概述
HMC1114是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在帶寬范圍為2.7 GHz至3.8 GHz時(shí)提供10 W功率，PAE超過(guò)50 %。 HMC1114提供±0.5 dB的增益平坦度。
HMC1114非常適合脈沖或連續(xù)波(CW)應(yīng)用，如無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)、公共移動(dòng)無(wú)線電和通用放大。
HMC1114采用緊湊型LFCSP封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC1114 10W GaN功率放大器，2.7GHz至3.8GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 延長(zhǎng)公共移動(dòng)無(wú)線電的電池工作壽命
• 針對(duì)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的功率放大器級(jí)
• 測(cè)試與測(cè)量設(shè)備
• 商用和軍事雷達(dá)
• 通用發(fā)送器放大

特性

• 高飽和輸出功率(PSAT)： 41.5 dBm
• 高小信號(hào)增益： 35 dB
• 高大信號(hào)增益： 25.5 dB
• 帶寬： 2.7 GHz至3.8 GHz
• 高功率附加效率（PAE）： 54%
• 高輸出IP3： 44 dBm
• 電源電壓： VDD = 28 V (150 mA)
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV封裝

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

HMC1114是一款10 W氮化鎵(GaN)功率放大器，由兩個(gè)串聯(lián)增益級(jí)組成，放大器的基本框圖如圖40所示。

推薦的直流偏置條件使器件處于深度AB類工作模式，從而產(chǎn)生高Psur(典型值為41.5 dBm)和改善的PAE水平(典型值為54%)。施加于Vooi和Voo焊盤(pán)的電壓設(shè)置場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)的柵極偏置，從而控制漏極電流。因此，Vooi和Voo焊盤(pán)需要施加偏置電壓，而不是可選的。