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國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要公司及主要產(chǎn)品

中汽汽車電子電器信息 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-04-03 11:26 ? 次閱讀
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IGBT是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品,具有高頻率、高電壓、大電流,易于開關(guān)等優(yōu)良性能,被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”,大規(guī)模的應(yīng)用于電動(dòng)汽車中。

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IGBT的市場前景

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),就是絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT 產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢,是電力電子設(shè)備中的核心部件,涉及幾乎所有電壓等級(jí)下的電氣設(shè)備。

IGBT作為能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)。被大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電力機(jī)車?yán)锏?a target="_blank">電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等,是上述應(yīng)用中的核心技術(shù),市場需求巨大且與日俱增。但是在過往,國內(nèi)在高功率的IGBT方面的布局是空白的。

相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,傳統(tǒng)IGBT市場90%已經(jīng)被歐美、日本國際巨頭占據(jù)。大多數(shù)IGBT廠商都涉足該領(lǐng)域有數(shù)十年之久。國外研發(fā)IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、日立、富士、TOSHIBA、IXYS和APT公司等,其IGBT技術(shù)成熟,已實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模商品化生產(chǎn),IGBT產(chǎn)品電壓規(guī)格涵蓋600V-6500V,電流規(guī)格涵蓋2A-3600A,形成了完善的IGBT產(chǎn)品系列。其中,西門康、仙童(被安森美收購)等企業(yè)在1700V及以下電壓等級(jí)的消費(fèi)級(jí)IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢地位;ABB、英飛凌、三菱電機(jī)在1700V-6500V電壓等級(jí)的工業(yè)級(jí)IGBT領(lǐng)域占絕對(duì)優(yōu)勢,3300V以上電壓等級(jí)的高壓IGBT技術(shù)更是被英飛凌、ABB、三菱三家公司所壟斷,它們代表著國際IGBT技術(shù)最高水平。

根據(jù)賽迪顧問的報(bào)告,功率半導(dǎo)體占到新能源汽車新增半導(dǎo)體用量的76%、新能源整車半導(dǎo)體用量的50%。IGBT模塊是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,成本占到新能源整車成本的10%,占到充電樁成本的20%。由于未來幾年新能源汽車及充電樁市場將進(jìn)入爆發(fā)期,IGBT等功率半導(dǎo)體作為其核心器件也將迎來黃金發(fā)展期。

有數(shù)據(jù)顯示,2016年全球電動(dòng)車銷量達(dá)到200萬輛,共消耗了大約9億美元的IGBT管,平均每輛車大約消耗450美元,是電動(dòng)車?yán)锍姵赝庾畎嘿F的部件。其中,混合動(dòng)力和PHEV大約77萬輛,每輛車需要大約300美元的IGBT,純電動(dòng)車大約123萬輛,平均每輛車使用540美元的IGBT,而大功率的純電公交車用的IGBT可能超過1000美元。

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國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商

國務(wù)院在發(fā)布的《節(jié)能與新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》中提出,至2020年,我國純電動(dòng)汽車和插電式混合動(dòng)力汽車年生產(chǎn)能力將達(dá)200萬輛,等效為8英寸IGBT晶圓年需求100萬片。受惠于新能源汽車及其配套設(shè)施發(fā)展,預(yù)計(jì)到2020年,中國IGBT銷售額將達(dá)近200億元??梢姡履茉雌噹Ыo國產(chǎn)IGBT的發(fā)展機(jī)遇不言而喻。不過,目前國產(chǎn)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈的搭建還不夠完善,與國際巨頭的技術(shù)差距仍較大。

國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要公司及主要產(chǎn)品

設(shè)計(jì) 制造 模組 IDM
中科君芯 中芯國際 中車西安永電 中車時(shí)代電氣
西安芯派 華潤上華 西安愛帕克 深圳比亞迪
無錫紫光微 深圳方正微 江蘇宏微 吉林華微
寧波達(dá)新 上海先進(jìn) 南京銀茂 杭州士蘭微
山東科達(dá) 華虹宏力 深圳比亞迪 中環(huán)股份
嘉興斯達(dá) 中航微電子

