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中國半導體:專利增長42%達全球第一

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2024-10-25 11:35 ? 次閱讀
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10月23日消息,據(jù)外媒The register援引知識產(chǎn)權公司 Mathys & Squire 的數(shù)據(jù)稱,近年來全球半導體專利申請量持續(xù)激增,2023年-2024年度全球半導體專利申請量同比增長22%,達到80892項,同比增長22%。其中,中國的半導體申請量從 32,840 件激增至 46,591 件,增幅高達 42%,超過其他所有國家和地區(qū)。

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有媒體報道稱,這一顯著增長的背后,主要由于是美國對中國半導體出口管制,促使中國加大了對本土半導體研究與開發(fā)的投資。

中國官方也已經(jīng)明確表示——科技行業(yè)必須自主創(chuàng)新,以避免陷入半導體依賴陷阱。半導體已被推到技術優(yōu)先事項清單的首位,其成果正在專利申請數(shù)量中體現(xiàn)出來。

但這一增長并不僅僅受到地緣政治因素的影響,還有AI技術的快速發(fā)展,推動了全球芯片制造商,包括中國的公司,爭相申請下一代AI硬件技術的專利。

與此同時,在《通脹削減法案》的推動下,2023-2024年美國半導體行業(yè)專利申請量也同比增長了9%,達到了21269項。

報告還指出,隨著美國《芯片與科學法案》向芯片制造業(yè)投入資金(臺積電的亞利桑那州工廠就是例子),美國渴望在加大研發(fā)力度的同時,保持其半導體技術的領先和供應鏈的穩(wěn)固。

半導體制造設備方面,雖然目前在關鍵的光刻機領域,ASML一家獨大,并且其還是全球唯一的EUV(極紫外)光刻機供應商,但是新的國產(chǎn)DUV光刻機(“套刻≤8nm)的曝光,以及國內涌現(xiàn)出的諸多新不同技術路線的EUV光刻相關專利,也反應了國內EUV技術研究的進步。
比如,國家知識產(chǎn)權局2023年6月公布的由中國科學院上海高等研究院申請的《極紫外光源裝置》的發(fā)明專利,該發(fā)明提供了一種極紫外光源裝置,以產(chǎn)生平均功率千瓦量級、全相干、穩(wěn)定的EUV光。(與ASML的LPP光源是完全不同)。

【近期會議】

10月30-31日,由寬禁帶半導體國家工程研究中心主辦的“化合物半導體先進技術及應用大會”將首次與大家在江蘇·常州相見,邀您齊聚常州新城希爾頓酒店,解耦產(chǎn)業(yè)鏈市場布局!https://w.lwc.cn/s/uueAru

11月28-29日,“第二屆半導體先進封測產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新大會”將再次與各位相見于廈門,秉承“延續(xù)去年,創(chuàng)新今年”的思想,仍將由云天半導體與廈門大學聯(lián)合主辦,雅時國際商訊承辦,邀您齊聚廈門·海滄融信華邑酒店共探行業(yè)發(fā)展!誠邀您報名參會:https://w.lwc.cn/s/n6FFne


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審核編輯 黃宇

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