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燦芯半導(dǎo)體推出第二代DDR低功耗物理層IP

電子工程師 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:龔婷 ? 2018-03-17 10:43 ? 次閱讀
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近日,國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片(ASIC)設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”)對(duì)外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP,該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%,功耗減少37%,物理實(shí)現(xiàn)時(shí)間減少50%。

第二代DDR低功耗物理層IP采用先進(jìn)的雙排IO結(jié)構(gòu),并采用了多項(xiàng)邏輯和物理的優(yōu)化手段,延遲線面積減少20%,減少了每個(gè)DQ/DQS的時(shí)延誤差, 消除了之前物理實(shí)現(xiàn)的蛇形走線及每個(gè)DQ上不同數(shù)目的或者不同推力的緩沖器等問(wèn)題,進(jìn)而提高了硅利用率,提高了DDR的速度,并且減少了功耗。

第二代DDR低功耗物理層IP具有如下特性:

■ 基于SMIC 40LL工藝

■ 支持DDR3/3L/3U/LPDDR3 1333Mbps,DDR2/LPDDR2 1066Mbps

■ 支持PHY evaluation training或者 software training模式

■ 支持RD DQS下降沿training模式

■ 支持AHB/APB3.0寄存器接口

“燦芯半導(dǎo)體具有10年的芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和豐富的DDR IP技術(shù)積累,燦芯的YouPHY-DDR IP覆蓋SMIC28HKMG、SMIC 40LL、SMIC 55LL、130nm等工藝, 20多顆含有燦芯DDR IP的芯片成功流片,涉及DTV、AP 、導(dǎo)航、SSD及NVDIMM等諸多應(yīng)用領(lǐng)域,得到客戶的充分肯定,”燦芯半導(dǎo)體首席技術(shù)官莊志青說(shuō),“我們將不斷進(jìn)行架構(gòu)創(chuàng)新,提高服務(wù)質(zhì)量,改進(jìn)實(shí)現(xiàn)流程,從而為客戶提供更有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案?!?/p>

據(jù)了解,燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司,是一家國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片(ASIC)設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商,定位于55nm/40nm/28nm以下的高端系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)服務(wù)與一站式交鑰匙(Turn-Key)服務(wù)。燦芯半導(dǎo)體為客戶提供從源代碼或網(wǎng)表到芯片成品的一站式服務(wù),并致力于為客戶復(fù)雜的ASIC設(shè)計(jì)提供一個(gè)高性價(jià)比、低風(fēng)險(xiǎn)的完整的芯片整體解決方案。

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原文標(biāo)題:業(yè)界領(lǐng)先:燦芯半導(dǎo)體推出第二代DDR低功耗物理層IP

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