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TPS59603-Q1 用于汽車應用中高頻 CPU 內(nèi)核電源的同步降壓 FET 驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-03-21 10:49 ? 次閱讀
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TPS59603-Q1 驅(qū)動器針對高頻 CPU V 進行了優(yōu)化核心應用。減少死區(qū)時間驅(qū)動和自動過零等高級功能用于優(yōu)化整個負載范圍內(nèi)的效率。

SKIP 引腳提供 CCM作選項,以支持輸出電壓的受控管理。此外,TPS59603-Q1 支持兩種低功耗模式。當 PWM 輸入處于三態(tài)時,靜態(tài)電流降低到 130 μA,并立即響應。當 SKIP 保持在三態(tài)時,電流降低到 8 μA(通常需要 20 μs 才能恢復開關)。這些驅(qū)動器與適當?shù)?TI 控制器配合使用,可提供超高性能的電源系統(tǒng)。
*附件:TPS59603-Q1 用于汽車應用中高頻 CPU 內(nèi)核電源的同步降壓 FET 驅(qū)動器數(shù)據(jù)表.pdf

TPS59603-Q1 器件采用節(jié)省空間的熱增強型 8 引腳、2mm x 2mm 可濕性側(cè)面 WSON 封裝,工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用
    • 器件溫度等級 1:–40°C 至 125°C
    • 設備 人體模型 ESD 分類等級 H2
    • 器件 帶電器件型號 ESD 分類等級 C3B
  • 降低死區(qū)時間驅(qū)動電路,優(yōu)化 CCM
  • 自動過零檢測,優(yōu)化 DCM 效率
  • 多種低功耗模式,優(yōu)化輕負載效率
  • 針對高頻作優(yōu)化的信號路徑延遲
  • 集成 BST 開關驅(qū)動強度針對低 RdsON FET 進行了優(yōu)化
  • 針對 5V FET 驅(qū)動進行了優(yōu)化
  • 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍 (V ):2.5 至 28 V
  • 2mm × 2mm、8 引腳、WSON 導熱墊封裝,帶可潤濕側(cè)面

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS59603-Q1 是一款專為汽車應用中高頻 CPU 內(nèi)核電源設計的同步降壓 FET 驅(qū)動器。它優(yōu)化了連續(xù)導通模式(CCM)和斷續(xù)導通模式(DCM)下的效率,并提供了多種低功耗模式以優(yōu)化輕負載效率。

2. 主要特性

  • ?AEC-Q100 認證?:適用于汽車應用,溫度等級為 -40°C 至 125°C。
  • ?優(yōu)化死區(qū)時間驅(qū)動電路?:提高 CCM 下的效率。
  • ?自動零交叉檢測?:優(yōu)化 DCM 下的效率。
  • ?多種低功耗模式?:支持 PWM 和 SKIP 引腳的三態(tài)操作,降低靜態(tài)電流。
  • ?集成 BST 開關?:驅(qū)動強度優(yōu)化,適用于低 RDS(ON) FET。
  • ?寬輸入電壓范圍?:2.5V 至 28V。
  • ?小型封裝?:2mm × 2mm 8引腳 WSON 封裝,帶濕側(cè)翼。

3. 應用領域

  • ?汽車后座娛樂(RSE)平板電腦?:使用高頻 CPU 的場景。
  • ?汽車 ADAS 處理器內(nèi)核電源?。

4. 電氣特性

  • ?工作結(jié)溫范圍?:-40°C 至 125°C。
  • ?輸入電壓范圍?:VDD 為 4.5V 至 5.5V(推薦 5V)。
  • ?低靜態(tài)電流?:PWM 引腳三態(tài)時,靜態(tài)電流為 130μA;SKIP 引腳三態(tài)時,靜態(tài)電流為 8μA(典型值)。
  • ?快速響應?:PWM 和 SKIP 引腳從三態(tài)恢復后,切換響應時間小于 50μs。

5. 功能描述

  • ?UVLO 保護?:當 VDD 電壓低于 UVLO 閾值時,禁用驅(qū)動器并將 DRVH 和 DRVL 輸出置為低電平。
  • ?PWM 引腳三態(tài)功能?:PWM 引腳進入三態(tài)時,驅(qū)動器進入低功耗狀態(tài),輸出置為低電平。
  • ?SKIP 引腳功能?:控制轉(zhuǎn)換器在 CCM 和 DCM 之間切換,SKIP 引腳三態(tài)時進入極低功耗狀態(tài)。
  • ?自適應死區(qū)時間控制?:減少 MOSFET二極管導通時間和恢復損耗。
  • ?集成 BST 開關?:使用 FET 替代傳統(tǒng)二極管,降低高側(cè) FET 的導通損耗。

6. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:8引腳 WSON 封裝,帶濕側(cè)翼。
  • ?尺寸?:2mm × 2mm。

7. 布局指南

  • ?驅(qū)動器位置?:應盡可能靠近 MOSFET。
  • ?電容位置?:VDD 和自舉電容應盡可能靠近驅(qū)動器。
  • ?地線處理?:使用封裝的熱焊盤作為 GND,直接連接到 MOSFET 的源極。
  • ?走線寬度?:DRVH 和 DRVL 走線寬度建議為 80 至 100 密耳。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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