chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

焦點(diǎn)訊 ? 來(lái)源:焦點(diǎn)訊 ? 作者:焦點(diǎn)訊 ? 2024-11-01 11:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

氮化鎵功率器件因其高速開(kāi)關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場(chǎng)的熱門(mén)選擇。然而,由于工作電壓和長(zhǎng)期可靠性的制約,這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮,主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格。近期,隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出,我們看到了它們?cè)诟鼜V泛市場(chǎng)應(yīng)用中的潛力。

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件,并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了詳盡的測(cè)試,這些測(cè)試結(jié)果為我們提供了對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件性能的全面了解。目前,遠(yuǎn)山現(xiàn)有產(chǎn)品包括700V、1200V、1700V、3300V等多種規(guī)格的藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件,多項(xiàng)性能指標(biāo)處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,主要應(yīng)用于高功率PD快充、車載充電器、雙向DC-DC、微型逆變器、便攜儲(chǔ)能、V2G等領(lǐng)域。

測(cè)試概覽

泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室在今年9月收到了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體寄送的新一代常開(kāi)型(Normally-ON)高壓氮化鎵器件。為了解決氮化鎵功率器件固有的電流崩塌問(wèn)題,他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)(PSJ:Polarization Super Junction)技術(shù),將器件的額定工作電壓和工作電流提升到(1200V/20A)。

對(duì)于器件的直流參數(shù),選擇在靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)SPT1000A上進(jìn)行測(cè)試。系統(tǒng)內(nèi)置吉時(shí)利2657A高壓源表和2636B高精度源表,最高可以支持3000V,1000A下的I-V和C-V特性測(cè)試。

在柵極電壓-8V,Id=1uA的條件下,這款氮化鎵功率器件的擊穿電壓BVDSS達(dá)到1505V。器件的閾值電壓約為-3.9V。在器件導(dǎo)通條件下,Vgs=3V,Id=20A時(shí),我們測(cè)得的靜態(tài)導(dǎo)通電阻僅為 62.3mΩ。下圖為關(guān)斷條件下,漏電流Idss與反偏電壓(0~1500V)的掃描關(guān)系曲線。

wKgZomckR2SALmVGAACAXalk4LA084.png

關(guān)斷狀態(tài)下反偏電壓與漏電流關(guān)系曲線

在過(guò)往對(duì)氮化鎵功率器件的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試中,采用DFN8x8封裝的功率器件多為650V電壓等級(jí),雙脈沖開(kāi)關(guān)測(cè)試大多在400V條件下進(jìn)行。在高壓測(cè)試中,氮化鎵器件比較容易出現(xiàn)電流崩塌現(xiàn)象,表現(xiàn)為硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中,導(dǎo)通電阻突然增大,如下圖所示:

wKgaomckR2SAXcOlAAE6C9iIahM268.png

傳統(tǒng)氮化鎵功率器件在高壓條件下開(kāi)關(guān)測(cè)試容易出現(xiàn)的電流崩塌現(xiàn)象

下圖是遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的DFN8*8封裝GaN HEMT器件在高壓600V以及20A條件下進(jìn)行開(kāi)關(guān)測(cè)試的波形,柵極電壓為-6V~+3V,使用同型號(hào)氮化鎵器件作為陪測(cè)。(測(cè)試條件:同型號(hào)D-Mode 常開(kāi)型氮化鎵器件,Ron = Roff = 1Ω,負(fù)載電感 75uH,Vds: 600V,Vgs: -6V~+3V, Id: 20A)

wKgZomckR2WAOq0MAAEPU1nMHFg121.png

在測(cè)試過(guò)程中,使用了DPT1000A功率器件測(cè)試系統(tǒng)中的氮化鎵測(cè)試電路,其中柵極探頭使用1GHz帶寬的TPP1000A,Vds測(cè)試使用800MHz帶寬的高壓?jiǎn)味颂筋^TPP0850,電流探頭使用T&M公司提供的2GHz電流傳感器。柵極驅(qū)動(dòng)芯片使用了TI公司的LM5114,可以最高提供7A的瞬態(tài)電流。在測(cè)試結(jié)果中可以看到,藍(lán)色的Vds波形在器件導(dǎo)通過(guò)程中電壓非常接近0V,表示功率器件在高壓下的硬開(kāi)關(guān)操作,并沒(méi)有導(dǎo)致導(dǎo)通電壓的上升。

wKgaomckR2WAR8gOAAoJwlusXzU957.png

在實(shí)際測(cè)試結(jié)果中,器件的開(kāi)啟延遲Tdon為15.06ns,上升時(shí)間Tr為11.1ns,關(guān)斷延遲為13.02ns,下降時(shí)間Tf為13ns。在高壓大電流的硬開(kāi)關(guān)條件下實(shí)現(xiàn)了極高的開(kāi)關(guān)速度。

