主要投資觀點

半導體行業(yè)作為人類工業(yè)上的明珠，有著應用廣、螺旋式上升的特點。時至今日，半導體行業(yè)仍在汽車電子與 AI 的驅動下向前發(fā)展。中國在半導體領域起步雖晚，但十九大的召開提出了“大國重器”的口號，號召中國制造業(yè)砥礪前行。本文回顧日韓臺的半導體產(chǎn)業(yè)衍變歷史，指出中國將在市場需求和大國政策的驅動下，完成半導體產(chǎn)業(yè)的國際間第三次轉移。中國將在 2018、2019 年迎來建廠采購的高峰期。半導體投資的過程中，設備與材料先行，我們推薦半導體上游設備與材料標的，我們認為這些標的將在中國建廠的帶動下，首先受益于本土行業(yè)需求的增長與市場份額的提升。

全球半導體行業(yè)屢創(chuàng)新高，汽車電子與 AI 是未來行業(yè)的重要驅動力

全球半導體行業(yè)銷售額一改以往放緩的態(tài)勢，在 2017 年出現(xiàn)增長了 21.6% 至 4,122 億美元（WSTS 數(shù)據(jù)），創(chuàng)下歷史新高。行業(yè)的高速增長背后是存儲器、整流器、傳感器等器件強勁的需求。我們認為，摩爾定律雖然過去有放緩的跡象，但仍未走到極限，行業(yè)將在汽車電子、人工智能的推動下走向新高，半導體行業(yè)遵循螺旋式上升的規(guī)律。

需求與政策將驅動中國半導體產(chǎn)業(yè)完成國際間第三次產(chǎn)業(yè)轉移

中國已是全球半導體最大的銷售市場，對下游 IC 產(chǎn)品有著龐大的需求，給中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了動力。同時，國家對半導體行業(yè)展現(xiàn)出了空前的支持力度，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的發(fā)布為行業(yè)的發(fā)展描繪了明確的目標，集成電路產(chǎn)業(yè)大基金的成立則為行業(yè)的發(fā)展提供了急需的資金支持，我們認為，我國半導體行業(yè)的發(fā)展正處于黃金時期?；仡櫲枕n臺半導體行業(yè)發(fā)展史，我們認為國家的強力支持與廣闊的市場空間將使中國半導體產(chǎn)業(yè)迎來國際間第三次產(chǎn)業(yè)轉移。

國內半導體設備與材料企業(yè)將優(yōu)先分享中國建廠潮的紅利

中國大陸將迎來晶圓廠的建廠浪潮。建廠將帶來龐大的半導體設備和材料的需求。而目前，半導體設備與材料的國產(chǎn)化比率均低于 20%，我們認為，國產(chǎn)設備和材料具有廣闊的進口替代空間。02 專項培育出了一批國產(chǎn)半導體設備與材料龍頭，未來這些龍頭公司將在大基金的資金支持下，在各個領域有所斬獲，受益于本土行業(yè)需求的增長與市場份額的提升。

推薦陸產(chǎn)業(yè)鏈崛起相關標的

建議關注北方華創(chuàng)（前道半導體設備龍頭）、長川科技（檢測設備龍頭）、飛凱材料（濕化學品龍頭）等。

風險提示：行業(yè)周期波動的風險；技術升級換代的風險；投產(chǎn)或者國產(chǎn)化不達預期的風險。

創(chuàng)新引領未來，IC 產(chǎn)業(yè)規(guī)模屢創(chuàng)新高

半導體產(chǎn)業(yè)遵循螺旋式上升規(guī)律，新科技推動行業(yè)屢獲新生

半導體工業(yè)總是經(jīng)歷著起起落落的周期。但行業(yè)始終不斷進化。半導體行業(yè)在過去都遵循著摩爾定律，晶體管密度每隔 18-24 個月便會增加一倍，電子產(chǎn)品的性能也會提升一倍。信息技術的進步是背后的主要驅動力，目前我們也處在一個半導體行業(yè)的上升周期里。汽車電子和 AI 的革命，為整個行業(yè)的下一輪進化提供了動力。我們認為，未來從全球來看，半導體行業(yè)都是一個成長性的行業(yè)，值得關注。

以下結合半導體行業(yè)的特點更新全球行業(yè)的最新情況：

半導體是導電性能可控的商業(yè)化材料

半導體是一類常溫下導電性能介于導體與絕緣體間的材料，導電性可受控制，常見的半導體材料包括硅、鍺、砷化鎵等，其中硅是目前商業(yè)上應用最廣泛的半導體材料。半導體材料被廣泛用于集成電路、光電器件、傳感器等器件中，當今大部分電子產(chǎn)品如計算機、手機等都要采用半導體器件作為核心部件。

2017 年半導體行業(yè)銷售規(guī)模創(chuàng)歷史新高，行業(yè)螺旋式上升

根據(jù)全球半導體貿易協(xié)會（WSTS）的統(tǒng)計：2016 年全球半導體市場規(guī)模達到 3,389 億美元，同比增長 1.1%；2017 年全年半導體銷售額為 4122 億美元，同比增長 21.6%，創(chuàng)造半導體歷史上的年度新高。WSTS 預測 2018 年全球半導體市場規(guī)模將達到 4512 億美金，同比增長 9.5%。

可以看出，半導體行業(yè)雖然并不是始終增長，但是在過去 10年內遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或衰落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。這背后是科技革命帶來的成長，我們認為，伴隨著電子產(chǎn)品在人類生活的更廣泛普及以及智能化，未來半導體行業(yè)仍將保持旺盛的生命力，盤旋向上。目前，半導體行業(yè)處于一個上升期的起點。

