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森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科 ? 來源:森國科 ? 2024-11-13 16:36 ? 次閱讀
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森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。

在風扇中,IGBT的場截止溝槽技術能夠提供更低的傳導損耗和開關損耗,提高整體系統(tǒng)效率并減少能耗;

在泵中,IGBT的低損耗特性有助于減少發(fā)熱量,有效簡化散熱設計;

在吸塵器中,650V IGBT的高速開關特性使其適用于吸塵器中的電機控制,能夠快速響應不同的清潔需求,同時保持較低的功耗。因此,在電源管理解決方案,IGBT產品有著不可替代的優(yōu)勢。

性能特點

最大結溫:TJ=175°C

短路耐受時間超過10 μs

易于并聯(lián)使用

VCE(sat)正溫度系數(shù) 高效電機驅動 高魯棒性 競爭優(yōu)勢

高頻開關能力

優(yōu)異的熱管理能力 廣泛的應用領域

應用領域

電機驅動器

家用電器 風扇、泵、真空吸塵器

最大額定數(shù)值

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關于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊,功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū),在深圳、成都、蘇州設有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%,研究生以上學歷占比50%,來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構,囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業(yè)大學等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊,該產品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產品采用6寸車規(guī)級晶圓,具有高耐溫,高頻,高效,高壓特性,已穩(wěn)步進入國內汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅動、BLDC及FOC電機的驅動。經過5年的發(fā)展,該產品線的團隊在BCD工藝,UHV工藝、數(shù)模混合、電機驅動算法方面有深厚的積累。功率器件驅動芯片,已經大規(guī)模量產中低壓系列,即將推出高壓系列。在電機驅動芯片方面,已經推出單相BLDC散熱風扇電機系列,即將推出三相BLDC電機驅動系列。

森國科在中金資本、北汽產投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下,以低成本創(chuàng)新為己任,努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力,成為全球領先的功率半導體公司!

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:新品速遞 | 650V/6A IGBT為家電領域帶來更高性價比的電源管理方案

文章出處:【微信號:SGKS2016,微信公眾號:森國科】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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