Simcenter Micred T3STER

瞬態(tài)熱阻測試儀

通過高精度、可重復的熱瞬態(tài)測試技術和結構功能分析，對封裝半導體器件進行熱表征。

為何選擇Simcenter Micred T3STER？

Simcenter Micred T3STER是一款先進的無損瞬態(tài)熱測試器，通過測試施工現(xiàn)場的元件，對封裝半導體裝置（二極管、雙極型晶體管、功率場效應管、絕緣柵雙極晶體管、電源LED指示燈）和多晶片裝置進行熱特性分析。該測試器能夠比穩(wěn)態(tài)方法更有效地測量真正的熱瞬態(tài)響應。測量結果偏差最多為±0.01°C，而解算時間最多為1 微秒，因此可產生精確的熱測量值。

結構函數(shù)對響應進行后處理，將其繪圖以顯示封裝特征在熱流通道上的熱阻值和電容量。Simcenter Micred T3STER是一款理想的前處理和后處理應力失效檢測工具。測量結果可導出用于熱模型校準，從而增強熱設計工作的準確性。只需一次測試即可更快地獲得結果Simcenter Micred T3STER易于使用且快速。其產生完全可重復的結果，因此每項測試只需要執(zhí)行一次。Simcenter Micred T3STER僅使用電氣連接對封裝IC進行供電和檢測測試，提供快速可重復的結果，并且無需對同一器件進行多次測試。部件可原位進行測試，測試結果可用作緊湊的熱模型或校準詳細模型。

測試所有類型的封裝半導體實際上，所有類型的封裝半導體都可以進行測試，從功率二極管和晶體管到大型且高度復雜的數(shù)字IC，包括安裝在電路板上的部件，甚至封裝到產品中。簡而言之，將功率脈沖注入部件中，并非常準確地記錄其溫度響應隨時間的變化。半導體本身既用于為零件供電，也用于使用芯片表面上的溫度敏感參數(shù)（例如晶體管或二極管結構）檢測溫度響應。訪問可靠的軟件Simcenter Micred T3STER隨附的軟件為相關解算方案帶來了許多價值。這是因為 Simcenter Micred T3STER軟件可獲取溫度與時間的軌跡，并將其轉換為所謂的結構函數(shù)。在此圖中可以檢測到封裝的離散特征（例如芯片貼裝），使Simcenter Micred T3STER成為產品開發(fā)中出色的診斷工具。該圖還可用于校準Simcenter Flotherm中的詳細3D熱模型，創(chuàng)建芯片封裝的熱模型預測空間和時間溫度，準確率高達99+%。

Simcenter T3STER功能

熱測試此系列熱特性分析硬件解決方案賦能部件和系統(tǒng)供應商準確高效地測試、測量半導體集成電路封裝、單個和陣列LED、堆疊和多晶片封裝、動力電子模塊、導熱介質 (TIM)屬性和完整電子系統(tǒng)，并對熱特性進行表征。我們的硬件解決方案可直接連續(xù)實時測量封裝半導體器件的實際加熱或冷卻曲線，而不是根據(jù)多個單獨測試的結果人為地將其組合在一起。以這種方式測量真正的熱瞬態(tài)響應更加高效且準確，因而可獲得比穩(wěn)態(tài)方法更準確的熱測量值。每個樣本只需要進行一次測量，無需像穩(wěn)態(tài)方法那樣重復測量并取平均值。