主側(cè)墻和N+/P+源漏的形成
主側(cè)墻（Main Spacer）和N+/P+ 源漏（S/D）的形成
形成主側(cè)墻和n+/p+源漏的工藝示意圖如圖所示。
首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅(qū)的CVD氧化物，簡稱TEOS-ox）和氮化硅的復(fù)合層，并對TEOS-ox和氮化硅進(jìn)行等離子體蝕刻，形成復(fù)合主側(cè)墻。
然后對n-MOS和P-MOS區(qū)域分別進(jìn)行自對準(zhǔn)的n+和p+注入形成源漏。RTA和尖峰退火被用于去除缺陷，并激活在源漏注入的雜質(zhì)。?
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2781瀏覽量
76140 -
CVD
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
79瀏覽量
11214
原文標(biāo)題：前段集成工藝（FEOL）-5
文章出處：【微信號：Semi Connect，微信公眾號：Semi Connect】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形
什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？
1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為
發(fā)表于 06-19 11:36
IGBT單管是什么
領(lǐng)域。 圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為
發(fā)表于 07-09 10:01
IGBT單管是什么
領(lǐng)域。 圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為
發(fā)表于 07-09 11:53
雙極集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu)
雙極型集成電路中元器件的形成過程及其結(jié)構(gòu)。典型的PN結(jié)隔離的摻金TTL電路工藝流程圖 1.襯底選擇2. 第一次光刻—N+埋層擴(kuò)散孔3. 外延層淀積第二次光刻—P+隔離擴(kuò)散孔第三次光刻—P
發(fā)表于 11-26 16:16
如何改良SiC器件結(jié)構(gòu)
通過第三介質(zhì)層中未被墻覆蓋的區(qū)域（即N+區(qū)域8上方的區(qū)域）進(jìn)行N型離子注入，以形成源極區(qū)域的N+
發(fā)表于 07-07 11:42
N溝道和P溝道MOSFET的區(qū)別是什么
。漏極和源極是p+區(qū)域，主體或基板是n型。電流沿帶正電孔的方向流動。當(dāng)對柵極端子施加具有排斥力的負(fù)電壓時，存在于氧化層下方的電子被向下推入基板中。耗盡區(qū)由與供體原子相關(guān)的結(jié)合正電荷填充
發(fā)表于 02-02 16:26
漏極和源極如何區(qū)分
在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結(jié)。把兩個
深度剖析IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT的結(jié)構(gòu) 一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為
SiC N溝道IGBT器件研制的最新成果
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū)，相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極（Emitter）。背面 P+ 區(qū)域定義為
IGBT的工作特性與工作原理分析
圖1所示為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏
前段集成工藝（FEOL）
其制造工藝流程如下：首先形成補(bǔ)償側(cè)墻 (Offset Spacer)，經(jīng)n+/p+輕摻雜源
IGBT單管與IGBT模塊的區(qū)別是什么
IGBT單管是一種N溝道增強(qiáng)絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源極區(qū)，連接到其上的電極稱為源極區(qū)。P+區(qū)域稱為
發(fā)表于 02-10 17:16
?6365次閱讀
側(cè)墻工藝是什么意思
與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu)，防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展區(qū)。
源漏離子注入工藝的制造流程
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時
工商網(wǎng)監(jiān)
評論