概述

DS1972是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，采用堅(jiān)固的iButton封裝，每個(gè)內(nèi)存頁(yè)面有256位。數(shù)據(jù)寫入8字節(jié)的暫存區(qū)，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證后，再?gòu)?fù)制到EEPROM內(nèi)存。四個(gè)內(nèi)存頁(yè)面可以單獨(dú)設(shè)置寫保護(hù)或進(jìn)入EPROM仿真模式，其中位只能從1更改為0狀態(tài)。DS1972通過(guò)單導(dǎo)線1-Wire總線進(jìn)行通信，遵循標(biāo)準(zhǔn)1-Wire協(xié)議。每個(gè)設(shè)備都有自己不可改變的64位ROM注冊(cè)號(hào)，確保了無(wú)差錯(cuò)的設(shè)備選擇和絕對(duì)的可追溯性。內(nèi)置多點(diǎn)控制器用于1-Wire網(wǎng)絡(luò)，芯片存在檢測(cè)器在讀取器首次施加電壓時(shí)確認(rèn)。
數(shù)據(jù)表：*附件：DS1972 1024位EEPROM技術(shù)手冊(cè).pdf
特性

• 1024位EEPROM存儲(chǔ)器，分成四個(gè)頁(yè)面，每頁(yè)256位
• 獨(dú)立的存儲(chǔ)頁(yè)面，可以被永久寫保護(hù)或進(jìn)入EPROM仿真模式(“改寫為0”)
• 切換點(diǎn)滯回與濾波可以優(yōu)化噪聲指標(biāo)
• IEC 1000-4-2 4級(jí)ESD保護(hù)(±8kV接觸放電、±15kV氣隙放電模式)
• -40°C至+85°C溫度范圍內(nèi)，可在2.8V至5.25V工作電壓下進(jìn)行讀、寫操作
• 按照1-Wire協(xié)議，以15.4kbps或125kbps速率通過(guò)一條數(shù)字信號(hào)線與主機(jī)通信

電氣特性

DS1972在堅(jiān)周的iButton封裝中結(jié)合了1024位EEPROM、8字節(jié)寄存器/控制頁(yè)(最多7個(gè)用戶讀/寫字節(jié)）和功能齊全的1-Wire接口。每個(gè)DS1972都有自己的64位ROM注冊(cè)號(hào)，該注冊(cè)號(hào)在工廠激光打印到芯片中，以提供有保證的唯一身份，實(shí)現(xiàn)絕對(duì)可追溯性。數(shù)據(jù)通過(guò)1-Wire協(xié)議串行傳輸，該協(xié)議只需要一個(gè)數(shù)據(jù)觸點(diǎn)和一個(gè)接地回路。DS1972有一個(gè)額外的存儲(chǔ)區(qū)域，稱為暫存區(qū)，在寫入主存儲(chǔ)器或寄存器頁(yè)時(shí)用作緩沖區(qū)。數(shù)據(jù)首先被寫入草稿行，然后可以從草稿行中讀回。驗(yàn)證數(shù)據(jù)后，Copy Scratchpad命令將數(shù)據(jù)傳輸?shù)狡渥罱K存儲(chǔ)位置。DS1972的應(yīng)用包括門禁/停車計(jì)時(shí)器、在制品跟蹤、工具管理、庫(kù)存控制和維護(hù)/檢查數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

概述圖1中的框圖顯示了DS1972的主要控制和存儲(chǔ)部分之間的關(guān)系。DS1972有四個(gè)主要的數(shù)據(jù)組件：64位激光ROM、64位暫存區(qū)、四個(gè)32字節(jié)的BEPROM頁(yè)和一個(gè)64位寄存器頁(yè)。1-Wire協(xié)議的層次結(jié)構(gòu)如圖2所示?？偩€主控必須首先提供七個(gè)ROM功能命令之一：讀取ROM、匹配ROM、搜索ROM、跳過(guò)ROM、恢復(fù)、超速檔跳過(guò)ROM或超速檔匹配ROM