chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

維易科(VEECO)和ALLOS展示行業(yè)領先的200MM硅基氮化鎵性能,推動micro-LED的應用

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-02-26 10:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

紐約普萊恩維尤(Plainview),2017年11月1日– Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)達成了一項戰(zhàn)略舉措,展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光micro-LED的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其專有外延技術轉移到Propel? 單晶圓MOCVD系統(tǒng),從而在現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線上實現(xiàn)生產(chǎn)micro-LED。

“使用Propel反應腔,我們就擁有了一項MOCVD 技術,這項技術能夠實現(xiàn)高產(chǎn)量的GaN外延,滿足在200毫米硅生產(chǎn)線上生產(chǎn)micro-LED器件的所有要求,”ALLOS Semiconductors的首席執(zhí)行官Burkhard Slischka這樣說?!安坏揭粋€月時間我們就已經(jīng)在Propel上對我們的技術進行了驗證,并且獲得了無裂紋、無回熔的晶圓,翹曲度低于30微米,晶體質量高,厚度均勻性優(yōu)異,波長均勻性小于1納米。同Veeco攜手,ALLOS期待著將該技術在micro-LED產(chǎn)業(yè)中更為推廣?!?/p>

Micro-LED顯示技術由《30x30平方微米的紅、綠和藍(RGB)無機LED組成,這些LED被轉化為顯示屏背板,以形成亞像素。與有機LED(OLED)和液晶顯示(LCD)相比,這些高效的LED直接發(fā)射功耗更低,卻可以為移動顯示器、電視和可穿戴式計算機提供優(yōu)異的亮度和對比度。Micro-LED的制造要求優(yōu)質、均勻的外延晶圓,以滿足顯示屏的產(chǎn)量和成本控制的要求。

“和競爭對手的MOCVD平臺相比, Veeco的TurboDisc?技術提供的制程窗口更大,因此Propel能提一流的均勻性同時還能獲得優(yōu)良的膜品質,”維易科高級副總裁兼MOCVD運營總經(jīng)理Peo Hansson博士這樣說。“將Veeco領先的MOCVD專業(yè)技術和ALLOS的硅基氮化鎵外延晶片技術相結合,使我們客戶能夠開發(fā)出低成本的micro-LED,以便于在新的市場中開拓新的應用?!?/p>

關于Veeco

Veeco(NASDAQ: VECO)是一家創(chuàng)新半導體工藝設備的領先制造商。我們成熟的MOCVD、光刻、激光退火、離子束和單晶片蝕刻與清潔技術在制造固態(tài)照明和顯示器LED以及先進半導體器件的制造中起著不可或缺的作用。憑借旨在最大限度地提高性能、產(chǎn)量和擁有成本的設備,維易科在所有這些服務的市場中擁有技術領先地位。要了解更多關于維易科創(chuàng)新設備和服務方面的信息,請訪問www.veeco.com。

關于ALLOS Semiconductors

ALLOS是一家知識產(chǎn)權授權和科技工程公司,幫助全世界半導體行業(yè)的客戶掌握硅基氮化鎵技術并充分發(fā)揮其優(yōu)勢。ALLOS正在向提供其專有技術和專利授權,并將其技術轉移到客戶的MOCVD反應腔中。此外,ALLOS也正在提供針對具體客戶的解決方案和下一代硅基氮化鎵開發(fā)中所面臨的挑戰(zhàn)的咨詢服務。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    67

    文章

    1881

    瀏覽量

    119407
  • MicroLED
    +關注

    關注

    31

    文章

    634

    瀏覽量

    40363
  • 硅基氮化鎵
    +關注

    關注

    0

    文章

    23

    瀏覽量

    4171
  • 維易科
    +關注

    關注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    1887
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    天馬微電子推出TFT135英寸Micro-LED拼接屏

    繼11月18日天馬TIC 2025震撼發(fā)布全球首款激光巨量轉移TFT108英寸Micro-LED拼接屏后,僅隔一個月,12月17日,天馬與合作伙伴創(chuàng)新進化,推出了135英寸Micro-LED拼接屏
    的頭像 發(fā)表于 12-26 13:59 ?395次閱讀

