Texas Instruments LM74703-Q1/LM74704-Q1理想二極管控制器與外部N溝道MOSFET配合使用，作為理想二極管整流器，可利用20mV正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)。3.2V至65V的寬電源輸入范圍可實(shí)現(xiàn)對(duì)常用DC總線電壓的控制，如12V、24V和48V汽車電池系統(tǒng)。支持3.2V輸入電壓，可滿足汽車系統(tǒng)的嚴(yán)苛冷啟動(dòng)要求。該器件可耐受低至-65V的負(fù)電源電壓，且提供負(fù)載保護(hù)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)；*附件：Texas Instruments LM74703-Q1，LM74704-Q1理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

該器件通過控制MOSFET的柵極將正向壓降調(diào)節(jié)至20mV。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件中支持MOSFET平穩(wěn)關(guān)機(jī)，并提供零DC反向電流。該器件能夠快速響應(yīng)（<0.75μs）反向電流阻斷，因此適用于在ISO7637脈沖測(cè)試以及電源故障和輸入微短路條件下要求保持輸出電壓的系統(tǒng)。Texas Instruments LM74703-Q1/LM74704-Q1具有FETGOOD輸出，用于指示外部MOSFET漏源短路或開路情況。該器件具有使能引腳（EN）。當(dāng)使能引腳處于低電平時(shí)，控制器關(guān)閉，消耗約1μA的電流。

功能框圖

Texas Instruments LM74703-Q1/LM74704-Q1 汽車級(jí)理想二極管控制器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品核心特性

LM74703-Q1和LM74704-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級(jí)AEC-Q100認(rèn)證理想二極管控制器，具有以下突出特點(diǎn)：

?關(guān)鍵性能參數(shù)?：

?寬輸入范圍?：3.2V至65V工作電壓（3.9V啟動(dòng)電壓）
?超高耐壓?：-65V反向電壓承受能力
?超低功耗?：
- 1μA關(guān)斷電流（EN=Low）
- 80μA工作靜態(tài)電流（EN=High）
?快速響應(yīng)?：反向電流阻斷時(shí)間<0.75μs
?精準(zhǔn)調(diào)節(jié)?：20mV ANODE至CATHODE引腳正向壓降調(diào)節(jié)
?健康監(jiān)測(cè)?：FETGOOD輸出指示外部MOSFET狀態(tài)

?核心技術(shù)創(chuàng)新?：

集成電荷泵驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET
閉環(huán)調(diào)節(jié)保持20mV恒定正向壓降
零直流反向電流特性
符合汽車ISO7637瞬態(tài)要求（需外接TVS二極管）

二、典型應(yīng)用場(chǎng)景

1. 汽車電子系統(tǒng)

ADAS攝像頭模塊電源保護(hù)
信息娛樂系統(tǒng)（數(shù)字儀表盤、主機(jī)單元）
車身電子與照明系統(tǒng)

2. 工業(yè)電源設(shè)計(jì)

冗余電源主動(dòng)ORing控制
24V/48V工業(yè)總線保護(hù)
電信設(shè)備電源備份系統(tǒng)

三、設(shè)計(jì)要點(diǎn)指南

1. MOSFET選型建議

參數(shù)	推薦值	說明
VDS	≥60V	需高于最大輸入電壓
VGS(th)	2-2.5V	確保低壓啟動(dòng)可靠
RDS(on)	6.67-16.67mΩ	3A負(fù)載時(shí)壓降20-50mV
ID	≥6A	考慮2倍余量

2. 典型外圍電路配置

?輸入保護(hù)?：
- 雙向TVS二極管（12V系統(tǒng)用SMBJ33CA）
- 最小22nF輸入電容
?電荷泵?：
- 0.1μF陶瓷電容（CVCAP）
- 布局遠(yuǎn)離發(fā)熱元件
?輸出濾波?：
- 47μF電解電容（應(yīng)對(duì)ISO7637脈沖）

3. PCB布局關(guān)鍵點(diǎn)

功率路徑：
- 源極/漏極走線寬度≥50mil
- 避免直角走線
信號(hào)完整性：
- GATE引腳就近連接MOSFET
- FETGOOD走線遠(yuǎn)離開關(guān)節(jié)點(diǎn)
熱設(shè)計(jì)：
- MOSFET預(yù)留1.5mm2散熱區(qū)
- 多層板建議使用熱過孔

四、性能測(cè)試數(shù)據(jù)

1. 動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性

?冷啟動(dòng)性能?：3.2V輸入正常啟動(dòng)
?反向阻斷?：0.5-0.75μs響應(yīng)時(shí)間
?故障檢測(cè)?：MOSFET短路診斷時(shí)間<60μs

2. 效率表現(xiàn)

在12V輸入、3A負(fù)載條件下：

導(dǎo)通損耗僅60mW（20mV×3A）
系統(tǒng)效率>99%（相比肖特基二極管方案）

五、故障診斷與處理

1. FETGOOD狀態(tài)解析

狀態(tài)	可能原因	處理措施
低電平	MOSFET短路/開路	檢查MOSFET焊接
	電荷泵電壓不足	測(cè)量VCAP+-電壓
	使能信號(hào)異常	驗(yàn)證EN引腳電平

2. 常見問題解決方案

?啟動(dòng)失敗?：
檢查VANODE>3.9V且EN>2V
?過熱保護(hù)?：
優(yōu)化MOSFET散熱設(shè)計(jì)
?EMI超標(biāo)?：
增加輸入共模電感

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