半導體市場景氣度與全球經(jīng)濟冷暖密切相關

半導體行業(yè)雖然有科技革命驅動，但也會受到全球經(jīng)濟的影響。如果經(jīng)濟不好，那么電子產(chǎn)品的消費就會減少，半導體行業(yè)就會呈現(xiàn)衰落的態(tài)勢。通過數(shù)據(jù)，我們可以發(fā)現(xiàn)過去的十年，半導體市場的波動性較大，且與全球經(jīng)濟的景氣度密切相關。2008 年經(jīng)濟危機發(fā)生后，2009 年全球 GDP 下降 2.2%（數(shù)據(jù)來源 Gartner），半導體產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值下降 10.7% （數(shù)據(jù)來源 Gartner）；而隨著經(jīng)濟復蘇信號的出現(xiàn)，2010 年全球 GDP 增長 4%（數(shù)據(jù)來源 Gartner），半導體產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值增加 31.8%（數(shù)據(jù)來源 Gartner）。下圖可以看到，半導體行業(yè)整體增速與全球 GDP 增速正相關，但波動更劇烈。因此，我們認為，關注半導體產(chǎn)業(yè)也要關注全球經(jīng)濟形勢，在目前歐美國家經(jīng)濟回暖的趨勢下，未來全球半導體產(chǎn)業(yè)也會繼續(xù)保持成長。

存儲器是 2017 年半導體行業(yè)成長最大動因

半導體行業(yè)在 2017 年的高成長性是過去十年中是十分罕見的，我們認為除了存儲器供不應求漲價外，背后的行業(yè)整體需求也十分旺盛，汽車電子與物聯(lián)網(wǎng)是背后重要的推手。2017 年半導體銷售額一改過去兩年平穩(wěn)的態(tài)勢，主要原因是 DRAM 與 NAND 的銷售上揚。根據(jù) WSTS，2017 年存儲器銷售額最高達 1,240 億美元，年增幅度高達 61.5%，其中 DRAM銷售大增 76.8%、NAND Flash 也大增 47.5%；其他增幅較大的半導體器件包括整流器（rectifier）（成長 18.3%）、diodes（成長 16.4%）、傳感器和制動器（成長 16.2%）。

剔除存儲器的影響，2017 年其他半導體器件的合并銷售也成長將近 10%。我們認為，這個成長速度相對于半導體行業(yè)的體量來說也是十分值得重視和思考的：其他器件的成長反應了整個半導體行業(yè)在經(jīng)歷了過去 3 年的放緩后，又重新找到了動力。

地區(qū)結構：2017 年亞太地區(qū)（除日本）半導體銷售額占比近六成，北美歐洲略有下降

從地區(qū)來說，亞太地區(qū)仍然是半導體銷售的主戰(zhàn)場，這與制造業(yè)在過去 30 年向亞洲轉移相關。

根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，從地區(qū)結構來看，2017 年，美洲銷售額占比 21.3%，達到 884 億美金；歐洲占比 9.2%，達到 383 億美金；亞太（除日本）占比 60.0%，達到 2,488 億美金；日本占比 9.3%，達到 390 億美金。

根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，從各地區(qū)的銷售額來看，2017 年，美洲銷售額年增 35.0%；歐洲年增 17.1%；亞太（除日本）年增 19.4%；日本年增 13.3%，各個地區(qū)的銷售額都受到存儲器漲價的影響。

根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，亞太（除日本以外）地區(qū)的銷售過去三年占據(jù)了全球半導體銷售額的 6 成，并且不斷增加，我們認為未來仍將繼續(xù)保持這一趨勢。

產(chǎn)品結構：集成電路占比 82%，傳感器增幅超 20%

從產(chǎn)品的功能分，半導體市場主要分為集成電路、光電器件、分立器件和傳感器四大類。

根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)：

2017 年這四類產(chǎn)品的市場規(guī)模分別為 3431 億美元、348 億美元、217 億美元、126 億美元，占比分別為 83.3%、8.8%、5.3%、3.0%；

相較于 2016 年，傳感器增長 16.2%，分立器件增長 11.5%，集成電路小幅增長 24.0%，光電器件成長 8.8%。

我們認為，存儲器漲價使得集成電路在半導體行業(yè)中的話語權進一步提升，也使得中國集成電路產(chǎn)能的建立顯得更為重要。

集成電路細分領域中 模擬芯片增速亮眼

進一步細分，集成電路包括邏輯芯片、存儲芯片、處理器芯片和模擬芯片四種。根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，2017 年的這四類集成電路芯片的市場規(guī)模分別為 1022 億美元、1240 億美元、639 億美元和 530 億美元，在整個集成電路市場的比例為 11.7%、61.5%、5.5%、10.9%。

根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，2017 年邏輯芯片、存儲芯片、處理器芯片和模擬芯片的銷售額較 2016 年分別增長 12%、62%、6%、11%。存儲芯片的增速十分亮眼，我們認為，供不應求的供需關系和全球壟斷的市場格局是推動存儲芯片屢創(chuàng)新高的原因。

WSTS 預計 2018 年存儲器芯片市場的規(guī)模將增長 11.6%，模擬芯片和邏輯芯片的市場規(guī)模也將分別增長 8.1%和 9.3%，處理器芯片的市場規(guī)模將增長 7.1%。 在 2018 年，存儲器芯片市場不如 2017 年強勁，但供給仍然偏緊。會帶動半導體市場繼續(xù)成長。

