描述

LMG341xR070 GaN功率級(jí)集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。 LMG341x相對(duì)于硅MOSFET的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容，零反向恢復(fù)，可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80％，以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴以降低EMI。這些優(yōu)勢(shì)可實(shí)現(xiàn)密集且高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如圖騰柱PFC。

LMG341xR070通過(guò)集成一系列獨(dú)特功能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，最大限度地提高可靠性并優(yōu)化性能，為傳統(tǒng)共源共柵GaN和獨(dú)立GaN FET提供了智能替代方案。任何電源。集成門(mén)驅(qū)動(dòng)器可實(shí)現(xiàn)100V /ns切換，并且零Vds振鈴，<100 ns電流限制可自我保護(hù)，防止意外射擊，過(guò)溫關(guān)閉可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控功能。

特性

• TI GaN工藝通過(guò)加速可靠性應(yīng)用硬切換任務(wù)配置文件進(jìn)行認(rèn)證
• 實(shí)現(xiàn)高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)< ul>
• 在共源共柵或獨(dú)立GaN FET上具有出色的系統(tǒng)性能
• 低電感8mm x 8mm QFN封裝，易于設(shè)計(jì)和布局
• 可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)性能和EMIControl
• 數(shù)字故障狀態(tài)OutputSignal
• 僅+12 V未調(diào)節(jié)SupplyNeeded

集成門(mén)驅(qū)動(dòng)器

• 零公共源電感
• 20 ns MHz操作的傳播延遲
• 可靠性的工藝調(diào)諧柵極偏置電壓
• 25至100V /ns用戶可調(diào)節(jié)斜率

強(qiáng)健保護(hù)

• 不需要外部保護(hù)組件
• 過(guò)度保護(hù)<100ns響應(yīng)
• ＆gt ; 150V /ns漏電率抗擾度
• 瞬態(tài)過(guò)電壓免疫
• 過(guò)溫保護(hù)
• 所有SupplyRails上的UVLO保護(hù)

Device Options

:

• LMG3410R070

  : LatchedOvercurrent Protection

• LMG3411R070

  :Cycle-by-cycle Overcurrent Protection

All trademarks are the property of their respective owners.

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?GaN FET功率級(jí)

? Prop delay (ns) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? LMG3410R070 LMG3410R050 LMG3411R070 LMG5200 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 29.5 ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? VQFN | 32 ? ? VQFN | 32 ? ? VQFN | 32 ? ? QFM | 9 ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? See datasheet (QFM) ? ? 無(wú)樣片

方框圖

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  LMG3410R070 - 功能方框圖