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格芯擴(kuò)展硅光子路線圖,滿足對(duì)數(shù)據(jù)中心連接的爆炸式增長(zhǎng)需求

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-03-21 14:54 ? 次閱讀
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光子集成技術(shù)有助于提升新一代光學(xué)互連的帶寬和能效。

美國(guó)加利福尼亞圣克拉拉,(2018 年 3月 14日)—— 今天,格芯揭示硅光子路線圖的新信息,推動(dòng)數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用的新一代光學(xué)互連。格芯已經(jīng)用300 mm晶圓認(rèn)證了行業(yè)首個(gè)90 nm制造工藝,同時(shí)宣布未來(lái)的45 nm技術(shù)將帶來(lái)更大的帶寬和能效。

格芯的硅光子技術(shù)旨在應(yīng)對(duì)全球通信基礎(chǔ)設(shè)施中的大規(guī)模數(shù)據(jù)增長(zhǎng)。不同于利用銅線電信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)互連,硅光子技術(shù)使用光纖光脈沖,以更高的速度在更遠(yuǎn)距離上傳輸數(shù)據(jù)并降低能耗。

“帶寬需求呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng),現(xiàn)在迫切需要新一代的光學(xué)互連。” 格芯ASIC業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁Mike Cadigan表示,“不管是數(shù)據(jù)中心內(nèi)部芯片之間,還是相隔千里的云服務(wù)器之間,我們的硅光子技術(shù)都能讓客戶在前所未有的連接水平上傳送大量數(shù)據(jù)?!?/p>

格芯的硅光子技術(shù)可在單個(gè)硅芯片上并排集成微小光學(xué)組件與電路?!皢涡酒狈桨咐脴?biāo)準(zhǔn)硅制造技術(shù),提高了客戶部署光學(xué)互連系統(tǒng)的效率,降低了成本。

現(xiàn)在可使用300 mm晶圓

格芯的當(dāng)代硅光子產(chǎn)品依托90 nm RF SOI工藝,這項(xiàng)工藝充分發(fā)揮了公司在制造高性能射頻(RF)芯片方面積累的一流經(jīng)驗(yàn)。平臺(tái)可以實(shí)施提供30GHz帶寬的解決方案,支持客戶端數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到800 Gbps,同時(shí)使數(shù)據(jù)傳輸距離增加到120 km。

這項(xiàng)技術(shù)先前使用200 mm晶圓工藝,格芯位于紐約州東菲什基爾的10號(hào)晶圓廠現(xiàn)在認(rèn)證了300 mm直徑的晶圓。采用300 mm晶圓有助于提高客戶產(chǎn)能和生產(chǎn)率,讓光子損失減少2倍,擴(kuò)大覆蓋范圍,實(shí)現(xiàn)效率更高的光學(xué)系統(tǒng)。

Cadence Design Systems公司用于E/O/E、協(xié)同設(shè)計(jì)、極化、溫度和波長(zhǎng)參數(shù)的完整PDK支持90 nm技術(shù),并提供差異化光子測(cè)試能力,包括從技術(shù)認(rèn)證和建模到MCM產(chǎn)品測(cè)試的五個(gè)測(cè)試部分。

未來(lái)路線圖

格芯新一代單芯片硅光子產(chǎn)品將采用45 nm RF SOI工藝,計(jì)劃于2019年投入生產(chǎn)。這項(xiàng)技術(shù)利用更先進(jìn)的45 nm節(jié)點(diǎn),功耗降低,體積減小,用于光學(xué)收發(fā)器產(chǎn)品的帶寬更高,可滿足新一代兆兆位應(yīng)用。

關(guān)于格芯

格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠,為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無(wú)二的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造服務(wù)。伴隨著全球生產(chǎn)基地橫跨三大洲的發(fā)展步伐,格芯促生了改變行業(yè)的技術(shù)和系統(tǒng)的出現(xiàn),并賦予了客戶塑造市場(chǎng)的力量。

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