原理

高壓MOSFET管通過柵極與源極之間的電場控制漏極與源極之間的電流，實現(xiàn)高效功率開關(guān)功能。其核心原理在于柵極電壓的變化會改變溝道中的電子分布，從而控制電流的通斷。當柵極施加正電壓時，MOSFET進入導通狀態(tài)，電流從漏極流向源極;而當柵極電壓為零或負電壓時，MOSFET進入截止狀態(tài)，阻斷電流流動。這種特性使得高壓MOSFET管成為電源、逆變器和電機驅(qū)動等應(yīng)用中的關(guān)鍵器件。

產(chǎn)品特性

合科泰推出的7N60(600V耐壓)和7N65(650V耐壓)高壓MOSFET管性能卓越，兼具高耐壓、低導通電阻和高效散熱等優(yōu)勢。它們具備出色的高電流承載能力和快速開關(guān)特性，特別適用于高頻逆變器、工業(yè)電源和電機驅(qū)動等應(yīng)用。其電學特性表現(xiàn)優(yōu)異，包括：

漏源電壓(VDSS)：600V(7N60) / 650V(7N65);

連續(xù)漏極電流(ID)：7A，支持大電流負載;

導通電阻(RDS(on))：低至1.08Ω(7N65)，顯著降低導通損耗;

柵極閾值電壓(VGS(th))：2-4V，兼容低壓驅(qū)動電路。

7N60/7N65產(chǎn)品采用TO-252封裝，這是一種高效、緊湊的表面貼裝形式。TO-252封裝的產(chǎn)品具有小尺寸、高穩(wěn)定性和優(yōu)異散熱性能，特別適合在空間有限的電路中使用。TO-252封裝的高壓MOSFET管具有非常好的高頻特性，如低寄生電容、低開關(guān)損耗和低熱阻等。產(chǎn)品設(shè)計緊湊，散熱優(yōu)良，適用于高頻、高功率的應(yīng)用場景。

TO-252封裝7N60/7N65推薦

7N60/7N65具有出色的穩(wěn)定性和高效的工作性能，應(yīng)用范圍廣泛。在電源適配器、工業(yè)電源模塊、光伏逆變器、電機驅(qū)動器、車載充電器(OBC)等產(chǎn)品中，均可見到它們的身影。它們可以與電阻、電容、電感等元器件合理搭配，構(gòu)成不同功能的電路，實現(xiàn)對電源的高效開關(guān)控制、對電機的精準驅(qū)動以及對能量的高效轉(zhuǎn)換。

總之，7N60/7N65高壓MOSFET管以其高耐壓、低損耗、高效散熱等特性，成為工業(yè)與新能源領(lǐng)域的可靠選擇。無論是工業(yè)電源、新能源設(shè)備還是智能控制系統(tǒng)，它們都能提供穩(wěn)定可靠的性能支持，助力客戶實現(xiàn)高效、節(jié)能的解決方案。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。

產(chǎn)品包括：

1、半導體封裝材料;

2、被動元件，主要有：電阻、電容、電感;

3、半導體分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他集成電路等。

合科泰設(shè)有兩個智能生產(chǎn)制造中心：

1、中國華南地區(qū)的制造中心，位于惠州市博羅縣的合科泰科技智能制造園區(qū)，建筑面積75000㎡，擁有先進設(shè)備及檢測儀器1000多臺，在當?shù)嘏涮准瘓F物流配送中心，而東莞塘廈生產(chǎn)中心為目前生產(chǎn)基地;

2、中國西南地區(qū)的制造中心，位于四川省南充市順慶區(qū)科創(chuàng)中心，廠房面積35000㎡，擁有先進設(shè)備和檢測儀器儀表約2000臺;

2024年合科泰全面拓寬產(chǎn)品線，在四川南充成立三家子公司，分別是順芯半導體、南充安昊、南充晶科，主要負責研發(fā)生產(chǎn)半導體封裝材料;產(chǎn)品線拓寬后將最大程度滿足客戶需求。

合科泰堅持客戶至上、品質(zhì)第一、創(chuàng)新驅(qū)動、以人為本的經(jīng)營方針，為客戶提供一站式應(yīng)用解決方案服務(wù)。同時合科泰提供半導體芯片和分立器件封裝測試OEM代工等綜合性業(yè)務(wù)。 合科泰在集成電路設(shè)計、芯片測試、分立器件工藝設(shè)計、可靠性實驗等方面積累了豐富核心技術(shù)儲備，擁有國家發(fā)明專利、實用新型專利等100多項。 合科泰通過了ISO9001、ISO14001、IATF16949體系認證。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源、照明、醫(yī)療電子、小家電、通信、安防儀器、工控、汽車電子等領(lǐng)域。