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MS5175——16-Bit、四輸入、內(nèi)置基準(zhǔn)模數(shù)轉(zhuǎn)換器

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-11-13 09:25 ? 次閱讀
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產(chǎn)品簡述

MS5175 是一款高精度、可連續(xù)轉(zhuǎn)換的 16bit 模數(shù)轉(zhuǎn)換器,具有

4路單端輸入通道和內(nèi)部集成 2.048V 基準(zhǔn),且使用 I 2C 兼容接口

MS5175 電源范圍為 2.7V 到 5.5V,轉(zhuǎn)換速率為 15、30、60

或 240SPS,集成可編程增益放大器。在單次轉(zhuǎn)換模式中,

MS5175在轉(zhuǎn)換結(jié)束后會(huì)自動(dòng)進(jìn)入省電模式,減小功耗。

MS5175 可用在高精度測(cè)量以及對(duì)空間、功耗有一定要求的

應(yīng)用場合中,如:手持儀器、工業(yè)控制和智能變送器。

wKgZoWcysp2AD_A8AABiEtudjGQ239.png

主要特點(diǎn)

?4 路單端輸入通道

?I 2C 接口,8 個(gè)可編程地址

?片上基準(zhǔn):2.048V±0.1%

?溫度漂移:20ppm/°C (典型值)

?內(nèi)部集成 PGA:1 到 8 倍

?16 位無失碼精度

?INL(積分非線性誤差):0.004%

?工作電壓范圍:2.7V 到 5.5V

?低電源功耗:270μA@VDD=3V

應(yīng)用

?手持儀器

?工業(yè)級(jí)控制

?智能變送器

?工業(yè)自動(dòng)化

?溫度測(cè)量

產(chǎn)品規(guī)格分類

wKgZoWcysumAZj-AAAAlKP0TsV0622.png

管腳圖

wKgaoWcysv2AKn4lAABByDLYPsk315.png

管腳說明

wKgaomcysxSAYkexAADnbYaFcNQ909.png

內(nèi)部框圖

wKgaomcyszKASqpiAACgCYvXHuQ052.png

極限參數(shù)

芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對(duì)器件造成永久的損壞,芯片長時(shí)間處于極限工作

狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測(cè)試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

wKgZoWcys02AWgqFAADhYw77YZY427.png

電氣參數(shù)

若無特別說明,測(cè)試條件:-40°C 到 85°C,VDD=5V。

wKgZomcys22AJiwYAAGV650Fle4893.png

如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZomcys4KARDUmAAE9-sx8Me8805.png

注:

1.滿幅度的 99%。

2. FSR=滿幅度量程=2.048V/PGA。

3.包括 PGA 和基準(zhǔn)的所有誤差。

功能描述

MS5175 是一個(gè) 16 位、四通道輸入、Σ-Δ 型模/數(shù)轉(zhuǎn)換器,其設(shè)計(jì)簡單、極易配置的特點(diǎn)使得用戶

很容易獲得精確的測(cè)量值。

模/數(shù)轉(zhuǎn)換器

MS5175 的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器核由一個(gè)開關(guān)電容 Σ-Δ 調(diào)制器和一個(gè)數(shù)字濾波器組成。

輸入選擇器

MS5175 可提供四組單端輸入通道,由 2 位配置寄存器位控制輸入選擇器。

電壓基準(zhǔn)

