LM5085 是一款高效 PFET 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器，可用于 快速輕松地開(kāi)發(fā)適用于各種應(yīng)用的小型、高效的降壓穩(wěn)壓器。這 高壓控制器包含一個(gè) PFET 柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)高壓偏置穩(wěn)壓器，其中 可在 4.5V 至 75V 的寬輸入范圍內(nèi)工作。恒定導(dǎo)通時(shí)間調(diào)節(jié)原理要求 無(wú)環(huán)路補(bǔ)償，簡(jiǎn)化了電路實(shí)現(xiàn)，并實(shí)現(xiàn)了超快的負(fù)載瞬態(tài) 響應(yīng)。由于以下原因，工作頻率幾乎保持恒定，線路和負(fù)載變化 輸入電壓和導(dǎo)通時(shí)間之間的反比關(guān)系。PFET 架構(gòu)允許 100% 低壓差電壓的占空比作。Either the R DS（開(kāi)啟） 的 PFET 或外部檢測(cè)電阻器可用于檢測(cè)過(guò)流電流 檢波。
*附件：lm5085 75V 恒定導(dǎo)通時(shí)間 PFET 降壓開(kāi)關(guān)控制器數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• LM5085-Q1 是一款
  符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)產(chǎn)品（-40°C 至 125°C
  工作結(jié)溫）
• 4.5V 至 75V 寬輸入電壓范圍
• 使用 R 的可調(diào)電流限制 DS（開(kāi)啟） 或電流檢測(cè)電阻器
• 可編程開(kāi)關(guān)頻率至 1MHz
• 無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償
• 超快瞬態(tài)響應(yīng)
• 幾乎恒定的工作頻率，線路
  和負(fù)載變化
• 可調(diào)輸出電壓：1.25 V
• 精準(zhǔn)的 ±2% 反饋基準(zhǔn)
• 能夠?qū)崿F(xiàn) 100% 占空比作
• 內(nèi)部軟啟動(dòng)定時(shí)器
• 集成高壓偏置穩(wěn)壓器
• 熱關(guān)斷
• 包：
  • HVSSOP-8 系列
  • VSSOP-8
  • WSON-8

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：LM5085
• ?類型?：75V 恒定導(dǎo)通時(shí)間 PFET 降壓開(kāi)關(guān)控制器
• ?應(yīng)用?：適用于寬輸入電壓范圍（4.5V 至 75V）的降壓轉(zhuǎn)換，特別適用于汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)、電池/超級(jí)電容器充電器和LED驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。
• ?特性?：
  • 高效率PFET架構(gòu)
  • 恒定導(dǎo)通時(shí)間控制，無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償
  • 超快瞬態(tài)響應(yīng)
  • 可編程開(kāi)關(guān)頻率至1MHz
  • 100%占空比操作
  • 可調(diào)電流限制
  • 內(nèi)部軟啟動(dòng)定時(shí)器
  • 熱關(guān)斷保護(hù)

二、封裝信息

• ?封裝類型?：HVSSOP-8、VSSOP-8、WSON-8
• ?封裝尺寸?：
  • HVSSOP-8 和 WSON-8：3.00mm x 3.00mm
  • VSSOP-8：無(wú)外露焊盤

三、電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：4.5V 至 75V
• ?VCC電壓?：7.7V（典型值）
• ?軟啟動(dòng)時(shí)間?：1.4ms 至 4.3ms（典型值）
• ?熱關(guān)斷閾值?：約170°C
• ?PFET柵極驅(qū)動(dòng)輸出?：
  • 高電平：接近VIN
  • 低電平：VCC + 0.1V
  • 峰值輸出電流：1.75A（源），1.5A（漏）
• ?電流限制調(diào)整?：通過(guò)ADJ引腳外部電阻和感測(cè)電阻或PFET的RDS(ON)設(shè)置

四、功能描述

• ?恒定導(dǎo)通時(shí)間控制?：通過(guò)外部RT電阻和輸入電壓設(shè)置開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，實(shí)現(xiàn)近似恒定的開(kāi)關(guān)頻率。
• ?電壓調(diào)節(jié)控制電路?：使用比較器和單發(fā)定時(shí)器，將輸出電壓反饋與內(nèi)部參考電壓（1.25V）進(jìn)行比較，控制PFET的開(kāi)關(guān)。
• ?軟啟動(dòng)?：內(nèi)部軟啟動(dòng)電路逐漸提高輸出電壓，減少啟動(dòng)應(yīng)力和電流浪涌。
• ?熱關(guān)斷?：當(dāng)結(jié)溫超過(guò)熱關(guān)斷閾值時(shí)，禁用VCC調(diào)節(jié)器和柵極驅(qū)動(dòng)器，保護(hù)芯片免受過(guò)熱損壞。
• ?電流限制?：通過(guò)感測(cè)PFET漏極電流或外部感測(cè)電阻上的電壓，實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)。

五、應(yīng)用信息

• ?設(shè)計(jì)步驟?：包括選擇外部組件（如電感器、輸出電容器、感測(cè)電阻等）、計(jì)算RT電阻值和ADJ電阻值等。
• ?布局指南?：強(qiáng)調(diào)關(guān)鍵信號(hào)路徑（如輸入電容器、PFET、電感器和輸出電容器）的布局要求，以最小化EMI和提高效率。
• ?典型應(yīng)用?：提供了一個(gè)基本的降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)示例，包括電路圖、設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟。