‐On‐Insulator,SOI)技術(shù)刻蝕制作的芯片級腔光力加速度計(jì)作為實(shí)驗(yàn)的光機(jī)械系統(tǒng)。通過調(diào)節(jié)光纖耦合狀態(tài)改變腔內(nèi)光場模態(tài)體積,實(shí)現(xiàn)光機(jī)械耦合強(qiáng)度的可控性。驗(yàn)證強(qiáng)互鎖狀態(tài)下機(jī)械品質(zhì)因數(shù)(Q值)的提升及系統(tǒng)底噪的抑制效果。開
發(fā)表于 09-11 11:03
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‐On‐Insulator,SOI)技術(shù)刻蝕制作的芯片級腔光力加速度計(jì)作為實(shí)驗(yàn)的光機(jī)械系統(tǒng)。通過調(diào)節(jié)光纖耦合狀態(tài)改變腔內(nèi)光場模態(tài)體積,實(shí)現(xiàn)光機(jī)械耦合強(qiáng)度的可控性。驗(yàn)證強(qiáng)互鎖狀態(tài)下機(jī)械品質(zhì)因數(shù)(Q值)的提升及系統(tǒng)底噪的抑制效果。開
發(fā)表于 09-09 11:23
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焊接壓力腔組件工藝中的應(yīng)用。 激光焊接技術(shù)在焊接壓力腔組件工藝中的應(yīng)用優(yōu)勢: 1.高能量密度與深寬比:激光束聚焦后可達(dá)極高功率密度,實(shí)現(xiàn)“深熔焊”效應(yīng),單道焊接即可獲得大深寬比焊縫,顯
發(fā)表于 07-21 14:50
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諧振腔的共振頻率和品質(zhì)因子,除受腔長度影響外,還可能取決于腔表面的褶皺程度。本例在光子晶體諧振腔的表面,設(shè)計(jì)了波浪形的激光工作物質(zhì),組成垂直腔
發(fā)表于 05-12 08:57
芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于將設(shè)計(jì)圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上,形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料(如硅、金屬或介質(zhì)層),以下是芯片刻蝕的基本原理和分類: 1. 刻蝕
發(fā)表于 05-06 10:35
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諧振腔的共振頻率和品質(zhì)因子,除受腔長度影響外,還可能取決于腔表面的褶皺程度。本例在光子晶體諧振腔的表面,設(shè)計(jì)了波浪形的激光工作物質(zhì),組成垂直腔
發(fā)表于 02-24 09:03
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。 ? ? 1. 刻蝕原理和機(jī)制的
發(fā)表于 01-02 14:03
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半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學(xué)反應(yīng)、表面反應(yīng)、側(cè)壁保護(hù)等多個(gè)方面。 以下是對半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物原理的詳細(xì)闡述: 化學(xué)反應(yīng) 刻蝕劑與材料的化學(xué)反應(yīng):在濕法刻蝕過程中,
發(fā)表于 01-02 13:49
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芯片濕法刻蝕方法主要包括各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。為了讓大家更好了解這兩種方法,我們下面準(zhǔn)備了詳細(xì)的介紹,大家可以一起來看看。 各向同性刻蝕 定義:各向同性
發(fā)表于 12-26 13:09
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一層原子。? ? ?? ALE的刻蝕原理? 如上圖,是用Cl2刻蝕Si的ALE反應(yīng)示意圖。 第一步:向工藝腔中通入刻蝕氣體Cl2,Cl2吸附在目標(biāo)材料Si上并與之發(fā)生反應(yīng),生成SiCl
發(fā)表于 12-20 14:15
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在芯片制造過程中的各工藝站點(diǎn),有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點(diǎn)殘留物去除掉,“刻蝕
發(fā)表于 12-16 15:03
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說到濕法刻蝕了,這個(gè)是專業(yè)的技術(shù)。我們也得用專業(yè)的內(nèi)容才能給大家講解。聽到這個(gè)工藝的話,最專業(yè)的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎?如果想要了解,今天是一個(gè)不錯的機(jī)會,我們一起學(xué)習(xí)
發(fā)表于 12-13 14:08
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本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法
發(fā)表于 12-06 11:13
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本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟,用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學(xué)或物理方法去除材料層,以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求。本文將介紹幾種關(guān)鍵的刻蝕參數(shù),包括不完全
發(fā)表于 12-05 16:03
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:晶圓表面不同區(qū)域的溫度由于加熱器分布不均可能會有差異,導(dǎo)致局部區(qū)域刻蝕速率不同,從而影響刻蝕均勻性。 2,氣體:氣體化學(xué)組成,氣體比例,氣體流量 氣體化學(xué)組成:干法刻蝕的腔
發(fā)表于 12-02 09:56
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