半導體行業(yè)的格局：投入越來越高、行業(yè)日趨集中，強者恒強集成電路產(chǎn)業(yè)是資本密集型、技術密集型產(chǎn)業(yè)。引進一條 12 英寸線，需要 20 億美金至30 億美金的投資。從工業(yè)上講，集成電路的集成度不斷提高，現(xiàn)已經(jīng)發(fā)展到過億門電路數(shù)量級。一款芯片的設計和研發(fā)需要花費 1~2 年甚至更長的時間，企業(yè)需要為此投入大量的人力、物力、財力。半導體產(chǎn)品的工藝和制造技術難度高、技術研發(fā)周期較長，這需要長時間的技術積累，短時間的爆發(fā)式增長難以實現(xiàn)技術趕超。臺積電、英特爾、三星等企業(yè)每年的研發(fā)費用都與資本支出是相當?shù)乃健８鶕?jù)全球半導體企業(yè)披露的年報，全球半導體企業(yè)每年的資本支出水平在 700 億美金，研發(fā)費用的水平在 500 億美金，受摩爾定律的約束，每個廠商都會持續(xù)推動創(chuàng)新，半導體的投資額最近幾年也不斷突破更高的水平。

根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)，2017 年全球半導體資本支出為 970 億美金，創(chuàng)過去 5 年新高。 Gartner 預計，18、19 年全球半導體資本支出將分別增長 9.0%和 5.0%，資本支出金額分別為 1,057.3 億美元和 1,110 億美元。全球半導體的資本支出仍將不斷增長，這也是行業(yè)進入門檻高的體現(xiàn)，民間資本往往并不青睞于投資這樣的領域，需要政府牽頭帶動。

根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)，2017 年全球半導體行業(yè)資本支出營收占比為 23.5%，較 2016 年的19.2%提升 1.8%，整體行業(yè)的資本支出在提高。從 2008 年到 2016 年，除了 09 年金融危機時，行業(yè)的資本支出相較營收收入比例有所下調，行業(yè)的資本投入占收入的比例在 20% 附近波動。我們認為，這個比例說明企業(yè)會根據(jù)銷售額來制定資本支出計劃，未來行業(yè)的銷售額仍將繼續(xù)成長，說明行業(yè)的資本支出仍然將不斷成長。而小的企業(yè)因為投入少，會漸漸被淘汰，大的企業(yè)會越來越有優(yōu)勢，行業(yè)集中度會不斷提高。我們認為，單一的小企業(yè)很難與這樣的巨頭抗爭，需要國家層面的統(tǒng)一建設，才能打破現(xiàn)有的行業(yè)格局。

技術趨勢：摩爾定律放緩，工藝不斷突破極限

1965 年，英特爾公司的創(chuàng)始人之一高登摩爾（Gordon Moore）在文章中預測：集成電路上的晶體管數(shù)量每一年就會翻一倍。很快這個預測被大家稱為「摩爾定律」。摩爾本人后來將芯片升級的周期修訂為 2 年。1971 年，英特爾發(fā)布第一塊商用微處理器 4004。它包涵了 2300 個晶體管，每個晶體管大約為人體紅細胞的大小。從那時候開始，依照修訂后的摩爾定律，集成電路上的晶體管數(shù)量每 2 年左右翻一倍。隨后的 40 年，摩爾定律成了科技進步的核心推動力。一年一度晶體管數(shù)量的翻倍引起處理器運行速度的翻倍，進而帶來硬件設備性能的翻倍和成本的縮減，進而為更加強大的軟件、系統(tǒng)以及計算提供了可能。

行業(yè)并沒有走到極限，只是放緩。我們認為雖然受到尺寸、散熱、成本的約束，摩爾定律在過去兩年有放慢的趨勢，但仍未走到盡頭。英特爾研發(fā)部門正在不斷進行前沿創(chuàng)新技術的探索，以推動摩爾定律的發(fā)展。

領先的技術包括：

1)納米線晶體管(Nanowire transistors)：納米線的結構可提供改進通道靜電，從而進一步實現(xiàn)晶體管柵極長度的微縮，因此被認為是未來技術的一種選擇。

2)III-V 晶體管(III-V transistors)：盡管硅是 MOSFET 通道中經(jīng)常使用的材料，但

III-V 材料(如砷化鎵和磷化銦)改進了載流子遷移率，從而提供更高的性能或者能夠在更低的電壓和更低的有功功耗下運行晶體管。

3)3D 堆疊(3D stacking)：硅晶片的 3D 堆疊有機會實現(xiàn)系統(tǒng)集成，以便把不同的技術混裝到一個很小的地方。

4)密集內存(dense memory)：多種不同的高密度內存選擇，其中包括易失性和非易失性存儲技術，正在探索和開發(fā)中。

5)微縮互聯(lián)(Scaling interconnects)：對于精尖制程工藝來說，微縮互聯(lián)和微縮晶體管一樣重要。新的材料和圖案成形技術正在探索中，以支持高密度互聯(lián)。

2017 年 28nm 制程芯片產(chǎn)品銷售占比最高。半導體芯片的制程在 2003 年從微米時代進入了納米時代，并每兩年左右減小 30%(Gartner 數(shù)據(jù))，目前主流的芯片制程包括 90nm、65nm、40nm、28nm、16nm。由于 28nm 制程芯片制造工藝成熟，且具有高性價比，因此也成為生產(chǎn)最多的芯片，銷售占比近 30%（Gartner 數(shù)據(jù)）。

半導體芯片向更低制程方向發(fā)展：隨著 16nm 及更低制程芯片的生產(chǎn)工藝不斷成熟，生產(chǎn)成本不斷降低，以及下游產(chǎn)業(yè)對更小體積、更低功耗、運算能力更強的半導體芯片需求不斷提升，20/16nm 制程的芯片銷售占比也在快速提升，未來有望超過 28nm 芯片。從技術的發(fā)展路徑來看，更低制程的芯片是發(fā)展的必然方向。目前全球晶圓廠領先者正在積極布局 10/7nm 工藝，預計 2-3 年能夠量產(chǎn)，下一代 5/3nm 工藝預計 2022 年量產(chǎn)。

新興應用驅動行業(yè)不斷發(fā)展

汽車電子預計是半導體行業(yè)未來最大成長動能

現(xiàn)階段，PC、手機行業(yè)已經(jīng)較為成熟，不再是半導體的最大成長動能，取而代之的是許多新的應用領域，汽車電子首當其沖。隨著每輛車中的半導體產(chǎn)品數(shù)量增加，車用半導體迅速成為半導體產(chǎn)業(yè)最重要的市場。