1株洲中車時(shí)代電氣

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè),2006年,時(shí)代電氣在香港聯(lián)交所上市。2014年,營業(yè)收入首次跨越百億。擁有國內(nèi)首條、全球第二條8吋IGBT芯片及模塊生產(chǎn)線,并且已掌握IGBT的專業(yè)研發(fā)制造技術(shù),具備年產(chǎn)12萬片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬只IGBT模塊的自動(dòng)化封裝測試能力,芯片與模塊電壓范圍實(shí)現(xiàn)從650V到6500V的全覆蓋,打破了國外公司在高端功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)的壟斷。2017年研制的3600A/4500V 壓接型IGBT模塊,是目前市場可見產(chǎn)品中容量最大,且具備雙面散熱、長期穩(wěn)定失效短路能力的器件,打破了國外大功率壓接型IGBT的技術(shù)和市場壟斷。

類型:IDM

主要產(chǎn)品及服務(wù):1200V-6500V高壓模塊,國內(nèi)唯一自主掌握了高鐵動(dòng)力IGBT芯片及模塊技術(shù)的企業(yè)

網(wǎng)址:www.timeselectric.cn

2深圳比亞迪

深圳比亞迪微電子有限公司是比亞迪集團(tuán)旗下的獨(dú)立子公司,自2003年開始致力于集成電路及功率器件的開發(fā),并提供產(chǎn)品應(yīng)用的整套解決方案。2008年比亞迪集團(tuán)斥資2.7億元人民幣收購寧波中緯晶圓代工廠,進(jìn)一步完善了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主開發(fā)生產(chǎn)地位。 與國家電網(wǎng)、上海先進(jìn)半導(dǎo)體牽手,共同打造IGBT國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)鏈,正式進(jìn)入比亞迪新能源汽車用IGBT的供應(yīng)鏈。

類型:IDM、模組

主要產(chǎn)品及服務(wù):工業(yè)級(jí)IGBT模塊、汽車級(jí)IGBT模塊、600VIGBT單管、IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

網(wǎng)址:www.bydit.com

3杭州士蘭微

杭州士蘭微電子股份有限公司具備芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力。芯片制造現(xiàn)有5英寸和6英寸產(chǎn)線各一條,這兩條芯片生產(chǎn)線建于2001年和2005年,產(chǎn)出目前達(dá)到每月21萬片。在6英寸及以下產(chǎn)線的產(chǎn)能上,排名全球第五位。17年建立一條8英寸生產(chǎn)線,8月份已經(jīng)投產(chǎn)6500片左右,計(jì)劃在18年年底建成3-4萬片的產(chǎn)能。

類型:IDM

主要產(chǎn)品及服務(wù):300-600V穿通型IGBT工藝,1200V非穿通型槽柵IGBT工藝,面向電焊機(jī)、變頻器、光伏逆變器、電機(jī)逆變器、UPS電源、家電、消費(fèi)電子

網(wǎng)址:www.silan.com.cn

4吉林華微

吉林華微電子股份有限公司是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè),中國半導(dǎo)體功率器件五強(qiáng)企業(yè)。公司經(jīng)科技部、中科院等國家機(jī)構(gòu)認(rèn)證,被列為國家博士后科研工作站、國家創(chuàng)新型企業(yè)。公司現(xiàn)擁有員工近2000人,研發(fā)人員占公司總?cè)藬?shù)的20%。凈化面積17000平方米,主要凈化級(jí)別為0.3微米百級(jí)。公司于2001年3月在上海證券交易所上市,為國內(nèi)分立器件行業(yè)首家上市公司。

類型:IDM

主要產(chǎn)品及服務(wù):擁有3英寸、4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線,芯片加工能力為每年300余萬片,封裝能力為30億只/年。

5重慶中航微電子

中航(重慶)微電子有限公司是一家集半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、制造與服務(wù)為一體的公司。擁有一座月產(chǎn)4萬片8英寸硅片的芯片制造工廠,工藝制程能力最小生產(chǎn)線寬達(dá)到0.15微米;在上海設(shè)有研發(fā)中心;在重慶、上海和深圳設(shè)有銷售中心,在西南、華北、華東及華南形成覆蓋全國的銷售網(wǎng)絡(luò)。

