chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國(guó)產(chǎn)首款高壓抗輻射SiC功率器件完成空間驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)在軌電源系統(tǒng)應(yīng)用

中科院微電子研究所 ? 來(lái)源:中科院微電子研究所 ? 2025-01-23 17:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心,被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟,是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。隨著硅(Si)基功率器件的性能逼近極限,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,以禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、飽和電子速度快等優(yōu)勢(shì),可大幅提高空間電源的傳輸功率和能源轉(zhuǎn)換效率,簡(jiǎn)化散熱設(shè)備,降低發(fā)射成本或增加裝載容量,功率-體積比提高近5倍,滿(mǎn)足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化和輕量化需求。

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉新宇與湯益丹團(tuán)隊(duì),聯(lián)合空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)研制的碳化硅(SiC)載荷于2024年11月15日搭乘天舟八號(hào)貨運(yùn)飛船飛向太空,開(kāi)啟了空間軌道科學(xué)試驗(yàn)之旅。

本次搭載的SiC載荷系統(tǒng)主要任務(wù)為國(guó)產(chǎn)自研高壓抗輻射SiC功率器件(SiC二極管和SiC MOSFET器件)的空間驗(yàn)證及其在航天電源中的應(yīng)用驗(yàn)證、SiC功率器件綜合輻射效應(yīng)等科學(xué)研究,有望逐步提升航天數(shù)字電源功率,支撐未來(lái)單電源模塊達(dá)到千瓦級(jí)。

通過(guò)一個(gè)多月的在軌加電試驗(yàn),SiC載荷測(cè)試數(shù)據(jù)正常,高壓400V SiC功率器件在軌試驗(yàn)與應(yīng)用驗(yàn)證完成,在電源系統(tǒng)中靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數(shù)符合預(yù)期。本次搭載第一階段任務(wù)完成,實(shí)現(xiàn)了首款國(guó)產(chǎn)高壓400V抗輻射SiC功率器件空間環(huán)境適應(yīng)性驗(yàn)證及其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用驗(yàn)證,標(biāo)志著在以“克”為計(jì)量的空間載荷需求下,SiC功率器件將成為大幅提升空間電源效率的優(yōu)選方案,牽引空間電源系統(tǒng)的升級(jí)換代。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18605

    瀏覽量

    259816
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    2013

    瀏覽量

    94094
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3392

    瀏覽量

    67228

原文標(biāo)題:首款國(guó)產(chǎn)高壓抗輻射SiC功率器件實(shí)現(xiàn)空間驗(yàn)證及其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用

文章出處:【微信號(hào):中科院微電子研究所,微信公眾號(hào):中科院微電子研究所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹?b class='flag-5'>器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告

    傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)洹?b class='flag-5'>器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告 I. 緒論:高壓電力電子
    的頭像 發(fā)表于 10-14 15:06 ?155次閱讀
    傾佳電力電子設(shè)備<b class='flag-5'>高壓</b>輔助<b class='flag-5'>電源</b>拓?fù)洹?b class='flag-5'>器件</b>選型與1700V <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET技術(shù)分析報(bào)告

    SiLM27531HAC-7G車(chē)規(guī)級(jí)單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)解析

    在追求高效率、高功率密度的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中(尤其汽車(chē)電子領(lǐng)域),驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。針對(duì)GaN、SiC等寬帶隙
    發(fā)表于 08-09 09:18

    功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)

    功率模塊測(cè)試與驗(yàn)證:對(duì)封裝完成功率模塊(如IGBT模塊、SiC模塊)進(jìn)行單體或半橋/全橋功能測(cè)試與參數(shù)
    發(fā)表于 07-29 16:21

    深?lèi)?ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    深?lèi)?ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”
    發(fā)表于 07-23 14:36

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠(chǎng)商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?553次閱讀

    破局時(shí)刻:大陸55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問(wèn)世-VBP2205N

    大陸55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問(wèn)世——國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的200V高壓革命為
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:44 ?568次閱讀
    破局時(shí)刻:大陸<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>55A/-200V/50mΩ<b class='flag-5'>高壓</b>MOSFET問(wèn)世-VBP2205N

    Keithley高壓靜電計(jì)的SiC器件兆伏級(jí)瞬態(tài)擊穿特性研究

    )使其在高壓、高溫及高頻應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。相比傳統(tǒng)Si基器件SiC功率器件具有更低的導(dǎo)通損耗(降低約50%~70%)、更高的開(kāi)關(guān)頻
    的頭像 發(fā)表于 03-31 13:36 ?475次閱讀
    Keithley<b class='flag-5'>高壓</b>靜電計(jì)的<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>兆伏級(jí)瞬態(tài)擊穿特性研究

    基于國(guó)產(chǎn)SiC模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì) 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-23 16:56 ?867次閱讀
    基于<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>SiC</b>模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC<b class='flag-5'>電源</b><b class='flag-5'>系統(tǒng)</b>設(shè)計(jì)

    中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

    近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC功率器件
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:30 ?1097次閱讀

    國(guó)產(chǎn)!成功驗(yàn)證

    成功驗(yàn)證國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC功率器件,第三代半
    的頭像 發(fā)表于 02-05 10:56 ?438次閱讀

    國(guó)內(nèi)高壓輻射碳化硅功率器件研制成功,通過(guò)太空驗(yàn)證!

    劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國(guó)科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開(kāi)展合作,共同研制出首國(guó)產(chǎn)高壓輻射
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:51 ?525次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b><b class='flag-5'>高壓</b><b class='flag-5'>抗</b><b class='flag-5'>輻射</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>研制成功,<b class='flag-5'>并</b>通過(guò)太空<b class='flag-5'>驗(yàn)證</b>!

    碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

    功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢(shì),例如提高功率密度和效率,因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而,這些WBG器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:13 ?1491次閱讀
    碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?2次下載

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?1086次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1630次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)