我們認為，汽車半導體市場會是未來半導體領域強勁的芯片終端應用市場。目前汽車已成為新型電子技術的應用載體，半導體在汽車中得到了越來越多的應用。汽車半導體所涉及到的技術包括功率 IC、IGBT、CMOS 等，應用于車載娛樂系統(tǒng)、ADAS 輔助駕駛系統(tǒng)、HMI 顯示系統(tǒng)、電動馬達控制燈光控制、電動車的電源管理系統(tǒng)等多處車載功能模塊或器件。IHS 的數(shù)據(jù)顯示，2015 年全球汽車半導體市場的總體規(guī)模約為 290 億美元，預計2013 年-2018 年，車用半導體的產(chǎn)值將會以每年 10.8%的速度快速增長。這一成長態(tài)勢來自于市場對于車用電子系統(tǒng)的需求日益增加。

人工智能浪潮勢不可擋，推動 IC 市場繼續(xù)成長

在信息化持續(xù)發(fā)展的今天，人工智能異軍突起，備受矚目。人工智能可被廣泛應用于汽車、娛樂、金融、教育、醫(yī)療、制造業(yè)、交通等各個行業(yè)。展望未來，人工智能可稱為應對一些社會核心挑戰(zhàn)強大工具，在醫(yī)療領域，人工智能將極大提升我們分析人類基因組和為患者開發(fā)個性化治療方案的能力，甚至大大加快治愈癌癥、阿茲海默癥和其他疾病的進程。

在環(huán)保領域，人工智能能夠分析氣候特征并大規(guī)模降低能耗，幫助人類更好地監(jiān)控和應對氣候變化問題。人工智能甚至可以在地球以外地區(qū)發(fā)揮作用，他日或助力人類探索火星及外太空。

根據(jù) Statista 的預測，到 2017 年，人工智能市場規(guī)模預計會增長到約 12.5 億美元。到 2025年，市場規(guī)模將達 369 億美元，年均復合增速達 50.7%，2017 年全球人工智能市場增速將達 94%。目前人工智能主要應用在圖像識別、物品識別、檢測和歸類還有自動化的地球物理學特征分析等。人工智能產(chǎn)業(yè)最大的一塊收入來自企業(yè)級的應用市場。根據(jù) Statista的預測，全球人工智能市場規(guī)模未來 10 年將保持平均 50.7%的復合增速，到 2025 年，規(guī)模將達到 369 億美元。

而半導體芯片是實現(xiàn)人工智能的硬件基礎。在需求增長的背景下，AI 芯片市場規(guī)模增長迅速。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計，2016 年人工智能芯片市場規(guī)模達到 6 億美元，預計到 2021 年將達到 52 億美元，年復合增長率達到 53%，增長迅猛。

中國集成電路行業(yè)迎來快速成長

產(chǎn)業(yè)歷史：歷經(jīng)兩次國際間的產(chǎn)業(yè)轉移

半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)源于美國，此后經(jīng)歷過兩次大的產(chǎn)業(yè)轉移。一次是 20 世紀 70-80 年代，日本借助在工業(yè)級 PC DRAM 上的高產(chǎn)品可靠性及美國的技術支持，實現(xiàn)了對美國市場的反超，在 DRAM 市場市占率近 80%，半導體市場市占率最高達近 50%。第二次是 20 世紀 80-90 年代，韓國借助 PC 發(fā)展的東風，通過技術引進與消化吸收成為 PC 端 DRAM 的主要生產(chǎn)者，而***則通過在晶圓代工、芯片封測領域的垂直分工奠定了半導體代工領域的龍頭地位。

目前歐美日韓臺主導著全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。

日本產(chǎn)業(yè)轉移從存儲器切入，政府從戰(zhàn)略上高度重視

日本集成電路的發(fā)展，就技術模式而言是引進趕超型，發(fā)展模式是民用電子帶動型，經(jīng)營模式是市場導向、國際競爭型。日本采取大量技術引進、重金購買集成電路專利的方法，達到快速縮小差距的目的。日本引進技術時特別注意吸收國外的精華，并加以民族的創(chuàng)新，回報效果好，趕超步伐快。

1)日本半導體業(yè)的發(fā)展始于 1963 年，日本電氣公司（NEC）自美國 Fairchild 公司取得 planar technology 的授權。日本政府要求 NEC 將取得的技術和國內其他廠商分享。由此項技術的引進，日本半導體業(yè)由此發(fā)展。

2)80 年代起，日本半導體的行業(yè)發(fā)展日趨成熟，日本在 DRAM 市場上取得了絕對性的優(yōu)勢地位，在日本廠商的競爭下，美國廠商如 Fair Child 等紛紛退出 DRAM 市場。但 1986 年的《美日半導體協(xié)議》促使日本集成電路產(chǎn)業(yè)開始衰退，韓國半導體企業(yè)獲得機會快速發(fā)展。

3)90 年代后期，日本半導體企業(yè)逐漸出現(xiàn)大幅度的赤字，引發(fā)日本國內產(chǎn)業(yè)重整，重要生產(chǎn)廠商退出 DRAM 市場，并調整公司策略。

4)進入 21 世紀以后，日本產(chǎn)業(yè)也采取了大量復蘇性策略，日本半導體產(chǎn)業(yè)開始緩慢復蘇，日本廠商逐漸將生產(chǎn)的重心轉移到高附加值的系統(tǒng)和材料上。日本目前供應者全球 1/3 的半導體設備和全球 2/3 的半導體材料，仍在全球半導體產(chǎn)業(yè)中占有重要的地位。

