MOSFET的每個特性參數(shù)詳解
1.絕對最大額定值
2、電參數(shù)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標題：分析MOSFET的每個特性參數(shù)，講的非常詳細！
文章出處：【微信號：Mouser-Community，微信公眾號：貿(mào)澤電子設計圈】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
探索TS5A4597單通道8 - SPST模擬開關：特性、應用與電氣參數(shù)詳解
探索TS5A4597單通道8-SPST模擬開關：特性、應用與電氣參數(shù)詳解 在電子設計領域，模擬開關是一種至關重要的元件，它能夠實現(xiàn)信號的切換和路由，廣泛應用于各種電子設備中。德州儀器（Texas
深入解析 IRF150DM115 MOSFET：特性、參數(shù)與應用
深入解析 IRF150DM115 MOSFET：特性、參數(shù)與應用 在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是一種極為常見且關鍵的電子元件。
onsemi NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET：特性與應用詳解
作為電子工程師，在設計過程中，選擇合適的功率MOSFET至關重要。今天就來詳細介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET，探討它的特性、參數(shù)以及在實際應用
MOSFET的原理、特性及參數(shù)
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管），簡稱MOS管，屬于場效應管（FET）的一種。
MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術解析：參數(shù)、特性與應用場景
在中低壓功率轉換與高頻開關領域，N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對仁懋電子（MOT）的MOT3150J型號，從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢到實際應用場景展開深度剖析，為工程師選型與系統(tǒng)
MOT4913J N+N 增強型 MOSFET 技術解析：參數(shù)、特性與應用場景
在功率半導體器件領域，N+N增強型MOSFET憑借多單元集成的架構，在電機驅動、電動設備控制等場景中展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。本文將針對仁懋電子（MOT）的MOT4913J型號，從參數(shù)、特性到應用場景進行深度
MOSFET關鍵參數(shù)選型依據(jù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET關鍵參數(shù)選型依據(jù).pdf》資料免費下載
發(fā)表于 07-10 14:25
?5次下載
CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析
問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設計
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標。實際應用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時，為防止 SiC-MOSFET開關在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進而影響模塊使用壽命，需要對 RC 緩沖吸收
發(fā)表于 04-23 11:25
SiC MOSFET的動態(tài)特性
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。
boost電路參數(shù)設計詳解
Boost 電路的原理圖如下圖所示當MOSFET開通時，電源給電感L充電，電感儲能，電容放電。電感上的電流增加量（電感線圈未飽和時）為：
其中：為占空比，為開關周期。
當MOSFET關斷時，電感放電
發(fā)表于 03-25 14:15
MOSFET與IGBT的區(qū)別
來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開
發(fā)表于 03-25 13:43
MOSFET開關損耗計算
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
發(fā)表于 03-24 15:03
SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
MOSFET開關損耗和主導參數(shù)
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關損耗
1
發(fā)表于 02-26 14:41
工商網(wǎng)監(jiān)
評論