與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護LDD 結(jié)構(gòu)，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴展區(qū)。側(cè)墻是由兩個主要工藝步驟形成，首先淀積 ONO 結(jié)構(gòu)，再利用各向異性干法刻蝕去除表面的 ONO，最終多晶硅柵側(cè)面保留一部分二氧化硅。側(cè)墻工藝不需要掩膜版，它僅僅是利用各向異性干法刻蝕的回刻形成的。

1）淀積 ONO 介質(zhì)層。ONO是二氧化硅，Si3N4和二氧化硅。首先利用LPCVD淀積一層厚度約200~300A的二氧化硅層，它作為Si3N4刻蝕的停止層，另外它也可以作為緩沖層減少 Si3N4對硅的應力。再利用LPCVD 淀積一層厚度約300~400A的Si3N4層，它可以防止柵與源漏的相互漏電。最后一層二氧化硅是利用 TEOS 發(fā)生分解反應生成二氧化硅層，厚度約1200A。圖4-200所示為淀積 ONO的剖面圖。

2）側(cè)墻刻蝕。利用干法蝕刻去除二氧化硅和Si3N4，刻蝕停在底部的二氧化硅上。因為在柵兩邊的氧化物在垂直方向較厚，在蝕刻同樣厚度的情況下，拐角處留下一些不能被蝕刻的氧化物，因此形成側(cè)墻。側(cè)墻結(jié)構(gòu)可以保護 LDD 結(jié)構(gòu)，也可以防止柵和源漏之間發(fā)生漏電。圖4-201所示為側(cè)墻刻蝕的剖面圖。