日本政府也深知半導體企業(yè)的重要性，為全面扭轉依附于歐美的弱勢地位，專門制定了相關的法規(guī)，從國家戰(zhàn)略高度上進行推進，先后推出《電子工業(yè)振興臨時措施法》、《科學技術基本法》、超尖端電子技術開發(fā)計劃、飛鳥計劃與未來計劃等為產(chǎn)業(yè)營造良好的稅收、人才引進、技術引進的環(huán)境。

韓國較日本起步晚，技術大投入實現(xiàn)趕超

韓國是在借鑒日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎上，走出了一條選準突破口、高起點起步、買進外國技術、并最后達到技術自立的道理。

20 世紀 60 年代中期，韓國才開始著手晶體管的生產(chǎn)，實質是利用海外資本從事晶體管封裝的業(yè)務，以此為起點來發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)。這期間，許多海外企業(yè)流入韓國，為韓國集成電路產(chǎn)業(yè)的形成提供了資本和技術支持。當時韓國景觀沒有專門的半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策，僅僅是把半導體產(chǎn)業(yè)作為扶持政策的一個方面加以對待，但這就造就了第一批電子企業(yè)的成立，對民間資本向電子產(chǎn)業(yè)的集中起到了推動的作用。

韓國政府在 20 世紀 80 年代起開始通過立法、制定計劃等手段來積極推進半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，從超大規(guī)模集成技術公司引進技術，推動研究院開發(fā)技術。1983 年，美國與日本簽訂《美日半導體協(xié)議》韓國企業(yè)選擇存儲器作為主要切入口。1983 年，三星電子開發(fā)出韓國第一個 64K DRAM 的芯片，邁出了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的第一步。1994 年，韓國開發(fā)出 256M 的 DRAM，從此在 DRAM 領域處于全球領先水平，并持續(xù)擴大自己在該領域的優(yōu)勢。20 世紀 90 年代，韓國集成電路產(chǎn)業(yè)調整了方向，在鞏固原有成功和保持原有領先地位的基礎上，加大對非存儲器集成電路領域的投資開發(fā)力度，實現(xiàn)產(chǎn)品結構的合理化。

目前，韓國的龍頭企業(yè)如三星、LG 等處于世界領先地位。三星電子已經(jīng)是集消費電子、 IT 及移動通信解決方案為一體的電子工業(yè)企業(yè)，在世界半導體銷售額第一的公司，2017年銷售額為 1.4 萬億人民幣。

***選擇晶圓代工起步，差異化競爭累積實力

***政府在 1960 年左右就發(fā)覺到電子技術的重要性，尤其是在半導體方面。新竹交大的半導體實驗室在 1965 年就已經(jīng)有自己制造 IC 的能力，當時的硅刨技術可以被視為今日*** IC 制造技術的基礎。70 年代起，***半導體產(chǎn)業(yè)開始逐步興起，從封測等后道工藝開始，再慢慢向前端工序發(fā)展。到了 90 年代初期，大量 6 英寸晶圓廠接連成立運轉，***半導體產(chǎn)業(yè)進入蓬勃發(fā)展的時期。到了 1995 年，兩大專業(yè)晶圓代工廠聯(lián)電與臺積電在世界范圍內具有競爭力。目前***的臺積電是世界第一大晶圓代工廠，2017 年收入規(guī)模達

到 2,121 億元。

探索***半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展道路，***地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)以工研院的技術為基礎，并通過為全球知名半導體公司晶圓代工迅速崛起。***以強大的半導體制造業(yè)為中心，拉動上下游相關企業(yè)及外圍企業(yè)，彼此互相配合，相輔相成，發(fā)揮了產(chǎn)業(yè)集群效應。半導體產(chǎn)業(yè)的核心競爭優(yōu)勢在于，企業(yè)很好地實現(xiàn)了專業(yè)分工，各自集中力量于某一個環(huán)節(jié)，傾全力發(fā)展屬于自己的半導體價值鏈環(huán)節(jié)。

產(chǎn)業(yè)未來將迎來第三次國際轉移：向中國轉移

在半導體行業(yè)的第三次景氣周期中，手機等消費電子產(chǎn)品取代 PC 成為行業(yè)增長的主要驅動因素，中國是全球第一大消費電子生產(chǎn)國和消費國，對半導體產(chǎn)品的需求逐年快速提升。未來，我們認為，在政策的推動下，中國企業(yè)將憑借龐大的市場需求實現(xiàn)第三次半導體行業(yè)的國際轉移。

如今中國已是全球半導體最大的銷售市場。半導體的銷售市場主要集中在亞太、北美和歐洲地區(qū)，根據(jù) CSIA 的數(shù)據(jù)，中國 2017 年半導體銷售額達到 1315 億美元，占全球市場份額的 31.9%，其中集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額 5,411.3 億元，占全球份額的 23.5%，中國已成全球最大的銷售市場。在產(chǎn)業(yè)向中國轉移的背景下，中國半導體市場在國際市場中的分量和占比將進一步提升。

中國市場供需錯配嚴重，集成電路已成最大進口商品。由于我國半導體產(chǎn)業(yè)起步晚，生產(chǎn)水平和生產(chǎn)能力難以滿足下游龐大的需求，半導體產(chǎn)業(yè)的供需存在嚴重的供需錯配情況，高度依賴進口。以集成電路為例，根據(jù) CSIA 的數(shù)據(jù)，2017 年我國集成電路產(chǎn)品需求達到 1.40 萬億元，而國內供給量僅為 5411.3 億元，自給率僅為 38.7%，大量集成電路產(chǎn)品依靠進口；2017 年，集成電路產(chǎn)品進口金額達到 2601.4 億美元，已經(jīng)替代原油成為我國第一大進口商品。

