后將這個(gè)interposer連接到一個(gè)基板上。CoWoS是一種先進(jìn)的3D-IC封裝技術(shù)，用于高性能和高密度集成的系統(tǒng)級(jí)封裝。

CoWoS一般流程如上圖：

1. Passivation：首先，對(duì)硅基板進(jìn)行鈍化處理，在表明生成氧化硅薄膜，以保護(hù)其表面免受環(huán)境影響。

2. TSV轉(zhuǎn)換板形成：在鈍化的硅基板上先刻蝕硅通孔，后電鍍銅，完全填充硅孔，用于實(shí)現(xiàn)垂直方向的電氣連接。

3. UBM工藝：在TSV轉(zhuǎn)換板上沉積一層金屬，作為后續(xù)植球的基底。

4. 臨時(shí)鍵合：使用臨時(shí)鍵合膠劑將TSV轉(zhuǎn)換板（interposer）鍵合到載體carrier上。

5. Backgrinding：對(duì)硅基板的背面進(jìn)行機(jī)械研磨，去除大部分材料，減薄晶圓。這一步驟使整個(gè)晶圓更薄，更適合疊加。

6. Si Etching, Passivation, and Cu Revealing：刻蝕去除多余的硅，鍍氧化硅薄膜，并露出TSV的銅部分。

7. C4 Wafer Bumping：在芯片上形成凸點(diǎn)焊球，便于芯片間的電氣連接。

8. 第二次臨時(shí)鍵合：使用臨時(shí)鍵合膠將TSV轉(zhuǎn)換板鍵合到第二個(gè)載體（carrier #2）上，進(jìn)行進(jìn)一步的處理。

9. 去鍵合載體#1：解鍵合將晶圓從第一個(gè)載體上分離。

10. Chip-on-Wafer, Underfill：將芯片通過倒裝焊接到TSV轉(zhuǎn)換板上，并進(jìn)行底填充。圖中只列出了一種芯片，一般在CoWoS有多種芯片，這里只是示意圖。

11. 去鍵合載體#2和切割：通過解鍵合技術(shù)將TSV轉(zhuǎn)換板從第二個(gè)載體上分離，并將其切割成一粒一粒的狀態(tài)。

12. 封裝：將11中的成品組裝到封裝基板上，并進(jìn)行最終的測(cè)試和底填充。