近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子正在美國得克薩斯州泰勒市加速推進(jìn)一座先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片工廠建設(shè)。為了支持這一重大投資項目，三星電子聲稱已經(jīng)獲得了美國政府提供的47.4億美元(折合當(dāng)前匯率約為348.34億元人民幣)的激勵資金。

該工廠預(yù)計將于2026年全面投入大規(guī)模芯片生產(chǎn)，主要生產(chǎn)2納米和3納米工藝的先進(jìn)芯片。三星方面表示，他們計劃在2026年初引入所有必要的生產(chǎn)設(shè)備，并在年底前正式啟動量產(chǎn)，以期在這一關(guān)鍵領(lǐng)域與全球領(lǐng)先的芯片制造商臺積電展開有力競爭。

值得注意的是，三星的最大競爭對手臺積電已經(jīng)在美國亞利桑那州開設(shè)了工廠，并成功開始生產(chǎn)4納米芯片。臺積電還計劃在今年內(nèi)進(jìn)一步提升其生產(chǎn)能力，具備生產(chǎn)2納米和3納米芯片的技術(shù)實力。面對這一強(qiáng)勁對手，三星顯然希望通過其在泰勒市的工廠項目，進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。

未來，隨著三星泰勒工廠的正式投產(chǎn)，全球半導(dǎo)體行業(yè)的競爭格局或?qū)⒂瓉硇碌淖兓?/p>