國家意志為后盾，大基金引領產(chǎn)業(yè)崛起

《中國制造 2025》引領半導體產(chǎn)業(yè)進入新時代

中國政府越來越意識到，改變我國在芯片產(chǎn)業(yè)中的落后地位關系到國家的信息安全和經(jīng)濟利益，芯片產(chǎn)業(yè)的技術水平和發(fā)展規(guī)模也是衡量一個國家競爭力和綜合國力的標志。2013年國務院批準半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策，相關規(guī)定下發(fā)各部門，初步?jīng)Q定成立半導體產(chǎn)業(yè)基金。 2014 年中國國務院引發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，推進設計、制造、先進封測、 IC 關鍵材料裝備等任務。2015 年國務院印發(fā)《中國制造 2025》，把集成電路產(chǎn)業(yè)放在重點聚焦發(fā)展的十大領域的首位，未來政府會加大在制造和設計的投入比例，以制造端增強設計端的實力，用設計帶動制造端的發(fā)展。

專業(yè)化的國家大基金承載著我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的歷史責任

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（下文簡稱大基金）就在國家的推動下成立于 2014 年 9 月 26 日，一期累計募集資金 1387.2 億元，基金出資方有國開金融、中國煙草、亦莊國投、中國移動、上海國盛、中國電科、紫光通信、華芯投資等。截至 2017 年底，大基金一期累計有效決策投資 67 個項目，累計項目承諾投資額 1188 億元，實際出資 818 億元，分別占一期募資總額的 86%和 61%。投資項目覆蓋了集成電路設計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態(tài)建設等各環(huán)節(jié)，實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈上的完整布局。（以上數(shù)據(jù)來源于大基金在 2018年 3 月的 Semicon 會議）

目前大基金二期的方案已上報國務院并獲批，二期擬募集 1500 億-2000 億元人民幣，計劃今年完成。中央財政、一些國有企業(yè)和一些地方政府等都將出資。大基金二期將提高對設計業(yè)的投資比例，這一比例在一期中僅占 17%，并將圍繞國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)進行投資規(guī)劃，比如智能汽車、智能電網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G 等，并盡量對裝備材料業(yè)給予支持，推動其加快發(fā)展。

大基金肩負國家發(fā)展集成電路的歷史重任，將以重點區(qū)域和骨干龍頭企業(yè)為載體，促進形成優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集群，避免“遍地工廠開花”等低水平重復建設、一哄而上的現(xiàn)象。

大基金承擔以下的歷史任務：

1） 在制造領域，聚焦提升先進工藝制造能力，堅持“企業(yè)主體集中”的原則；同時加快存儲芯片量產(chǎn)，布局 DRAM 和新型存儲器；促進超越摩爾領域特色制造工藝資源整合，增強特色工藝專用芯片制造能力，帶到 MEMS 傳感器、電源管理、高壓驅動、功率器件、IGBT、顯示驅動等芯片設計水平的提升；推進化學物半導體器件的發(fā)展。

2） 在設計領域，支持設計骨干企業(yè)的壯大，擴大對國內設計龍頭企業(yè)的投資覆蓋；通過對接重大專項成果，在 CPU 和 FPGA 等高端芯片領域開展投資，提升高端芯片的產(chǎn)業(yè)化能力；及加強與子基金、社會資本協(xié)同投資，在重點應用領域布局項目，推動實現(xiàn)重點領域芯片產(chǎn)品及市場研發(fā)。

3） 在封裝測試領域，則支持國內骨干企業(yè)規(guī)模擴張和競爭力提升以及差異化發(fā)展，推動企業(yè)提升先進封測產(chǎn)能比重。

4） 在裝備與材料領域，依托重大專項成果，推進光刻、蝕刻、離子注入等核心設備，抓住產(chǎn)能擴張的時間窗口，擴大裝備應用；另外，推動大硅片、光刻膠等關鍵核心材料的產(chǎn)業(yè)化，推動高純電子氣體、化學品等形成持續(xù)穩(wěn)定供應能力。

截止 2017 年 9 月年底，大基金宣布參與投資的項目如下：

圖表21： 大基金的投資標的、金額與行業(yè)總結

資料來源：Semi，華泰證券研究所

我國集成電路連續(xù) 3 年增速超 20%

2017 年我國集成電路市場依舊保持高速增長態(tài)勢，根據(jù) CSIA 的數(shù)據(jù)，2017 年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到 5,411.3 億元，同比增長 24.8%；其中，集成電路制造業(yè)增速最快，2017 年同比增長 28.5%，銷售額達到 1,448 億元，設計業(yè)和封測業(yè)繼續(xù)保持快速增長，增速分別為 26.1%和 20.8%，銷售額分別為 2073.5 億元和 1,889.7 億元。

回顧過去 10 年我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程（以下數(shù)據(jù)來源于 CSIA），2008 至 2009 年，受到全球金融危機和全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷的影響，我國集成電路市場規(guī)模連續(xù)兩年呈負增長，分別下降 1.2%和 11.1%，2006 年至 2010 年期間復合增長率僅為 9.4%；2010年以后受益于世界消費能力釋放、全球半導體市場短暫復蘇及我國相關政策的支持，我國集成電路銷售收入大幅回升；由 2010 年的 1,440 億元增長到 2015 年的 3,610 億元，5年間復合增長率 20.2%。

看好中國產(chǎn)能擴張對上游設備與材料的拉動作用

建廠潮來襲，設備、與材料等上游環(huán)節(jié)優(yōu)先受益

SEMI 數(shù)據(jù)顯示，過去兩年間，全球新建 17 座 12 寸晶圓制造廠，其中有 10 座位于中國大陸；從 2017 年到 2020 年，預計全球新增半導體產(chǎn)線 62 條，這 62 條產(chǎn)線中有 26 條位于中國大陸，占總數(shù)的 42%。預計 2018 年投產(chǎn)的新建 12 寸廠如計劃月產(chǎn)能 7 萬片的中芯國際（上海）、計劃月產(chǎn)能 8.5 萬片的格羅方德（成都）和計劃初期月產(chǎn) 2 萬片晶圓的臺積電（南京）等。目前 17 座晶圓廠已經(jīng)開始建設，晶圓廠建設周期在 2-3 年，其中廠房封頂需要 1.5 年時間，生產(chǎn)設備在廠房封頂后開始進入。

