方案簡(jiǎn)介
KEY按鍵是電子設(shè)備中常見的輸入設(shè)備之一,其原理簡(jiǎn)單,常見于許多應(yīng)用,包括手機(jī)、汽車和人機(jī)界面 (HMD)。KEY按鍵通常由按鍵帽、彈簧、觸點(diǎn)等部分組成。當(dāng)按鍵被按下時(shí),按鍵帽推動(dòng)彈簧使觸點(diǎn)閉合,從而改變電路中的電平狀態(tài)(通常是從高電平變?yōu)榈碗娖剑@個(gè)電平變化被微控制器或其他電路檢測(cè)并轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的操作指令。
KEY按鍵的應(yīng)用場(chǎng)景具備大面積接觸區(qū)域,為 ESD 進(jìn)入系統(tǒng)提供低阻抗路徑,面臨著靜電放電(ESD)的潛在威脅。由于按鈕在人機(jī)交互中的核心作用,集成ESD保護(hù)二極管于系統(tǒng)中顯得尤為重要,能有效避免下游電路受瞬態(tài)電壓的侵害。為確保系統(tǒng)整體對(duì)ESD沖擊的抵御能力,在挑選適宜的ESD保護(hù)二極管時(shí),必須細(xì)致考量按鈕接口的獨(dú)特屬性與需求。
KEY ESD保護(hù)要求
在為KEY按鍵選擇ESD保護(hù)器件時(shí)我們需要考慮如下要求:
工作電壓
保護(hù)二極管的反向工作電壓 (VRWM)必須大于受保護(hù)系統(tǒng)的工作電壓。
極性
可以使用一個(gè)單向或雙向二極管來保護(hù)系統(tǒng)。當(dāng)線路上只有正電壓時(shí),建議使用單向二極管。單向二極管還會(huì)鉗位在較低電壓以應(yīng)對(duì)負(fù) ESD 沖擊,當(dāng)應(yīng)用對(duì)負(fù)電壓沖擊的耐受性較低時(shí),這是一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。當(dāng)存在正電壓或負(fù)電壓時(shí),建議使用雙向二極管。
鉗位電壓
可能有許多不同的系統(tǒng)在使用一個(gè)按鈕或鍵盤。這導(dǎo)致 ESD 二極管的鉗位電壓取決于按鈕的下游電路。
按鈕通常位于低速和低電壓的數(shù)據(jù)線上,信號(hào)速度較低,因此在選擇 ESD 保護(hù)器件時(shí),推薦使用常規(guī)電容的器件。
IEC 61000-4-2 等級(jí)
IEC 61000-4-2 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)定義了實(shí)際的 ESD 沖擊。該標(biāo)準(zhǔn)包含兩項(xiàng)測(cè)量:接觸放電和空氣間隙放電。接觸和空氣間隙等級(jí)越高,器件能夠承受的電壓就越高。對(duì)于按鈕、鍵盤和側(cè)鍵,建議觸點(diǎn)采用最低 IEC61000-4-2 等級(jí),即 8kV。由于空氣間隙放電是按鈕上更為突出的 ESD 形式,因此建議使用 15kV 或更高的 IEC 61000-4-2 等級(jí)。
應(yīng)用示例
我們?yōu)镵EY按鍵推薦了三款常規(guī)電容ESD防護(hù)器件,型號(hào)分別為SENC5D5V1BA、SENC2F5V1BA和SENC2X5V1BA。三款器件都為單通道雙向保護(hù)器件,一個(gè)ESD器件可以對(duì)單條線路進(jìn)行靜電防護(hù)??蛻艨筛鶕?jù)線路情況進(jìn)行選擇。
SENC5D5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為8.5V,結(jié)電容為15pF,SOD-523封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規(guī)范,在 ±25kV(空氣)和 ±25kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。
SENC2F5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為10V,結(jié)電容為10pF,DFN1006-2L封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規(guī)范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。
SENC2X5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為10V,結(jié)電容為12pF,DNF0603-2L封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規(guī)范,在 ±25kV(空氣)和 ±25kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。
型號(hào)參數(shù)
規(guī)格型號(hào) | 方向 | 工作電壓(V) | IPP(A) | 鉗位電壓(V) | 結(jié)電容(pF) | 封裝 |
SENC5D5V1BA | Bi | 5 | 8 | 8.5 | 15 | SOD-523 |
SENC2F5V1BA | Bi | 5 | 6 | 10 | 10 | DFN1006-2L |
SENC2X5V1BA | Bi | 5 | 10 | 10 | 12 | DNF0603-2L |
電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 5.8 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 7.0 | 8.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=8A; tp=8/20us | 8.5 | 10.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to I/O; VR=0V; f=1MHz | 15 | 20 | pF |
表1 SENC5D5V1BA電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 5.6 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 8.0 | 10.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=6A; tp=8/20us | 10.0 | 12.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 10 | 15 | pF |
表2 SENC2F5V1BA電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 5.6 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 8.0 | 10.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=10A; tp=8/20us | 10.0 | 12.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 12 | 20 | pF |
表3 SENC2X5V1BA電氣特性表
總結(jié)與結(jié)論
KEY按鍵在生活和生產(chǎn)中應(yīng)用廣泛,其靜電保護(hù)能力也對(duì)后續(xù)電路的穩(wěn)定性十分重要。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD和TVS保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口及通信線路提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)KEY按鍵電路的優(yōu)選之策,確保電路系統(tǒng)的有序與穩(wěn)定。
審核編輯 黃宇
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