近期，多家客戶接連發(fā)生國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體質(zhì)量問(wèn)題，嚴(yán)重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，從國(guó)產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問(wèn)題頻發(fā)的行業(yè)現(xiàn)象不難看出要可持續(xù)發(fā)展必須以器件質(zhì)量為生命線，國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）行業(yè)的器件質(zhì)量之所以成為生命線，核心在于其直接決定了產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性和市場(chǎng)信任度。以下從技術(shù)、行業(yè)現(xiàn)象及后果三個(gè)層面進(jìn)行深度剖析：

1. 器件質(zhì)量是國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)生命線的技術(shù)邏輯

柵氧可靠性是關(guān)鍵短板：
SiC MOSFET的柵氧化層（如SiO?）在高電場(chǎng)、高溫下易發(fā)生經(jīng)時(shí)擊穿（TDDB）和閾值電壓漂移，直接影響器件壽命。附件中基本半導(dǎo)體的HTGB和TDDB實(shí)驗(yàn)表明，柵氧厚度和電場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)計(jì)是可靠性的核心因素。例如，其產(chǎn)品通過(guò)優(yōu)化柵氧厚度（如50nm）并控制工作電場(chǎng)（<4MV/cm），確保在極端條件下（如175℃、22V）通過(guò)3000小時(shí)測(cè)試，而部分競(jìng)品為降低成本減薄柵氧，導(dǎo)致壽命大幅度縮短，無(wú)法滿足長(zhǎng)期應(yīng)用需求。

加速實(shí)驗(yàn)揭示質(zhì)量差異：
基本半導(dǎo)體通過(guò)加速可靠性測(cè)試（如高溫柵偏、溫度循環(huán)）模擬長(zhǎng)期工況，提前暴露潛在失效模式（如氧化層擊穿、空穴注入缺陷），并通過(guò)模型（E模型、1/E模型）精準(zhǔn)預(yù)測(cè)壽命。而部分廠商因技術(shù)積累不足或質(zhì)量控制缺失，無(wú)法通過(guò)同等嚴(yán)苛測(cè)試，導(dǎo)致終端問(wèn)題頻發(fā)。

2. 以碳化硅功率器件品質(zhì)為生命線的SiC企業(yè)（比如BASiC基本股份）脫穎而出的根本原因

技術(shù)理念差異：
BASiC基本半導(dǎo)體堅(jiān)持**“犧牲成本保證高可靠性”**，通過(guò)嚴(yán)格的柵氧設(shè)計(jì)、材料優(yōu)化和全流程測(cè)試（如HTGB+、HTGB-、TDDB）確保產(chǎn)品壽命。例如，其B2M器件在22V、175℃下通過(guò)3000小時(shí)HTGB測(cè)試，推算實(shí)際工況（18V、100℃）壽命超過(guò)72萬(wàn)小時(shí)，遠(yuǎn)超競(jìng)品。

質(zhì)量體系支撐：
可靠性測(cè)試（如HTRB、HV-H3TRB）均對(duì)標(biāo)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（JEDEC、MIL-STD），覆蓋早期失效、偶發(fā)失效和耗損失效階段，形成系統(tǒng)性質(zhì)量保障。而部分廠商為壓縮成本，簡(jiǎn)化測(cè)試流程或降低標(biāo)準(zhǔn)（如跳過(guò)TDDB驗(yàn)證），導(dǎo)致產(chǎn)品在終端高應(yīng)力場(chǎng)景中失效。

3. 國(guó)產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問(wèn)題頻發(fā)的行業(yè)現(xiàn)象

短期利益導(dǎo)向：
部分急功近利的國(guó)產(chǎn)SiC功率器件企業(yè)為搶占市場(chǎng)，在工藝條件受限的情況，一味追求比導(dǎo)通電阻參數(shù)的宣傳噱頭，通過(guò)減薄柵氧厚度、縮小芯片面積降低比導(dǎo)通電阻，忽視了器件最核心的質(zhì)量，用比導(dǎo)通電阻參數(shù)的宣傳噱頭來(lái)蒙蔽終端客戶和投資者，犧牲了長(zhǎng)期可靠性，不但會(huì)對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)產(chǎn)生劣幣效應(yīng)，更有可能導(dǎo)致客戶對(duì)國(guó)產(chǎn)器件信心的喪失。例如，不少國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在19V HTGB 1000小時(shí)測(cè)試中失效，暴露其設(shè)計(jì)缺陷。

技術(shù)積累不足：
柵氧可靠性涉及材料科學(xué)、工藝控制和失效模型的深度理解，部分廠商缺乏對(duì)TDDB失效機(jī)制（如熱化學(xué)模型、陽(yáng)極空穴注入模型）的掌握，導(dǎo)致設(shè)計(jì)優(yōu)化方向錯(cuò)誤。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行不嚴(yán)：
附件中基本半導(dǎo)體的測(cè)試均嚴(yán)格遵循JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，而部分廠商可能簡(jiǎn)化實(shí)驗(yàn)條件（如縮短測(cè)試時(shí)間、減少樣本量），掩蓋潛在風(fēng)險(xiǎn)。

4. 行業(yè)現(xiàn)象反映的問(wèn)題與后果

現(xiàn)象本質(zhì)：
國(guó)產(chǎn)SiC行業(yè)呈現(xiàn)**“質(zhì)量分層”**，頭部企業(yè)比如BASiC基本股份等通過(guò)技術(shù)深耕建立壁壘，而部分中小廠商陷入“低成本-低質(zhì)量-市場(chǎng)流失”的惡性循環(huán)，導(dǎo)致行業(yè)整體信譽(yù)受損。

潛在后果：

市場(chǎng)信任危機(jī)：終端客戶（如新能源汽車、光伏逆變器廠商）因質(zhì)量問(wèn)題轉(zhuǎn)向進(jìn)口品牌，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程受阻。

技術(shù)升級(jí)停滯：低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)擠壓研發(fā)投入，行業(yè)難以突破高端應(yīng)用。

安全風(fēng)險(xiǎn)加劇：SiC器件廣泛應(yīng)用于高可靠性領(lǐng)域，若因柵氧擊穿引發(fā)系統(tǒng)故障，可能導(dǎo)致嚴(yán)重安全事故與法律糾紛。

結(jié)論

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)若想突破“低端內(nèi)卷”困境，需以器件質(zhì)量為核心生命線，頭部企業(yè)如基本半導(dǎo)體的成功印證了“技術(shù)為本、質(zhì)量為先”的路徑正確性。行業(yè)亟需建立統(tǒng)一的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、加強(qiáng)技術(shù)協(xié)同，避免短期逐利行為損害長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力。唯有如此，國(guó)產(chǎn)SiC才能真正實(shí)現(xiàn)從“替代者”到“引領(lǐng)者”的跨越。

審核編輯 黃宇