正性光刻對掩膜版的要求主要包括以下幾個方面：
基板材料：掩膜版的基板材料需要具有良好的透光性、穩(wěn)定性以及表面平整度。石英是常用的基板材料，因為它具有較低的熱膨脹系數(shù)，能夠在溫度變化時保持尺寸穩(wěn)定。
遮光膜：遮光膜是掩膜版上的關鍵組成部分，用于定義圖案的邊界。硬質遮光膜材料通常包括鉻、硅、硅化鉬、氧化鐵等。鉻因其機械強度高且能形成細微圖形，成為硬質遮光膜的主流材料。
分辨率：掩膜版需要具備足夠的分辨率，以便能夠準確地轉移精細的圖案到光刻膠上。分辨率受到光刻膠、曝光光源和掩膜版本身等多種因素的影響。
套刻精度：套刻精度是指不同層圖案之間的對準精度。對于正性光刻而言，掩膜版上的圖案需要與硅片上的已有圖案精確對齊，以確保多層結構的正確構建。
關鍵尺寸（CD）控制：關鍵尺寸是指圖案中最窄線寬或空間的尺寸。在正性光刻中，掩膜版需要能夠精確控制這些關鍵尺寸，以滿足設計規(guī)格的要求。
綜上所述，正性光刻對掩膜版的要求涉及材料選擇、圖案定義、分辨率、套刻精度和關鍵尺寸控制等多個方面。這些要求共同確保了光刻過程的準確性、重復性和最終產(chǎn)品的質量。
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審核編輯 黃宇