本次“建廠潮”中來自大陸的投資大幅增長，我們認為，這一晶圓廠的投資風格的切換有望是長期性的，亦即 2017 年后內資廠商將主導大陸晶圓廠的建設，市場轉移之外，半導體制造業(yè)的話語權也將向大陸本土企業(yè)轉移。經(jīng)驗顯示，單純引進外資建廠對于本土制造業(yè)拉動效果有限。國家對半導體行業(yè)展現(xiàn)出了空前的支持力度，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的發(fā)布為行業(yè)的發(fā)展描繪了明確的目標，集成電路產(chǎn)業(yè)大基金的成立則為行業(yè)的發(fā)展提供了急需的資金支持。我們認為，國家的強力支持與廣闊的市場空間將使國產(chǎn)設備和國產(chǎn)材料迎來發(fā)展的黃金時期。

中國地區(qū)半導體設備國產(chǎn)化比率逐漸提升，龍頭公司有望受益

我國集成電路設備市場規(guī)模變動情況與全球集成電路設備市場規(guī)模變動基本一致，但總體規(guī)模較小，且嚴重依賴進口，8 英寸和 12 英寸的先進硅片和制造設備基本依靠進口，8 英寸以下的生產(chǎn)線也有大量進口翻新的二手設備。SEMI 預計，2018 年，我國半導體設備市場規(guī)模為 130 億美元，同比增長 71%，2009 年至 2018 年的復合增長率為 33.44%。其中中國公司和非中國公司的支出比例幾乎持平。

2008 年以前，我國集成電路設備基本依靠進口 2009 年，我國集成電路設備市場規(guī)模僅為 9.69 億美元，進口規(guī)模和自制規(guī)模分別為 9 億美元和 0.69 億美元，設備自制比例 7%（CISA數(shù)據(jù)，本段以下同）。2010 年以來，我國加快設備進口速度，2016 年設備進口規(guī)模達到 36 億美元，是 09 年的 4 倍，設備自制率下降為 3%，進口依賴嚴重。為改善集成電路設備進口以來情況，國家設立了科技重大專項——極大規(guī)模集成電路制造設備及成套工藝科技項目（簡稱 02 專項）。2011 年以來，我國集成電路進口依賴嚴重的問題開始逐步改善， 15 種 12 英寸主要設備通過大生產(chǎn)驗證。2012 年首次達到 12%，到 2015 年逐步上升至16%。

受惠于 02 專項和國內其他集成電路發(fā)展基金，2010 年國內集成電路設備市場規(guī)模激增283%，達到 37.07 億元（CISA 數(shù)據(jù)）。2011 年和 2012 年受到整體經(jīng)濟發(fā)展的影響有所下滑，2013 年以后恢復增長，2013 年到 2017 年之間的復合增長率高達 22.11%，增量主要來自薄膜制造設備、離子注入設備和封裝設備。

根據(jù)中國半導體協(xié)會的統(tǒng)計，2017 年國內集成電路設備排名前五的企業(yè)分別為中電科電子裝備集團有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、中微半導體設備（上海）有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司、長川科技和沈陽拓荊科技有限公司，其主要產(chǎn)品如下表所示：

由于地理上的優(yōu)勢，國產(chǎn)設備商在于晶圓生產(chǎn)上在合作進行設備的開發(fā)和驗證上有較大的便利性，且國產(chǎn)設備在性價比和售后服務商有更強的競爭優(yōu)勢，疊加國家對于半導體設備國產(chǎn)化的政策指引，我們預計國產(chǎn)半導體設備商有望借助中國大陸晶圓產(chǎn)線的密集投資建設而實現(xiàn)國產(chǎn)設備滲透率的快速提升。

半導體材料壁壘高、國產(chǎn)化比率低、發(fā)展空間大

半導體材料是半導體行業(yè)重要環(huán)節(jié)

半導體材料屬于電子化學品的一個重要分支，其具有最高的技術壁壘和產(chǎn)業(yè)價值，因此是電子化學品行業(yè)內最重要的細分市場。半導體材料可以按照下游應用分為面板材料、LED材料、集成電路材料。按照流程工藝，可以分為前道材料和后道材料。以集成電路為例，從晶圓開始到最終成品，需要經(jīng)歷上百個生產(chǎn)工序，前道包括硅片清洗、氧化、光刻、曝光顯影、刻蝕、摻雜、氣相沉積、化學機械拋光、濺射等流程，后道包括貼膜、背磨、固定、劃片、封裝等流程，其中每一個環(huán)節(jié)都需要根據(jù)工藝要求選用多種具備相關功能的半導體材料配合使用。

半導體材料市場空間大

根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）的報告，2016 年全球半導體材料的總銷售額為 443.2億美元，同比增長 2.4％，相比于 2010年的 440 億美元，整個市場規(guī)模保持穩(wěn)定。

根據(jù) CSIA 的統(tǒng)計，中國半導體材料銷售額從 2006 年 23.8 億美元上升至 2016 年 65.3 億美元，占全球市場比重從 06 年的 5.7%上升至 16 年為 14.7%。從 2010 年到 2016 年中國大陸半導體市場規(guī)模復合年均增速為 7.2%，遠超全球平均水平。

