LM74700-Q1 是一款符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)理想二極管控制器，它與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用，作為理想二極管整流器，提供低損耗反極性保護(hù)，正向壓降為 20 mV。3.2 V 至 65 V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線電壓，例如 12 V、24 V 和 48 V 汽車電池系統(tǒng)。3.2 V 輸入電壓支持特別適合汽車系統(tǒng)中的嚴(yán)苛冷啟動(dòng)要求。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。
*附件：lm74700-q1.pdf

該器件控制 MOSFET 的 GATE 以調(diào)節(jié) 20 mV 的正向壓降。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件期間正常關(guān)閉 MOSFET，并確保零直流反向電流流過(guò)。對(duì)反向電流阻斷的快速響應(yīng) （< 0.75 μs） 使該器件適用于在ISO7637脈沖測(cè)試期間具有輸出電壓保持要求的系統(tǒng)以及電源故障和輸入微短路情況。

LM74700-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)。LM74700-Q1 的高額定電壓有助于簡(jiǎn)化汽車ISO7637保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。當(dāng)使能引腳為低電平時(shí)，控制器關(guān)閉并消耗大約 1 μA 的電流。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
• 功能安全
  • 提供有助于功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 3.2V 至 65V 輸入范圍（3.9V 啟動(dòng)）
• –65V 反向額定電壓
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
• 20mV 陽(yáng)極到陰極正向壓降調(diào)節(jié)
• 使能引腳功能
• 1μA 關(guān)斷電流 （EN=Low）
• 80μA 工作靜態(tài)電流 （EN=高）
• 2.3A 峰值柵極關(guān)斷電流
• 對(duì)反向電流阻斷的快速響應(yīng)：< 0.75 μs
• 通過(guò)合適的 TVS 二極管滿足汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
• 提供 6 引腳和 8 引腳 SOT-23 封裝，封裝尺寸為 2.90 mm × 1.60 mm

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?名稱?：LM74700-Q1
• ?類型?：低IQ反向電池保護(hù)理想二極管控制器
• ?應(yīng)用?：
  • 汽車ADAS系統(tǒng)（如攝像頭）
  • 汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)（如數(shù)字儀表板、頭單元）
  • 工業(yè)工廠自動(dòng)化（如PLC）
  • 企業(yè)電源供應(yīng)
  • 冗余電源的主動(dòng)ORing

2. 主要特性

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：符合汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，工作溫度范圍-40°C至+125°C
• ?輸入范圍?：3.2V至65V（啟動(dòng)電壓3.9V）
• ?反向電壓額定值?：-65V
• ?前向電壓降?：20mV
• ?啟用引腳?：?jiǎn)⒂脮r(shí)工作靜態(tài)電流80μA，禁用時(shí)1μA
• ?峰值柵極關(guān)斷電流?：2.3A
• ?反向電流阻斷響應(yīng)?：< 0.75μs
• ?符合標(biāo)準(zhǔn)?：滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求

3. 功能描述

• ?反向極性保護(hù)?：通過(guò)外部N通道MOSFET實(shí)現(xiàn)低損耗反向極性保護(hù)
• ?電荷泵?：為外部N通道MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓
• ?前向電壓降調(diào)節(jié)?：持續(xù)監(jiān)測(cè)ANODE和CATHODE引腳間的電壓，并調(diào)整GATE至ANODE電壓以維持20mV的前向電壓降
• ?快速響應(yīng)?：在檢測(cè)到反向電流時(shí)快速關(guān)閉MOSFET，確保無(wú)直流反向電流流動(dòng)
• ?啟用引腳?：控制LM74700-Q1的開關(guān)，禁用時(shí)大幅降低靜態(tài)電流

4. 電氣特性

• ?工作電壓?：ANODE引腳電壓范圍3.2V至65V
• ?靜態(tài)電流?：?jiǎn)⒂脮r(shí)80μA至130μA，禁用時(shí)0.9μA至1.5μA
• ?柵極驅(qū)動(dòng)能力?：峰值源電流311mA，峰值漏電流2370mA
• ?電荷泵性能?：源電流162μA至300μA，漏電流5μA至10μA
• ?溫度范圍?：結(jié)溫-40°C至+150°C

5. 應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：12V和24V電池保護(hù)電路
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括輸入電壓范圍、負(fù)載電流、輸出電容、MOSFET選擇和TVS二極管選擇等
• ?ORing應(yīng)用?：用于冗余電源架構(gòu)，減少正向二極管壓降，提高系統(tǒng)效率

6. 布局指南

• ?引腳連接?：ANODE、GATE和CATHODE引腳應(yīng)靠近MOSFET的SOURCE、GATE和DRAIN引腳
• ?高電流路徑?：使用厚銅跡線以最小化電阻損耗
• ?電容布局?：電荷泵電容應(yīng)遠(yuǎn)離MOSFET以降低熱效應(yīng)

7. 文檔與支持

• ?更新通知?：可通過(guò)TI網(wǎng)站訂閱產(chǎn)品文檔更新
• ?支持資源?：提供TI E2E?在線社區(qū)支持

8. 封裝信息

• ?封裝類型?：6引腳和8引腳SOT-23封裝，尺寸2.90mm × 1.60mm
• ?溫度等級(jí)?：1級(jí)，適合汽車應(yīng)用

9. 注意事項(xiàng)

• ?靜電放電（ESD）防護(hù)?：處理時(shí)需采取適當(dāng)?shù)腅SD防護(hù)措施
• ?熱管理?：高結(jié)溫會(huì)降低器件壽命，設(shè)計(jì)中需考慮散熱
• ?故障處理?：在檢測(cè)到故障時(shí)，設(shè)備將關(guān)閉外部MOSFET，需根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)故障處理邏輯