類型:IDM

主要產(chǎn)品及服務(wù):1200V/20-50AIGBT功率模塊

6天津中環(huán)股份

天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司在深交所上市,股票代碼002129。公司致力于半導(dǎo)體節(jié)能產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè),是一家集科研、生產(chǎn)、經(jīng)營、創(chuàng)投于一體的國有控股高新技術(shù)企業(yè)。目前旗下?lián)碛?家高新技術(shù)企業(yè)、1家國家火炬計(jì)劃重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)、4個(gè)省部級(jí)研發(fā)中心、一個(gè)博士后科研工作站,員工5000余人。

類型:IDM

主要產(chǎn)品及服務(wù):用于消費(fèi)電子IGBT已經(jīng)量產(chǎn),高電壓IGBT還在研發(fā),節(jié)能型功率器件可用于充電樁

網(wǎng)址:www.tjsemi.com

7西安永電

西安中車永電電氣有限公司是中車永濟(jì)電機(jī)有限公司全資控股的專門從事電力電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)的高技術(shù)企業(yè)?,F(xiàn)有員工600多人,其中研發(fā)人員100余人,年銷售收入達(dá)到10億元。公司主要產(chǎn)品有:IGBT模塊、IPM模塊、整流管、晶閘管、組合元件等電力半導(dǎo)體器件;變流器、功率模塊、城軌地面整流裝置、地鐵單向?qū)ㄑb置、充電機(jī)等裝置。產(chǎn)品主要應(yīng)用于高速鐵路、風(fēng)力發(fā)電、冶金工業(yè)、城市軌道交通、太陽能光伏發(fā)電等領(lǐng)域。

類型:模塊

主要產(chǎn)品及服務(wù):1200V-6500V/75A-2400A高壓模塊,主要面向軌道交通、智能電網(wǎng)等高壓領(lǐng)域

網(wǎng)址:www.xayonge.com.cn

8西安愛帕克

西安愛帕克電力電子有限公司成立于1995年12月,是由具有50多年悠久歷史的世界上著名的專業(yè)功率半導(dǎo)體公司“美國國際整流器公司(IR)”與中國電力電子行業(yè)的先驅(qū)和開拓者“西安電力電子技術(shù)研究所(PERI)”共同投資興建的專業(yè)封裝大功率半導(dǎo)體模塊的中美合資企業(yè),是中國第一個(gè)專門研發(fā)和生產(chǎn)IGBT模塊的合資公司。

類型:模塊

主要產(chǎn)品及服務(wù):600V-1200V/50A-400A模塊

網(wǎng)址:www.irperi.com

9威海新佳

威海新佳電子有限公司成立于2004年,注冊(cè)資本2000萬元,總部位于山東省威海市,是專業(yè)從事新型電力電子器件及其應(yīng)用整機(jī)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有多項(xiàng)專利技術(shù)和獨(dú)立的知識(shí)產(chǎn)權(quán),具有較強(qiáng)的設(shè)計(jì)、研發(fā)和生產(chǎn)能力。

新佳電子作為IGBT國家標(biāo)準(zhǔn)和交流固態(tài)繼電器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)起草單位之一,建有“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”IGBT生產(chǎn)線,山東省電力電子器件工程技術(shù)研究中心,并先后承擔(dān)過國家發(fā)改委新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)目、工信部電子發(fā)展基金項(xiàng)目等多項(xiàng)國家和省部級(jí)項(xiàng)目。

類型:模塊

主要產(chǎn)品及服務(wù):1200V/50A-300A模塊,應(yīng)用于ACDC電機(jī)控制、變頻器、UPS等領(lǐng)域

網(wǎng)址:www.singa.cn

10江蘇宏微

江蘇宏微科技股份有限公司是由一批長期在國內(nèi)外從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn),具有多種專項(xiàng)技術(shù)的科技專家組建的國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)。是國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地,國家IGBT和FRED標(biāo)準(zhǔn)起草單位;擁有江蘇省企業(yè)院士工作站,江蘇省博士后創(chuàng)新基地,江蘇省新型高頻電力半導(dǎo)體器件工程技術(shù)研究中心等。

類型:模塊

主要產(chǎn)品及服務(wù):600V-1200V/15A-60A單管、600-1700/15-800A模塊,應(yīng)用于特種電源、電焊機(jī)、UPS、逆變器、變頻器等領(lǐng)域

