電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機會，基于英諾賽科成熟的200mm硅基氮化鎵制造工藝，探索擴大氮化鎵功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。

備忘錄中明確了合作框架，將整合安森美在集成系統(tǒng)與封裝領域的領導地位，以及英諾賽科成熟的氮化鎵技術與高產(chǎn)量制造能力，為工業(yè)、汽車、電信基礎設施、消費電子和人工智能數(shù)據(jù)中心市場提供高性價比、高能效的氮化鎵產(chǎn)品。

安森美表示，對于安森美的客戶而言，與英諾賽科的合作將帶來三大核心價值：

l更快上市速度：借助安森美的系統(tǒng)專業(yè)知識與英諾賽科成熟的氮化鎵技術及制造能力，實現(xiàn)快速原型開發(fā)、加速設計導入，迅速切入主流市場；
l可擴展制造：依托安森美的全球集成與封裝經(jīng)驗，以及英諾賽科已建立的氮化鎵產(chǎn)能，實現(xiàn)真正的大眾市場規(guī)?；a(chǎn)，滿足大規(guī)模產(chǎn)能爬坡需求；
l更低系統(tǒng)成本：優(yōu)化的封裝設計、更少的元器件數(shù)量及簡化的熱管理方案，帶來更緊湊的產(chǎn)品設計及更低的系統(tǒng)總成本。

英諾賽科表示，雙方合作將通過晶圓采購等方式，有望在未來幾年將帶來數(shù)億美元的氮化鎵銷售，并為合作雙方在新能源汽車、人工智能、數(shù)據(jù)中心，工業(yè)等關鍵領域的市場開拓與布局帶來先機。

值得一提的是，安森美此前曾與多家GaN器件廠商合作。2015年開始，安森美在Gan功率器件領域與Transphorm合作，開發(fā) 600V GaN 級聯(lián)結(jié)構(gòu)晶體管；2019年安森美采用 GaN Systems 的 650V、30A 氮化鎵增強型晶體管，搭配安森美的 NCP51820 高速柵極驅(qū)動器，推出高速半橋 GaN 系統(tǒng)評估板。

后續(xù)GaN Systems被英飛凌收購、Transphorm被瑞薩收購后，安森美并未放棄在GaN領域的布局。

安森美在2024年12月以2000萬美元收購了已破產(chǎn)的垂直氮化鎵廠商NexGen Power Systems的晶圓廠，另外還購買了NexGen的知識產(chǎn)權和其擁有的工廠設備。實際上，NexGen此前已經(jīng)推出了性能指標亮眼的垂直GaN器件工程樣品，但由于種種原因倒在量產(chǎn)前。

在吸收NexGen資產(chǎn)后，今年11月，安森美正式發(fā)布可量產(chǎn)垂直GaN功率半導體技術，并表示研究人員對垂直氮化鎵的探索已持續(xù) 15 年以上，但直至今日，安森美才成為全球首家實現(xiàn)該技術規(guī)?；慨a(chǎn)上市的企業(yè)。

垂直GaN主要優(yōu)勢在于1200V以上的高壓領域，而目前已經(jīng)受到市場廣泛驗證的橫向GaN功率半導體仍是主流，在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車等領域仍有巨大的市場拓展空間。因此安森美這次與英諾賽科合作，也是為了補足中低壓GaN產(chǎn)品線，聯(lián)合英諾賽科的硅基氮化鎵晶圓制造優(yōu)勢，形成覆蓋 “晶圓制造→封裝→系統(tǒng)集成”的產(chǎn)業(yè)鏈條互補。

得益于在硅基氮化鎵領域的制造能力優(yōu)勢，英諾賽科在近期也有多項重大產(chǎn)業(yè)鏈合作落地。包括9月份與聯(lián)合電子、納芯微共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵相關產(chǎn)品。

11月，意法半導體推出了一系列基于氮化鎵技術的反激式電源集成器件VIPerGaN50W，可簡化緊湊、高效的USB-PD充電器、快速電池充電器和輔助電源的設計和構(gòu)建。該系列產(chǎn)品采用了英諾賽科700V高性能氮化鎵晶圓，實現(xiàn)了電源設計更緊湊、更高效應用。

同在11月，Allegro與英諾賽科宣布達成戰(zhàn)略合作，推出一款開創(chuàng)性的 4.2kW 全 GaN 參考設計，該設計采用了英諾賽科高性能氮化鎵和 Allegro 的先進柵極驅(qū)動器技術。該新型電源供應單元參考設計整合了英諾賽科650V 和150V 高性能氮化鎵功率晶體管與Allegro創(chuàng)新的 Power-Thru? AHV85110 隔離式柵極驅(qū)動器，后者具備自供電架構(gòu)，并集成偏置電源。這種獨特組合可實現(xiàn)卓越的開關性能和精簡的系統(tǒng)設計，助力工程師達成鈦金級電源效率和超過 100 W/in3 的功率密度，極大地簡化了系統(tǒng)設計，并顯著減少了無源元件的數(shù)量。