為了進(jìn)一步檢驗(yàn)在高壓條件下的電流崩塌現(xiàn)象,我們通過(guò)使用鉗位探頭進(jìn)行動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試,觀察器件在不同電壓條件下的導(dǎo)通電阻值變化。我們分別在300V,400V,500V,600V四個(gè)不同電壓下測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻,即使用鉗位后的Vds與電流Id波形相除,得到器件在開(kāi)啟后的導(dǎo)通電阻波形。對(duì)比四組動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻波形,并在相同區(qū)域內(nèi)取值做平均值計(jì)算,得到如下的結(jié)果:

wKgZomckR2eAKoJ3AAHYo2LKtbo085.png

上圖紅色區(qū)域?yàn)樵?00V,400V,500V,600V條件下雙脈沖測(cè)試得到的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻曲線

wKgaomckR2eAXCQrAAAJ3sRMG2I357.png

可以看到的是,隨著測(cè)試電壓的升高,器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻僅有非常小的抬升,600V與300V下的測(cè)試結(jié)果相比,僅上升6.4%,非常好的克服了氮化鎵器件在高壓條件下的電流崩塌現(xiàn)象。

結(jié)論

基于測(cè)試結(jié)果,可以看到遠(yuǎn)山半導(dǎo)體這次提供的氮化鎵功率器件在高電壓大電流條件下的良好表現(xiàn),打破了傳統(tǒng)氮化鎵器件額定電壓650V的限制,在雙脈沖測(cè)試中表現(xiàn)出了良好的穩(wěn)定性,在不同電壓下的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試也得到了非常一致的結(jié)果。

隨著高壓氮化鎵器件的普及,通過(guò)設(shè)計(jì)和工藝的改進(jìn)以及成本的進(jìn)一步下降,相信氮化鎵器件會(huì)在電力電子應(yīng)用市場(chǎng)取得更大的市場(chǎng)空間,為智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)等熱門(mén)領(lǐng)域提供了新的可能性。

關(guān)于遠(yuǎn)山半導(dǎo)體

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體是一家專注于氮化鎵材料及功率器件研發(fā)與生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè),擁有一支來(lái)自于中國(guó)、日本、美國(guó)的國(guó)際化核心技術(shù)團(tuán)隊(duì),具備“外延材料+芯片制造”的完整核心技術(shù)閉環(huán)與量產(chǎn)能力,主打面向新能源行業(yè)應(yīng)用的中高功率工業(yè)級(jí)氮化鎵功率器件。

關(guān)于泰克科技

泰克公司總部位于美國(guó)俄勒岡州畢佛頓市,致力提供創(chuàng)新、精確、操作簡(jiǎn)便的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)解決方案,解決各種問(wèn)題,釋放洞察力,推動(dòng)創(chuàng)新能力。70多年來(lái),泰克一直走在數(shù)字時(shí)代前沿。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    337

    文章

    30321

    瀏覽量

    261699
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2098

    瀏覽量

    94852
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1881

    瀏覽量

    119407
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美推出垂直氮化功率半導(dǎo)體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2033次閱讀

    兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌,加速高效電源管理方案落地

    兆易創(chuàng)新GigaDevice與納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)共同設(shè)立的“數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在合肥正式揭牌。該實(shí)驗(yàn)室將GD32 MCU領(lǐng)域的深厚積累,與納微半導(dǎo)體在高頻、高速
    的頭像 發(fā)表于 10-13 13:52 ?447次閱讀

    BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)---精準(zhǔn)洞察,卓越測(cè)量

    可靠性保駕護(hù)航! 、嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)微,鑄就精準(zhǔn)測(cè)試之魂 BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)采用先進(jìn)的高精度傳感器和精密的測(cè)量算法,如同擁有
    發(fā)表于 10-10 10:35

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體
    發(fā)表于 07-11 14:49

    博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹

    隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1月,在上海正式設(shè)立碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-27 11:09 ?1107次閱讀

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開(kāi)關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2500次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開(kāi)關(guān)深度解析

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來(lái),珠海市未來(lái)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“
    發(fā)表于 05-19 10:16

    納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過(guò)車規(guī)認(rèn)證

    日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過(guò) AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?4489次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片正式通過(guò)車規(guī)認(rèn)證

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?4.9w次閱讀
    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

    全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(G
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:49 ?3071次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>發(fā)布</b>雙向GaNFast<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片

    京東方華燦光電氮化器件的最新進(jìn)展

    日前,京東方華燦的氮化研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng),分享了關(guān)于氮化器件的最新進(jìn)展,引起了行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:44 ?1579次閱讀

    石墨烯成為新一代半導(dǎo)體的理想材料

    )等二維材料因結(jié)構(gòu)薄、電學(xué)性能優(yōu)異成為新一代半導(dǎo)體的理想材料,但目前還缺乏高質(zhì)量合成和工業(yè)應(yīng)用的量產(chǎn)技術(shù)。 化學(xué)氣相沉積法(CVD)存在諸如電性能下降以及需要將生長(zhǎng)的TMD轉(zhuǎn)移到不同襯底等問(wèn)題,增加了工藝的復(fù)雜性。此外,在
    的頭像 發(fā)表于 03-08 10:53 ?1226次閱讀

    納微半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

    近日,唯全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-25 10:16 ?1840次閱讀

    納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

    GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:41 ?901次閱讀

    納微半導(dǎo)體氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?1302次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