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國星光電MIP技術引領顯示市場新突破

國星光電 ? 來源:國星光電 ? 2025-03-10 14:15 ? 次閱讀
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隨著Micro LED技術逐步突破量產(chǎn)瓶頸,MIP憑借其低成本、高兼容性、強穩(wěn)定性等優(yōu)勢,成為微小間距LED顯示領域的核心變量。

據(jù)研究機構與行家說預測,至2028年,中國大陸MLED直顯市場中MIP封裝技術銷售額占比將達35%;2025年MIP封裝總產(chǎn)能或達10000kk/月,成本降幅超50%,MIP技術方案邁入規(guī)?;瘧迷?。

近日,國星光電應邀出席2025年行家說開年盛會,并發(fā)表《MIP引領顯示市場新突破》主題演講,圍繞LED顯示屏及MLED技術的未來藍圖,分享公司在MIP技術領域的最新研發(fā)成果與戰(zhàn)略布局。

國星光電是最早布局MIP系列產(chǎn)品的封裝企業(yè)之一,2024年重點開發(fā)了MIP-IMD系列和MIP-CHIP系列兩大MIP產(chǎn)品線,產(chǎn)品適用間距涵蓋P0.6-P2.6,滿足固裝、租賃等不同應用領域需求。

MIP技術革新,驅(qū)動顯示場景突破

國星光電的MIP器件依托超薄封裝工藝與100%分測嚴選,具備高亮度、高對比度、出光一致性好及可靠性強等性能優(yōu)勢。通過動態(tài)像素優(yōu)化及IMD集成化設計,其應用間距已全面覆蓋P0.4-P3微顯示場景,成功拓展至虛擬拍攝、高端商業(yè)顯示等前沿領域,加速推動傳統(tǒng)SMD產(chǎn)品迭代,為超高清顯示產(chǎn)業(yè)化落地提供核心支撐。

MIP面板化,技術融合重塑行業(yè)標準

進入MIP發(fā)展上量元年,國星光電積極推進MIP系列產(chǎn)品創(chuàng)新開發(fā),深入解決微小間距的顯示挑戰(zhàn),提出了MIP+GOB的突破解決方案,通過兩大技術融合實現(xiàn)行業(yè)級創(chuàng)新。

突破一

畫質(zhì)領先

基于全流程嚴選分測的MIP器件,搭載GOB封裝技術協(xié)同優(yōu)化,實現(xiàn)顯示對比度更加均勻、顏色一致性更佳。

突破二

亮度優(yōu)勢

采用全倒裝共陰/共陽MIP定制化方案,搭配GOB光效無損封裝工藝,亮度輸出效率同比大幅提升。

突破三

外觀、顯示一致性

GOB技術強化屏體表面平整度,提升整體屏體外觀效果;結合MIP全倒裝芯片無焊線遮擋設計,減少顆粒感,可視角度提升。

突破四

二重保護

MIP+GOB復合型防護設計,有效實現(xiàn)防水、防潮、防撞、防塵、防腐蝕、防藍光、防鹽、防靜電八大防護,防磕碰性能優(yōu)秀,可靠性更優(yōu)。

國星光電啟動吉利產(chǎn)業(yè)園擴產(chǎn)項目,大規(guī)模布局RGB小間距、Mini LED、TOP/CHIP LED等高端顯示器件產(chǎn)線,將進一步鞏固高清顯示領域核心競爭力,加速產(chǎn)品迭代與工藝升級,全面承接新興顯示以及Micro LED顯示紅海的到來。

國星光電不斷探索新興市場、追求技術創(chuàng)新,持續(xù)推動新型顯示技術的研發(fā)與應用。未來,國星光電將持續(xù)賦能微小間距顯示領域的發(fā)展,充分發(fā)揮MIP+GOB的技術優(yōu)勢,實現(xiàn)新一輪顯示場景的突破,助力全球顯示產(chǎn)業(yè)邁向“更清晰”的新紀元。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:2025行家說開年盛會:國星光電領銜MIP技術革新,開啟顯示新紀元

文章出處:【微信號:nationstar_com,微信公眾號:國星光電】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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