chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國內(nèi)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功,并通過太空驗證!

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2025-01-23 11:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

功率器件被譽為電力電子系統(tǒng)“心臟”,是實現(xiàn)電能變換和控制的核心,也是國計民生領(lǐng)域最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的元器件之一,其核心技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新發(fā)展備受關(guān)注。

來自中國科學院微電子研究所的最新消息說,該所劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團隊等開展合作,共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統(tǒng),已成功通過太空第一階段驗證并實現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。

劉新宇表示,合作團隊共同開展的碳化硅載荷,已于2024年11月搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空,開啟了在中國空間站軌道的科學試驗之旅。

wKgZPGeRvLyAG5pVAACcIBSMbrk706.png

中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹

首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件研制相關(guān)情況。

通過1個多月的在軌加電試驗,碳化硅載荷測試數(shù)據(jù)正常,高壓400伏碳化硅功率器件在軌試驗與應(yīng)用驗證順利完成,在電源系統(tǒng)中靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)符合預期。

在湯益丹看來,碳化硅載荷本次搭載第一階段任務(wù)目前已順利完成,成功實現(xiàn)首款國產(chǎn)高壓400伏抗輻射碳化硅功率器件空間環(huán)境適應(yīng)性驗證及其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用驗證,這標志著在以“克”為計量的空間載荷需求下,碳化硅功率器件將成為大幅度提升空間電源效率的優(yōu)選方案,有望牽引空間電源系統(tǒng)實現(xiàn)升級換代。

劉新宇指出,中國自主研制成功首款國產(chǎn)高壓400伏抗輻射碳化硅功率器件,并通過空間驗證并實現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用,這將為未來中國探月工程、載人登月、深空探測等領(lǐng)域提供可供選擇的新一代功率器件,為中國建設(shè)世界空間科學強國提供有力支撐。

他認為,隨著硅基功率器件的性能逼近極限,以碳化硅為代表的第三代半導體材料,以禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和電子速度快等獨特優(yōu)勢,可大幅提高空間電源的傳輸功率和能源轉(zhuǎn)換效率,簡化散熱設(shè)備,降低發(fā)射成本或增加裝載容量,功率—體積比提高近5倍,滿足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化和輕量化需求,對新一代航天技術(shù)的發(fā)展有著重要戰(zhàn)略意義。

聲明:本網(wǎng)站部分文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播。 轉(zhuǎn)載文章版權(quán)歸原作者所有,如有異議,請聯(lián)系我們修改或刪除。聯(lián)系郵箱:viviz@actintl.com.hk, 電話:0755-25988573

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2046

    瀏覽量

    94545
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3281

    瀏覽量

    51694
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

    隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和
    的頭像 發(fā)表于 09-03 17:56 ?1298次閱讀

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1064次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用優(yōu)勢

    厚度6毫米的稀土永磁電機研制成功

    據(jù)科技日報報道,我國微型稀土永磁電機領(lǐng)域再創(chuàng)輝煌,據(jù)內(nèi)蒙古包頭市的稀土新材料技術(shù)創(chuàng)新中心消息顯示,厚度只有6毫米的稀土永磁軸向磁通電機研制成功。 據(jù)悉,功率只有3瓦; 但是有著每分鐘4500
    的頭像 發(fā)表于 08-06 14:47 ?1078次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?973次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1127次閱讀

    派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品

    3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術(shù)展覽會圓滿落幕,本次會上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:10 ?1640次閱讀

    中國碳14核電池研制成功

    由無錫貝塔醫(yī)藥科技有限公司聯(lián)合西北師范大學科研團隊研制國內(nèi)C-14核電池“燭龍一號”工程樣機的誕生這意味著我國
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:08 ?1239次閱讀

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?674次閱讀

    碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

    隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
    的頭像 發(fā)表于 02-25 13:50 ?1447次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特性和應(yīng)用

    國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?869次閱讀
    <b class='flag-5'>國內(nèi)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    中國成功太空驗證第三代半導體材料功率器件

    近日,中國在太空成功驗證國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:30 ?1213次閱讀

    國產(chǎn)!成功驗證

    來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素
    的頭像 發(fā)表于 02-05 10:56 ?472次閱讀

    碳化硅功率器件的散熱方法

    碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:22 ?1163次閱讀

    碳化硅在半導體中的作用

    電導率、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅在半導體
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2390次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
    發(fā)表于 01-04 12:37