onsemi NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET：特性與應(yīng)用詳解

作為電子工程師，在設(shè)計過程中，選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET，探討它的特性、參數(shù)以及在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。

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產(chǎn)品概述

NVTYS020N08HL是一款單N溝道功率MOSFET，具備80V的漏源擊穿電壓（V(BR)DSS），最大漏極電流（ID MAX）可達(dá)30A，在10V柵源電壓下，最大導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為20mΩ，在4.5V柵源電壓下為25mΩ。其采用LFPAK8封裝，尺寸僅為3.3 x 3.3 mm，非常適合緊湊型設(shè)計。

封裝尺寸

產(chǎn)品特性亮點

緊湊設(shè)計

NVTYS020N08HL采用3.3 x 3.3 mm的小尺寸封裝，為緊湊型設(shè)計提供了可能。在如今追求小型化、集成化的電子設(shè)備設(shè)計中，這樣的小尺寸封裝能夠有效節(jié)省PCB空間，讓產(chǎn)品設(shè)計更加靈活。

低導(dǎo)通損耗

該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻（$R{DS(on)}$），在10V柵源電壓下，$R{DS(on)}$最大為20mΩ；在4.5V柵源電壓下，最大為25mΩ。低導(dǎo)通電阻可以減少電流通過時的能量損耗，提高電路的效率，降低發(fā)熱，延長設(shè)備的使用壽命。大家不妨思考一下，在一個高功率的電路中，低導(dǎo)通電阻能為我們節(jié)省多少電能呢？

低電容特性

其低電容特性有助于減少驅(qū)動損耗。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，電容的充放電會消耗一定的能量，低電容可以降低這部分損耗，提高開關(guān)速度，從而提升整個系統(tǒng)的性能。

汽車級標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品經(jīng)過AEC - Q101認(rèn)證且具備PPAP能力，這意味著它符合汽車電子的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，可應(yīng)用于汽車電子系統(tǒng)中，如發(fā)動機控制單元、車載充電器等，為汽車電子的可靠性提供了保障。

環(huán)保合規(guī)

該器件為無鉛產(chǎn)品，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求，順應(yīng)了電子行業(yè)的發(fā)展趨勢。

關(guān)鍵參數(shù)解讀

最大額定值

這些參數(shù)規(guī)定了器件在正常工作時的極限條件，使用時應(yīng)確保各項應(yīng)力不超過這些額定值，否則可能會損壞器件，影響其可靠性。例如，如果漏極電流長時間超過額定值，可能會導(dǎo)致器件過熱，甚至燒毀。

熱阻參數(shù)

熱阻參數(shù)反映了器件散熱的難易程度。在設(shè)計散熱系統(tǒng)時，需要根據(jù)熱阻和功率耗散來計算結(jié)溫，確保結(jié)溫在安全范圍內(nèi)。大家可以想一想，如何根據(jù)這些熱阻參數(shù)來優(yōu)化散熱設(shè)計呢？

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：$V{(BR)DSS}$在$V{GS} = 0\ V$，$I_D = 250\ \mu A$時為80V，這是器件能夠承受的最大漏源電壓，超過該電壓可能會導(dǎo)致器件擊穿。
• 零柵壓漏極電流：$I{DSS}$在$V{DS} = 80\ V$，$T_J = 25^{\circ}C$時為10 μA，$T_J = 125^{\circ}C$時為100 μA，該電流越小，說明器件在關(guān)斷狀態(tài)下的泄漏電流越小，功耗越低。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：$V{GS(TH)}$在$V{GS} = V_{DS}$，$I_D = 30\ A$時為1.2 - 2.0V，這是使器件開始導(dǎo)通的最小柵源電壓。
• 漏源導(dǎo)通電阻：$R{DS(on)}$在不同的柵源電壓和漏極電流下有不同的值，如$V{GS} = 10\ V$，$ID = 10\ A$時為15.5 - 20 mΩ，$V{GS} = 4.5\ V$，$I_D = 10\ A$時為19.6 - 25 mΩ，該電阻越小，導(dǎo)通損耗越低。

電容和電荷特性

• 輸入電容：$C{iss}$在$V{GS}=0\ V$，$f = 1\ MHz$，$V_{DS}=40\ V$時為610.5 pF，電容的大小會影響器件的開關(guān)速度和驅(qū)動功率。
• 總柵極電荷：$Q{G(TOT)}$在不同的測試條件下有不同的值，如$V{GS}= 10\ V$，$V_{DS} = 64\ V$，$I_D = 15\ A$時為12 nC，該電荷反映了驅(qū)動器件所需的電荷量。

典型特性曲線分析

文檔中給出了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、轉(zhuǎn)移特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系等曲線。這些曲線可以幫助我們更好地理解器件在不同工作條件下的性能。例如，通過導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系曲線，我們可以直觀地看到柵源電壓對導(dǎo)通電阻的影響，從而選擇合適的柵源電壓來降低導(dǎo)通損耗。大家在實際應(yīng)用中，可以根據(jù)這些曲線來優(yōu)化電路設(shè)計，使器件工作在最佳狀態(tài)。

應(yīng)用建議

電路設(shè)計

在設(shè)計電路時，要根據(jù)器件的參數(shù)和特性來選擇合適的工作條件。例如，在選擇柵源電壓時，要考慮導(dǎo)通電阻和驅(qū)動損耗的平衡；在設(shè)計驅(qū)動電路時，要確保能夠提供足夠的電流來快速充電和放電柵極電容，以提高開關(guān)速度。

散熱設(shè)計

由于器件在工作過程中會產(chǎn)生熱量，因此散熱設(shè)計至關(guān)重要。可以根據(jù)熱阻參數(shù)選擇合適的散熱片或散熱方式，確保結(jié)溫在安全范圍內(nèi)。比如，在高功率應(yīng)用中，可以采用大面積的散熱片或強制風(fēng)冷的方式來提高散熱效率。

保護措施

為了防止器件受到過壓、過流、過熱等損壞，建議在電路中添加相應(yīng)的保護措施，如過壓保護電路、過流保護電路、溫度保護電路等。

NVTYS020N08HL是一款性能出色的N溝道功率MOSFET，具有緊湊設(shè)計、低導(dǎo)通損耗、低電容等優(yōu)點，適用于多種應(yīng)用場景。在實際應(yīng)用中，我們要充分了解其參數(shù)和特性，合理設(shè)計電路和散熱系統(tǒng)，添加必要的保護措施，以確保器件的可靠運行。希望這篇文章能對大家在使用這款MOSFET時有所幫助，大家在實際應(yīng)用過程中遇到什么問題，歡迎一起交流探討。