網(wǎng)址:www.macmicst.com

11嘉興斯達(dá)

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月,是一家由歸國留學(xué)生為主要技術(shù)骨干,專業(yè)從事功率半導(dǎo)體元器件尤其是IGBT模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。公司在浙江、上海和歐洲均設(shè)有子公司,是目前國內(nèi)最大的IGBT模塊生產(chǎn)廠家。據(jù)全球著名研究和咨詢公司IHS的市場報(bào)告,嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體(Starpower Semiconductor)2016年首次進(jìn)入全球功率模塊市場排名前十,位列第九。

類型:模塊、設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):600V-3300V/1800A-3700A模塊

網(wǎng)址:www.powersemi.cc

12南京銀茂

南京銀茂微電子制造有限公司是江蘇銀茂(控股)集團(tuán)有限公司與暉源有限公司(香港)合資成立的一家高新技術(shù)企業(yè)(以富有行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的留美博士團(tuán)隊(duì)為核心),于207年在江蘇南京成立。以研發(fā)、制造和銷售擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型電力電子模塊(國產(chǎn)IGBT功率模塊、MOSFET功率模塊)、全氣密半氣密高可靠性混合電路電子器件、大規(guī)模變流技術(shù)核心組件為主營業(yè)務(wù)。

類型:模塊、設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):600V-1700V/15A-200A模塊,應(yīng)用于工業(yè)變頻、新能源、電源裝備等

網(wǎng)址:www.njsme.com

13無錫中科君芯

江蘇中科君芯科技有限公司是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。公司成立于2011年底,依托中國科學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)和研發(fā)平臺(tái),結(jié)合海內(nèi)外的技術(shù)精英以及專業(yè)的市場管理團(tuán)隊(duì)共同組建而成。是國內(nèi)率先開發(fā)出溝槽柵場截止型(Trench FS)技術(shù)并真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)。

類型:設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):國內(nèi)唯一全面掌握650V-6500V全電壓段IGBT芯片技術(shù)企業(yè),面向電磁感應(yīng)加熱、變頻家電、逆變焊機(jī)、工業(yè)變頻器、新能源等領(lǐng)域

網(wǎng)址:www.cas-junshine.com

14西安芯派科技

西安芯派電子科技有限公司是一家專業(yè)從事中大功率場效應(yīng)管(MOSFET,自高壓至低壓全系列產(chǎn)品)、特殊用途整流器(含快速恢復(fù)二極管肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC開發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè),也是專業(yè)從事大功率MOSFET和IGBT器件設(shè)計(jì)及生產(chǎn)的半導(dǎo)體企業(yè)。

類型:設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):650V-1700V/80A-600AIGBT,應(yīng)用于電源管理、電池管理、電機(jī)控制及充電樁等領(lǐng)域

網(wǎng)址:www.semipower.com.cn

15吉林華微斯帕克

吉林華微電子股份有限公司是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體的高新技術(shù)企業(yè),擁有多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線,芯片加工能力為每年360余萬片,封裝能力為30億只/年,吉林華微電子有限公司已形成VDMOS、IGBT、FRED、SBD、BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品, 是NXPFAIRCHILD、VISHAY、 PHILIPS、TOSHIBA等國際知名企業(yè)的合作伙伴。

類型:設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):智能功率模塊及大功率IGBT模塊

網(wǎng)址:www.sinospm.com

16寧波達(dá)新

達(dá)新半導(dǎo)體有限公司成立于2013年,是以海歸博士為主創(chuàng)立的一家中外合資的高科技公司,公司主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售,并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案??偛吭O(shè)于在浙江省寧波的余姚市,在上海和杭州設(shè)有子公司,其中上海子公司有芯片設(shè)計(jì)中心,杭州子公司建有IGBT模塊生產(chǎn)線,深圳設(shè)有銷售辦事處。

類型:設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):單管、模塊、面向逆變焊機(jī)、工業(yè)領(lǐng)域、白色家電、充電樁、UPS電源、光伏逆變器、空調(diào)、電磁感應(yīng)加熱