MS5175 內(nèi)置一個(gè) 2.048V 的片內(nèi)電壓基準(zhǔn),無需外部基準(zhǔn)。

輸出碼計(jì)算

MS5175 輸出碼的位數(shù)取決于更新速率,如表 1 所示。

wKgZoWcys9uAe7WeAAEMfTTldsA847.png

時(shí)鐘振蕩器

MS5175 內(nèi)置時(shí)鐘振蕩器,該振蕩器驅(qū)動(dòng)調(diào)制器和數(shù)字濾波器。無需外部時(shí)鐘。

輸入阻抗

MS5175 輸入級(jí)采用開關(guān)電容。等效電阻值取決于電容值和電容的開關(guān)頻率。電容器的值取決于可

編程增益放大器 (PGA)的設(shè)置,時(shí)鐘由片內(nèi)時(shí)鐘振蕩器產(chǎn)生。典型工作頻率 275kHz。

高輸出阻抗輸入源,需要緩沖。

混疊

當(dāng)輸入信號(hào)頻率超過更新速率的一半,會(huì)產(chǎn)生混疊。為防止混疊的產(chǎn)生,必須限制輸入信號(hào)的帶

寬。MS5175 的數(shù)字濾波器可在一定程度上衰減高頻率的噪聲,但其 sinc 濾波器不能完全替代抗混疊

濾波器。對(duì)于少數(shù)應(yīng)用,還是需要外部濾波。

在設(shè)計(jì)輸入濾波器時(shí), 應(yīng)考慮到濾波器和 MS5175 輸入之間的阻抗匹配。

工作模式

MS5175 有兩種轉(zhuǎn)換模式:連續(xù)轉(zhuǎn)換和單次轉(zhuǎn)換。

在連續(xù)轉(zhuǎn)換模式中,每次轉(zhuǎn)換完成,結(jié)果都將存入結(jié)果寄存器,并立即開始下一次轉(zhuǎn)換。

在單次轉(zhuǎn)換模式中,MS5175 會(huì)等待配置寄存器中的 ST/DRDY 位被置為 1。ST/DRDY 位被置為 1 后

開始轉(zhuǎn)換,轉(zhuǎn)換完成后結(jié)果存入結(jié)果寄存器中,并復(fù)位 ST/DRDY 位為 0,進(jìn)入省電模式。

從連續(xù)轉(zhuǎn)換模式切換到單次轉(zhuǎn)換模式時(shí),MS5175 將完成當(dāng)前轉(zhuǎn)換,并復(fù)位 ST/DRDY 位為 0,進(jìn)入

省電模式。

復(fù)位和上電

在上電時(shí),自動(dòng)執(zhí)行一次復(fù)位,配置寄存器中的所有位設(shè)置為默認(rèn)值。

MS5175 會(huì)對(duì) I 2C 的總呼叫復(fù)位命令做出響應(yīng),當(dāng) MS5175 接收到總呼叫復(fù)位命令時(shí),立即執(zhí)行一

次復(fù)位。

I 2C 接口

MS5175 通過 I2C 接口通信。圖 1 為 I 2C 時(shí)序圖,表 3 列出了相關(guān)參數(shù)。

wKgZoWcytEWAfJAuAABQxHYhHp0052.png

如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgaoWcytFSAJN6aAAD9AoJv44c904.png

串行總線地址

對(duì) MS5175 進(jìn)行讀寫,主機(jī)須通過地址位對(duì)從機(jī)尋址。從機(jī)地址位包括 7 個(gè)地址位,1 個(gè)操作

位。

MS5175 有兩個(gè)地址管腳,ASEL0 和 ASEL1,可以設(shè)置 I 2C 的地址。這個(gè)管腳可以設(shè)置為邏輯低、

邏輯高或懸空。通過兩個(gè)管腳可以設(shè)置 8 個(gè)地址,如表 4 所示。在上電復(fù)位或 I 2C 總呼叫命令之后,

器件將對(duì) ASEL0 和 ASEL1 管腳狀態(tài)進(jìn)行采樣。

wKgZoWcytG6ARhDaAABf2poaLpY599.png

I 2C 總呼叫

如果地址位 8 位都為 0 時(shí),MS5175 響應(yīng)總呼叫。器件應(yīng)答總呼叫并響應(yīng)第二個(gè)字節(jié)的命令。如

果該命令為 04h,MS5175 將只鎖存地址管腳 ASEL0 和 ASEL1 的狀態(tài),并不復(fù)位配置寄存器。如果命令

為 06h,MS5175 將鎖存地址管腳的狀態(tài),并復(fù)位配置寄存器。

I 2C 數(shù)據(jù)速率

I 2C 總線有三種速度:標(biāo)準(zhǔn)方式,允許最高 100kHz 的時(shí)鐘頻率??焖俜绞?,允許最高 400kHz 的時(shí)

鐘頻率。高速方式,允許最高 3.4MHz 的時(shí)鐘頻率。

關(guān)于高速方式的更多信息,參考 I 2C 規(guī)格說明。

結(jié)果寄存器

16 位的結(jié)果寄存器存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換結(jié)果,采用二進(jìn)制補(bǔ)碼格式。在復(fù)位或上電之后,結(jié)果寄存器清 0,

