chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

森國科650V/6A IGBT的性能特點(diǎn)

森國科 ? 來源:森國科 ? 2024-11-13 16:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

森國科推出的650V/6A IGBT(型號(hào):KG006N065SD-B)在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。

在風(fēng)扇中,IGBT的場截止溝槽技術(shù)能夠提供更低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,提高整體系統(tǒng)效率并減少能耗;

在泵中,IGBT的低損耗特性有助于減少發(fā)熱量,有效簡化散熱設(shè)計(jì);

在吸塵器中,650V IGBT的高速開關(guān)特性使其適用于吸塵器中的電機(jī)控制,能夠快速響應(yīng)不同的清潔需求,同時(shí)保持較低的功耗。因此,在電源管理解決方案,IGBT產(chǎn)品有著不可替代的優(yōu)勢。

性能特點(diǎn)

最大結(jié)溫:TJ=175°C

短路耐受時(shí)間超過10 μs

易于并聯(lián)使用

VCE(sat)正溫度系數(shù) 高效電機(jī)驅(qū)動(dòng) 高魯棒性 競爭優(yōu)勢

高頻開關(guān)能力

優(yōu)異的熱管理能力 廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

家用電器 風(fēng)扇、泵、真空吸塵器

最大額定數(shù)值

89fc9732-a195-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

關(guān)于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊,功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動(dòng)芯片無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū),在深圳、成都、蘇州設(shè)有研發(fā)及運(yùn)營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%,研究生以上學(xué)歷占比50%,來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機(jī)構(gòu),囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊,該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器充電樁電源模塊、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級(jí)晶圓,具有高耐溫,高頻,高效,高壓特性,已穩(wěn)步進(jìn)入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲(chǔ)逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。

森國科功率IC采用先進(jìn)的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅(qū)動(dòng)、BLDC及FOC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。經(jīng)過5年的發(fā)展,該產(chǎn)品線的團(tuán)隊(duì)在BCD工藝,UHV工藝、數(shù)?;旌稀㈦姍C(jī)驅(qū)動(dòng)算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動(dòng)芯片,已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列,即將推出高壓系列。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片方面,已經(jīng)推出單相BLDC散熱風(fēng)扇電機(jī)系列,即將推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍(lán)思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下,以低成本創(chuàng)新為己任,努力為客戶提供高性價(jià)比的綠色“芯”動(dòng)力,成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源管理
    +關(guān)注

    關(guān)注

    117

    文章

    6623

    瀏覽量

    147783
  • 電機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    143

    文章

    9540

    瀏覽量

    153679
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4307

    瀏覽量

    261653
  • 森國科
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    54

    瀏覽量

    604

原文標(biāo)題:新品速遞 | 650V/6A IGBT為家電領(lǐng)域帶來更高性價(jià)比的電源管理方案

文章出處:【微信號(hào):SGKS2016,微信公眾號(hào):森國科】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天,功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
    的頭像 發(fā)表于 12-29 10:05 ?149次閱讀

    深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 場截止溝槽 IGBT

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
    的頭像 發(fā)表于 12-08 11:35 ?1659次閱讀
    深入解析 FGHL50T65MQDTL4:<b class='flag-5'>650V</b>、50<b class='flag-5'>A</b> 場截止溝槽 <b class='flag-5'>IGBT</b>

    650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用

    在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻,為工程師提
    的頭像 發(fā)表于 11-07 17:46 ?1487次閱讀

    龍騰半導(dǎo)體推出四款650V F系列IGBT新品

    隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場對(duì)高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導(dǎo)體正式推出四款
    的頭像 發(fā)表于 10-24 14:03 ?1942次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出四款<b class='flag-5'>650V</b> F系列<b class='flag-5'>IGBT</b>新品

    龍騰半導(dǎo)體650V 99mΩ超結(jié)MOSFET重磅發(fā)布

    龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET,其內(nèi)置FRD,適應(yīng)LLC應(yīng)用,并適合多管應(yīng)用,具有更快的開關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
    的頭像 發(fā)表于 09-26 17:39 ?1351次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體<b class='flag-5'>650V</b> 99mΩ超結(jié)MOSFET重磅發(fā)布

    英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)產(chǎn)品介紹

    CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片雙向開關(guān),憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì),正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 08-28 13:52 ?3481次閱讀

    650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

    第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對(duì)不同場景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種
    的頭像 發(fā)表于 08-16 15:55 ?2440次閱讀
    <b class='flag-5'>森</b><b class='flag-5'>國</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>650V</b>/10<b class='flag-5'>A</b> SiC二極管的七大封裝形態(tài)

    推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

    在如今的科技發(fā)展浪潮中,電力電子器件的性能對(duì)眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲(chǔ)系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用,1000V/800V 新能源汽車架構(gòu)平臺(tái)的蓬勃發(fā)展,高壓兆充的快速布局,
    的頭像 發(fā)表于 08-16 15:44 ?3071次閱讀
    <b class='flag-5'>森</b><b class='flag-5'>國</b><b class='flag-5'>科</b>推出2000<b class='flag-5'>V</b> SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

    新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

    電壓裕量,有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外,它還能為電動(dòng)汽車充電和固態(tài)斷路器(SSCB)應(yīng)用提供額外的浪涌保護(hù)。我們的650V
    的頭像 發(fā)表于 07-04 17:09 ?1081次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>650V</b> CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

    Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

    Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
    的頭像 發(fā)表于 05-12 16:06 ?933次閱讀

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

    ;內(nèi)置ESD保護(hù)功能,有助于實(shí)現(xiàn)高可靠性的設(shè)計(jì)。另外,通過采用通用性高的DFN封裝,不僅散熱性能出色,還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝,屬于 650V 增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:46 ?939次閱讀
    GNP1070TC-Z <b class='flag-5'>650V</b> GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

    內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

    內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
    的頭像 發(fā)表于 03-05 10:09 ?925次閱讀
    內(nèi)置<b class='flag-5'>650V</b> MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

    超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?1108次閱讀
    超結(jié)MOSFET升級(jí)至<b class='flag-5'>650V</b>碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
    的頭像 發(fā)表于 02-18 10:03 ?1233次閱讀

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?1832次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>650V</b> SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?