    安森美聯(lián)手英諾賽!中低壓GaN器件滲透加速

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)12月3日,安森美宣布與英諾賽簽署了諒解備忘錄,雙方將評估加速40V-200V氮化功率器件部署的合作機會,基于英諾賽
    的頭像 發(fā)表于 12-04 07:42 ?1.1w次閱讀

    GaN(氮化)與功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號

    中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢如下: 1. GaN(氮化)功放芯片 優(yōu)勢: 功率密度高:GaN 的擊穿電場強度(3.3 MV/cm)是的 10 倍以上,相同面積下可承受更
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:23 ?3475次閱讀

    羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化器件引領功率半導體創(chuàng)新

    、EcoGaN?氮化系列、功率器件(含二極管、MOSFET、IGBT)以及豐富的應用案例,憑借卓越的技術參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設計和廣泛的應用適配能力,引發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:35 ?1.3w次閱讀
    羅姆亮相 2025 PCIM  碳化硅<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>及<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>器件引領功率半導體創(chuàng)新

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業(yè)向碳化
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:12 ?1465次閱讀

    鈣鈦礦助力Micro-LED發(fā)展:從材料突破到顯示應用

    Micro-LED正逐漸成為下一代顯示技術,其特點是具有高分辨率、高亮度和高響應速度,這些特性在光通信、增強現(xiàn)實或虛擬現(xiàn)實以及可穿戴設備領域至關重要。美能顯示作為行業(yè)領先的顯示技術檢測公司,一直
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:54 ?1682次閱讀
    鈣鈦礦助力<b class='flag-5'>Micro-LED</b>發(fā)展:從材料突破到顯示應用

    Mini-LEDMicro-LED:未來顯示技術的龍爭虎斗!

    Mini-LEDMicro-LED顯示技術成為了近期的熱點技術。這兩種新技術和現(xiàn)在的LCD及OLED技術相比有什么優(yōu)勢和聯(lián)系呢?從下圖可以看出每種顯示技術的差異,目前行業(yè)在從LCD時代進入OLED
    的頭像 發(fā)表于 08-06 11:13 ?4311次閱讀
    Mini-<b class='flag-5'>LED</b>與<b class='flag-5'>Micro-LED</b>:未來顯示技術的龍爭虎斗!

    天馬Micro-LED 7英寸車載標準品成功點亮

    、高信賴性、超強性能于一體,不僅標志著天馬Micro-LED產(chǎn)線的工藝路線全面鎖定,更以可持續(xù)的生產(chǎn)能力為行業(yè)注入強心劑,引領車載顯示技術邁向新階段。
    的頭像 發(fā)表于 07-14 15:02 ?1190次閱讀

    如何在開關模式電源中運用氮化技術

    LTspice?作為合適的工具鏈來使用,以便成功部署GaN開關。 引言 氮化(GaN)是一種III-V族半導體,為開關電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術具有高介電強度、低開關損耗、高
    發(fā)表于 06-11 10:07

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代半導體行業(yè)異軍突起,憑借
    發(fā)表于 05-19 10:16

    直擊AI服務器電源痛點!英諾賽4.2KW氮化方案在2025慕展驚艷登場

    發(fā)燒友拍攝 “與器件相比,氮化的功率密度可達 30W/mm,是的150倍,開關頻率提升
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:10 ?2505次閱讀
    直擊AI服務器電源痛點!英諾賽<b class='flag-5'>科</b>4.2KW<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>方案在2025慕展驚艷登場

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?4670次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?1247次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    英飛凌200mm SiC技術取得突破,2025年首供客戶

    了重要一步。 這批200mm SiC產(chǎn)品專為可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等高壓需求而設計,將為用戶提供更加高效、可靠的功率解決方案。英飛凌的SiC技術以其出色的耐高溫、耐高壓性能著稱,此次推出的200mm產(chǎn)品將進一步鞏固其
    的頭像 發(fā)表于 02-19 15:35 ?1317次閱讀

    劃片機在Micro-LED芯片封裝中的應用與技術革新

    隨著Micro-LED顯示技術向更小尺寸、更高集成度發(fā)展,其制造工藝對精密度和效率的要求日益嚴苛。劃片機作為半導體制造中的關鍵設備,在Micro-LED芯片封裝中扮演著核心角色。本文結合行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 02-11 17:10 ?1107次閱讀
    劃片機在<b class='flag-5'>Micro-LED</b>芯片封裝中的應用與技術革新