近日，在2025上海國際車展上，吉利與雷諾合資的浩思動(dòng)力攜Gemini小型增程器驚艷亮相。這款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)搭載聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的氮化鎵器件，憑借高功率與高頻開關(guān)特性，實(shí)現(xiàn)效率提升、體積縮小和可靠性增強(qiáng)，不僅展現(xiàn)聞泰科技在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚技術(shù)沉淀，更標(biāo)志著汽車動(dòng)力系統(tǒng)迎來新變革。

Q1業(yè)績迎來開門紅

半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成核心增長引擎

回顧2024年，聞泰科技實(shí)現(xiàn)營收735.98億元，同比增長20.23%。其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收147.15億元，業(yè)務(wù)毛利率37.47%，凈利潤22.97億元，且營收逐季攀升，盈利能力穩(wěn)健。

2025年第一季度，公司業(yè)績迎來開門紅，歸母凈利潤2.61億元，同比增長達(dá)82.29%。其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)亮點(diǎn)突出：營收37.11億元，同比增長8.40%；毛利率38.32%，同比提升超7個(gè)百分點(diǎn)；凈利潤5.78億元，經(jīng)營性凈利潤同比增長65.14%，成為業(yè)績?cè)鲩L的核心驅(qū)動(dòng)力。

深耕GaN領(lǐng)域

產(chǎn)品矩陣覆蓋40V-700V

聞泰科技高度重視并且積極開拓第三代半導(dǎo)體技術(shù)，同步布局GaN、SiC與IGBT等高壓產(chǎn)品并均實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。自2019年起，公司就將GaN FET納入產(chǎn)品體系。作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)同時(shí)提供D-mode和E-mode器件的企業(yè)，公司GaN FET產(chǎn)品已覆蓋40V -700V電壓規(guī)格，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子快充、通信基站等領(lǐng)域并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付。雖然現(xiàn)階段GaN業(yè)務(wù)占比較小，但產(chǎn)品的不斷擴(kuò)充，體現(xiàn)了公司堅(jiān)守研發(fā)承諾，促進(jìn)技術(shù)發(fā)展的決心。

隨著AI算力爆發(fā)，數(shù)據(jù)中心對(duì)功率器件需求激增，公司GaN器件可以有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心、AI等運(yùn)算密集型應(yīng)用的效率。在端側(cè)算力發(fā)展趨勢(shì)下，公司GaN FET芯片已成功在消費(fèi)電子快充客戶中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，進(jìn)一步鞏固了在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

持續(xù)投入研發(fā)

三代半新品密集落地

憑借持續(xù)的研發(fā)投入，聞泰科技在2025年第一季度密集推出多款第三代半導(dǎo)體及模擬芯片產(chǎn)品，不斷完善“從低壓到高壓、從功率到模擬”的產(chǎn)品布局。

在Gemini系統(tǒng)方案中，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)提供的級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件采用疊層結(jié)構(gòu)與級(jí)聯(lián)配置，融合650V高壓GaN HEMT H4技術(shù)和低壓硅MOSFET技術(shù)，優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)，大幅提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

對(duì)此，浩思動(dòng)力前瞻技術(shù)開發(fā)總工程師馬永泉博士坦言，安世半導(dǎo)體的氮化鎵技術(shù)是突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵；聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中國區(qū)負(fù)責(zé)人李東岳則表示，此次合作是雙方技術(shù)實(shí)力的深度融合，更是第三代半導(dǎo)體推動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)革新的重要突破，聞泰科技將持續(xù)以創(chuàng)新技術(shù)賦能汽車行業(yè)轉(zhuǎn)型。

展望未來，聞泰科技將聚焦半導(dǎo)體核心業(yè)務(wù)，鞏固全球功率半導(dǎo)體第一梯隊(duì)地位，以科技創(chuàng)新為引擎，持續(xù)開拓前沿領(lǐng)域，為全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。