網(wǎng)址:www.daxin-semi.com

17無錫紫光微

無錫紫光微電子有限公司是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。公司開發(fā)和生產(chǎn)的SJMOSFET、DTMOSFET、HVVDMOS、IGBT、IGTO、HalfBridgeGateDriver等先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動(dòng)力電動(dòng)汽車、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

類型:設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):600V/1200V/1350V,用于交/直流驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、電磁爐、通用逆變器、開關(guān)和共振模式電源供給等

網(wǎng)址:www.tsinghuaicwx.com

18無錫新潔能

無錫新潔能股份有限公司專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷售。公司產(chǎn)品憑借低損耗、高可靠性品質(zhì),已成功進(jìn)入汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、家用電器、消費(fèi)電子、LED照明、電動(dòng)車、安防、網(wǎng)絡(luò)通信等市場領(lǐng)域,獲得國內(nèi)外知名公司的認(rèn)證。相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán),四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。2016年9月正式掛牌上市新三板,股票代碼838147。

類型:設(shè)計(jì)

主要產(chǎn)品及服務(wù):12V~200V溝槽型功率MOSFET(N溝道和P溝道)、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET(N溝道和P溝道)、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT

網(wǎng)址:www.ncepower.com

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結(jié)語

我國功率半導(dǎo)體與國外IDM廠商相比在設(shè)備投入上還有待加強(qiáng),在器件設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)方面仍有差距,供應(yīng)鏈也不夠完善。究其原因,一是作為后進(jìn)者,國內(nèi)IGBT缺乏時(shí)間考驗(yàn)來建立品牌效應(yīng);二是IGBT國產(chǎn)化的進(jìn)程開始得相對(duì)較晚,而且當(dāng)時(shí),市場應(yīng)用前景還不太明朗,終端應(yīng)用方案商對(duì)于推動(dòng)IGBT技術(shù)國產(chǎn)化的意愿并不強(qiáng),一直以來就只有少數(shù)幾家國外老牌的專業(yè)IGBT廠商占據(jù)著這一市場。從制造水平來看,華虹宏力場截止型IGBT(Field Stop,F(xiàn)S IGBT)技術(shù)參數(shù)可比肩國際領(lǐng)先企業(yè),但想要全面提升國產(chǎn)IGBT實(shí)力,還需要上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的全面參與和共同努力。

我國IGBT器件90%依賴進(jìn)口,國產(chǎn)市場份額主要被歐美、日本企業(yè)壟斷。國內(nèi)IGBT在設(shè)備、材料、芯片設(shè)計(jì)和晶圓制造上與國際大廠仍有一定的差距,國產(chǎn)IGBT芯片的主要工藝設(shè)備、襯底片都還要從國外采購,特別是在大功率模塊封裝方面,在產(chǎn)品的功率密度、散熱性能、長期可靠性以及模塊設(shè)計(jì)創(chuàng)新方面,技術(shù)差距仍然較大。

目前,國內(nèi)的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計(jì)、制造和模塊封裝技術(shù)目前均處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計(jì)+代工”模式,即由設(shè)計(jì)公司提出芯片設(shè)計(jì)方案,由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。

中國IGBT企業(yè)在研發(fā)與制造工藝方面極度缺乏經(jīng)驗(yàn),與世界先進(jìn)水平差距很大。同時(shí)IGBT都是關(guān)鍵設(shè)備上的核心部件,設(shè)備廠商更換國產(chǎn)產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)很大,這也是制約國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品進(jìn)入高端市場的障礙。

記者獲悉,IGBT產(chǎn)品最具競爭力的生產(chǎn)線是8英寸和12英寸,目前國際最為領(lǐng)先的是英飛凌,已在12英寸生產(chǎn)線量產(chǎn)IGBT產(chǎn)品; 目前國內(nèi)8寸線實(shí)現(xiàn)IGBT產(chǎn)品量產(chǎn)的是株洲中車和上海華虹宏力,而士蘭微電子在剛剛建成的8英寸生產(chǎn)線上投資上億元,購買了IGBT產(chǎn)品工藝專業(yè)研發(fā)的高能離子注入設(shè)備,激光退火設(shè)備和薄片Taiko設(shè)備,預(yù)計(jì)在未來的3-5年內(nèi),會(huì)大力發(fā)展和提高IGBT產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和工藝研發(fā)水平。

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