本文介紹了腔室壓力對刻蝕的影響。
腔室壓力是如何調(diào)節(jié)的?對刻蝕的結(jié)果有什么影響?

什么是腔室壓力? 腔室壓力是指在刻蝕設備的工藝腔室內(nèi)的氣體壓力,通常以托(Torr)或帕斯卡(Pa)為單位。
腔室壓力由什么決定的?
1,氣體流量越高,壓力越大。
2,真空泵排氣,泵速越高,腔室壓力越低。
腔室壓力對于刻蝕的影響
1,離子轟擊能量。低壓力,分子平均自由程大,離子的碰撞幾率小,能量耗散少,故能量高。
2,離子與自由基的比例。低壓力時,離子的比例高,有利于物理刻蝕。高壓力時,自由基比例高,有利于化學刻蝕。
3,刻蝕均勻性。高壓力時,高頻碰撞會使氣體流速降低,自由基更容易擴散到晶圓表面各處,包括邊緣區(qū)域,整個晶圓表面接觸到的反應物濃度均勻,刻蝕速率趨于一致。
總結(jié) 隨著腔室壓力的提高,刻蝕反應逐漸由物理刻蝕到物理+化學刻蝕到化學刻蝕所轉(zhuǎn)變。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
工藝
+關注
關注
4文章
713瀏覽量
30313 -
刻蝕
+關注
關注
2文章
220瀏覽量
13779
原文標題:腔室壓力對刻蝕有什么影響?
文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
激光焊接機在焊接壓力腔組件的工藝流程
激光焊接機憑借其高能量密度、低熱輸入及易于自動化集成的特點,在壓力腔組件的制造中發(fā)揮著關鍵作用。這類組件通常應用于液壓系統(tǒng)、增壓設備或能源化工等領域,對結(jié)構強度、密封可靠性及長期耐久性有著極為嚴苛
晶圓濕法刻蝕技術有哪些優(yōu)點
晶圓濕法刻蝕技術作為半導體制造中的重要工藝手段,具有以下顯著優(yōu)點:高選擇性與精準保護通過選用特定的化學試劑和控制反應條件,濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對目標材料的高效去除,同時極大限度地減少對非目標區(qū)域(如掩膜
Aigtek電壓放大器精密驅(qū)動芯片級腔光力傳感器諧振腔的高效耦合
‐On‐Insulator,SOI)技術刻蝕制作的芯片級腔光力加速度計作為實驗的光機械系統(tǒng)。通過調(diào)節(jié)光纖耦合狀態(tài)改變腔內(nèi)光場模態(tài)體積,實現(xiàn)光機械耦合強度的可控性。驗證強互鎖狀態(tài)下機械品質(zhì)因數(shù)(Q值)的提升及系統(tǒng)底噪的抑制效果。開
電壓放大器在芯片級腔光力傳感器諧振腔耦合實驗中的關鍵應用
‐On‐Insulator,SOI)技術刻蝕制作的芯片級腔光力加速度計作為實驗的光機械系統(tǒng)。通過調(diào)節(jié)光纖耦合狀態(tài)改變腔內(nèi)光場模態(tài)體積,實現(xiàn)光機械耦合強度的可控性。驗證強互鎖狀態(tài)下機械品質(zhì)因數(shù)(Q值)的提升及系統(tǒng)底噪的抑制效果。開
濕法刻蝕的工藝指標有哪些
濕法刻蝕的工藝指標是確保半導體制造過程中圖形轉(zhuǎn)移精度和器件性能的關鍵參數(shù),主要包括以下幾個方面:刻蝕速率定義與意義:指單位時間內(nèi)材料被去除的厚度(如μm/min或nm/s),直接影響生產(chǎn)效率和成本
臺階儀表征MEMS壓力傳感器硅槽刻蝕:TMAH80℃下薄膜良率達到92.67%
當前MEMS壓力傳感器在汽車、醫(yī)療等領域的應用廣泛,其中應力敏感薄膜的厚度是影響傳感器性能的關鍵一,因此刻蝕深度合格且均勻性良好的薄膜至關重要。費曼儀器作為薄膜測量技術革新者,致力于為全球工業(yè)智造
濕法刻蝕的主要影響因素一覽
濕法刻蝕是半導體制造中的關鍵工藝,其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細分析:1.化學試劑性質(zhì)與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學活性匹配特定溶液(如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底
激光焊接技術在焊接壓力腔組件工藝中的應用
焊接壓力腔組件工藝中的應用。 激光焊接技術在焊接壓力腔組件工藝中的應用優(yōu)勢: 1.高能量密度與深寬比:激光束聚焦后可達極高功率密度,實現(xiàn)“深熔焊”效應,單道焊接即可獲得大深寬比焊縫,顯
MEMS制造中玻璃的刻蝕方法
在MEMS中,玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學穩(wěn)定性及可鍵合性(如與硅陽極鍵合),常被用作襯底、封裝結(jié)構或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構的核心工藝,需根據(jù)精度要求、結(jié)構尺寸及玻璃類型選擇合適的方法,玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法
干法刻蝕的評價參數(shù)詳解
在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對薄膜材料或襯底進行刻蝕的工藝,其評價參數(shù)直接影響器件的結(jié)構精度和性能。那么干法刻蝕有哪些評價參數(shù)呢?
JCMsuite應用:光學環(huán)形諧振腔模擬
本案程演示了環(huán)形諧振腔的模擬。這種類型的集成光子器件,例如用作升/降濾波器或在傳感應用中,當物質(zhì)或粒子附著在環(huán)上時,通過測量其共振頻率的位移來檢測:
對于集成光子電路中的無源光器件,s矩陣通常是
發(fā)表于 06-11 08:46
EastWave應用:垂直腔表面激光器
諧振腔的共振頻率和品質(zhì)因子,除受腔長度影響外,還可能取決于腔表面的褶皺程度。本例在光子晶體諧振腔的表面,設計了波浪形的激光工作物質(zhì),組成垂直腔
發(fā)表于 05-12 08:57
芯片刻蝕原理是什么
芯片刻蝕是半導體制造中的關鍵步驟,用于將設計圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上,形成電路結(jié)構。其原理是通過化學或物理方法去除特定材料(如硅、金屬或介質(zhì)層),以下是芯片刻蝕的基本原理和分類: 1. 刻蝕
濕法刻蝕:晶圓上的微觀雕刻
在芯片制造的精密工藝中,華林科納濕法刻蝕(Wet Etching)如同一把精妙的雕刻刀,以化學的魔力在晶圓這張潔白的畫布上,雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán),以其高效、低成本的特點
腔室壓力對刻蝕的影響
評論