直到第一次轉(zhuǎn)換完成。結(jié)果寄存器的格式如表 5 所示。

wKgaoWcytKmAfgIjAAAw1a6lRy0904.png

配置寄存器

8 位配置寄存器控制 MS5175 的工作模式、更新速率和可編程增益放大器(PGA)。配置寄存器的格

式如表 6 所示,默認(rèn)設(shè)置是 8CH。

wKgaoWcytLiAYEbuAAAvjIRiHL8248.png

位 7:ST/DRDY

ST/DRDY 位的含意取決于它是寫入還是讀出。

在單次轉(zhuǎn)換模式中,寫 1 到 ST/DRDY 位則表示轉(zhuǎn)換的開始,寫入 0 則無影響,在連續(xù)方式中,

MS5175 忽略寫入 ST/DRDY 的值。

在連續(xù)轉(zhuǎn)換模式中,ST/DRDY 位確定新轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)是否就緒。如果 ST/DRDY 為 1,則表示結(jié)果寄存

器中的數(shù)據(jù)已經(jīng)被讀?。蝗绻?ST/DRDY 為 0,則表示結(jié)果寄存器中的數(shù)據(jù)是未被讀取的新數(shù)據(jù)。

在單次轉(zhuǎn)換模式中,ST/DRDY 位確定轉(zhuǎn)換是否完成。如果 ST/DRDY 為 1,則表示結(jié)果寄存器的數(shù)

據(jù)為舊數(shù)據(jù),而且轉(zhuǎn)換正在進(jìn)行。如果 ST/DRDY 為 0,則表示結(jié)果寄存器的數(shù)據(jù)是新轉(zhuǎn)換的結(jié)果。

MS5175 先輸出結(jié)果寄存器的值,再輸出配置寄存器值。ST/DRDY 位的狀態(tài)適用于剛從結(jié)果寄存器

中讀取的數(shù)據(jù),而不是下一次讀操作讀取的數(shù)據(jù)。

wKgZoWcytPmAayeBAAGR3HNgtcU561.png

讀操作

讀取結(jié)果寄存器和配置寄存器的值。先對(duì) MS5175 尋址,再從器件中讀出 3 個(gè)字節(jié)。前 2 個(gè)字節(jié)

是結(jié)果寄存器的值,第 3 個(gè)字節(jié)是配置寄存器的值。

可不讀出配置寄存器,在讀操作中允許讀出的字節(jié)個(gè)數(shù)少于 3 個(gè)。如果讀取多于 3 個(gè)字節(jié),從第

4 個(gè)字節(jié)開始將為 FFH。

MS5175 的典型讀操作的時(shí)序見圖 2。

wKgaoWcytWuAVPIvAAEWgKgzcQQ928.png

寫操作

對(duì)配置寄存器進(jìn)行寫操作。先對(duì) MS5175 尋址,再寫入一個(gè)字節(jié),這個(gè)字節(jié)將被寫入配置寄存器

中。

寫入多個(gè)字節(jié)無效,將忽略第一個(gè)字節(jié)之后的任何字節(jié)。MS5175 寫操作的典型時(shí)序見圖 3。

wKgaoWcytZSAQZkHAACHdIFvlXI251.png

應(yīng)用說明

基本連接方法

對(duì)于多數(shù)應(yīng)用而言,MS5175 的典型基本連接圖如圖 4 所示。

wKgZoWcytbOAQlZDAACPNxbjSJE260.png

連接多個(gè)器件

一條 I 2C 總線可連接多個(gè) MS5175。使用 ASEL1 和 ASEL0 腳,MS5175 可以設(shè)置為 8 種不同 I 2C 地

址。如圖 5 所示,三個(gè) MS5175 連接到同一條總線的接線圖。一條 I 2C 總線上最多可以連接 8 個(gè)

MS5175(使用不同狀態(tài)的 ASEL1 和 ASEL0 腳進(jìn)行控制)。

注意,I 2C 總線僅需一組上拉電阻。

wKgaomcyte2ADKWgAADa0ai1Pxs078.png

低端電流監(jiān)控器

圖 6 是低端電流監(jiān)控器的電路圖。該電路通過一個(gè)檢流電阻來讀取電壓。此電阻上電壓可用低漂

移的運(yùn)放 MS8552 放大,放大結(jié)果由 MS5175 讀取。

建議 MS5175 工作在 8 倍增益下,可以降低 MS8552 的增益。對(duì)于 8 倍增益而言,運(yùn)放應(yīng)提供最

高不高于 0.256V 的輸出電壓,所以在滿刻度電流時(shí),檢流電阻提供最大 64mV 的電壓降。

wKgZomcytgiAd2g6AACbAew-OsM149.png

封裝外形圖

MSOP10

wKgaomcytnKAC50RAAD2iSgSluA369.png

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

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