半導體材料門檻高、行業(yè)集中度高

半導體材料門檻非常高，原因是半導體材料專用性強，技更新?lián)Q代快、質量要求高，功能性強，細分程度高。對于下游半導體企業(yè)來說，材料的好壞對最終產(chǎn)品性能的影響很大，材料供應商的供貨能力和原料質量十分關鍵，因此常常采用認證采購的模式，合格供應商的認證時間長、程序復雜。如在晶圓制造領域，認證周期一般在 1 年以上，傳統(tǒng)封裝、劃片刀等認證周期一般在 3 個月左右，更換材料供應商是尤其費時費力的，因而一旦形成供應鏈，上下游的合作關系就會十分穩(wěn)定，也形成了行業(yè)很高的門檻。高行業(yè)門檻，加上整個產(chǎn)業(yè)鏈上下游精密的特點，經(jīng)過 30 多年的行業(yè)衍變，形成了細分市場集中度高的特質，日本企業(yè)在各個領域的份額都很高，處于全球領先地位。

中國大陸半導體材料國產(chǎn)化率低

雖然中國半導體需求龐大，并且在快速增長，但國產(chǎn)材料比例低，國內產(chǎn)值遠低于市場需求。在半導體材料方面，根據(jù) SEMI 的報告，2016 年全球半導體材料的總銷售額為 443.2億美元，中國大陸市場增長 7.4％，銷售額達到 65.3 億美元。全球半導體材料市場規(guī)模大，但是主要被歐美日的化工巨頭所壟斷，中國本土半導體材料企業(yè)的產(chǎn)品還難以進入主流半導體產(chǎn)線中。

根據(jù) ICMtia 的統(tǒng)計，預計 2017年中國大陸國產(chǎn)電子材料總收入為 283.1年以來的復合年均增速為 17.23%，其中，預計 2017 年集成電路領域的國產(chǎn)材料總收入為 110.3 億元，自 2008年以來的復合年均增速為 23.3%，增速高于整體電子材料收入。在電子材料總收入結構中，國產(chǎn)半導體材料收入占比從 2008年的 24.7%提升至 2017 年的 39.0%。

根據(jù) ICMtia 的數(shù)據(jù)，2016 年中國半導體材料企業(yè)的收入為 96.1 億元，占中國整體市場需求的 22%，中國半導體材料的自給率仍然較低。

根據(jù) ICMtia 的預測，國產(chǎn)半導體材料在 2017 年的總收入有望達到 110.3 億元，但是 90%以上的收入來自于后道晶圓封裝市場，在前道晶圓制造領域，國產(chǎn)材料還難以進入主流的供應鏈，特別是 28nm 制程以下的先進產(chǎn)線，目前中國國產(chǎn)材料普遍還達不到相應技術水平的要求。

受益于建廠浪潮，本土材料企業(yè)成長迅速

中國國產(chǎn)材料行業(yè)也涌現(xiàn)出了不少優(yōu)秀的企業(yè)。目前在國家的大力支持和市場需求的推動下，本土的半導體材料企業(yè)已經(jīng)逐漸向高端產(chǎn)品領域前進。例如，在大硅片方面，由上海新陽、興森科技、上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司、上海皓芯投資管理有限公司合資成立的上海新昇，12 寸大硅片已經(jīng)于 2016 年底開始量產(chǎn)，根據(jù)公司產(chǎn)能規(guī)劃，預計 2021-2022 年將形成 300mm 硅片 60 萬片/月的產(chǎn)能，年產(chǎn)值達到 60 億元，達到世界先進水平。

在光刻膠方面，北京科華和蘇州瑞紅兩家公司分別承擔了國家 02 專項 KrF（248nm）光刻膠和 i 線（365nm）光刻膠課題，并取得重大突破。北京科華已經(jīng)掌握了 g 線正膠、i 線正膠、KrF（248nm）深紫外光刻膠及配套試劑，目前正在從事 ArF（193nm）深紫外光刻膠的研發(fā)。蘇州瑞紅已經(jīng)掌握 g 線正膠、i 線正膠和環(huán)化橡膠負膠，正進行 KrF（248nm）深紫外光刻膠的研發(fā)。

風險提示

行業(yè)周期波動的風險：

半導體產(chǎn)業(yè)具有技術呈周期性發(fā)展和市場呈周期性波動的特點。半導體產(chǎn)業(yè)鏈的材料和設備市場需求和全球及國內半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展狀況息息相關，如果全球及國內半導體行業(yè)再度進入發(fā)展低谷，則行業(yè)將面臨業(yè)務發(fā)展放緩、業(yè)績波動的風險。

技術升級換代的風險：

電子產(chǎn)品企業(yè)會針對市場需求不斷進行產(chǎn)品創(chuàng)新和技術升級，帶動整個供應鏈各個環(huán)節(jié)的產(chǎn)品創(chuàng)新和技術升級。半導體企業(yè)作為供應鏈的一環(huán)，能否跟上產(chǎn)品創(chuàng)新和技術升級步伐，并提供高品質、規(guī)?；⒖焖夙憫闹圃旆?，都是能否取得穩(wěn)定增長的訂單及實現(xiàn)業(yè)務持續(xù)成長的關鍵。

投產(chǎn)或者國產(chǎn)化不達預期的風險：

中國大規(guī)模投資投資半導體產(chǎn)業(yè)是需要面臨很多競爭的，中國在半導體產(chǎn)業(yè)上的起步晚，有可能出現(xiàn)投資進度不達預期的情況。半導體產(chǎn)業(yè)鏈壁壘高，投入大，技術密集程度高，有可能出現(xiàn)國產(chǎn)化程度不達預期的情況。

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日本政府也深知半導體企業(yè)的重要性，為全面扭轉依附于歐美的弱勢地位，專門制定了相關的法規(guī)，從國家戰(zhàn)略高度上進行推進，先后推出《電子工業(yè)振興臨時措施法》、《科學技術基本法》、超尖端電子技術開發(fā)計劃、飛鳥計劃與未來計劃等為產(chǎn)業(yè)營造良好的稅收、人才引進、技術引進的環(huán)境。