在電子系統(tǒng)中，當單顆MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）無法滿足電壓、電流或功率要求時，多顆二極管并聯(lián)或串聯(lián)使用便成為一種常見解決方案。然而，多顆配置雖然看似簡單，實則隱藏著諸多設(shè)計陷阱。如果未加以合理匹配或保護，反而可能引起電壓不穩(wěn)、熱失控、器件損壞等問題。作為現(xiàn)場應(yīng)用工程師（FAE），我們必須深刻理解其工作機制，指導(dǎo)客戶合理使用多顆Zener配置，提升電路可靠性。
一、串聯(lián)使用：提升穩(wěn)壓電壓的有效手段
1.應(yīng)用場景
當所需穩(wěn)壓電壓高于單顆Zener擊穿電壓上限（如需15V、24V或更高電壓）時，可采用多顆Zener串聯(lián)疊加電壓。例如，兩個6.8V Zener串聯(lián)后可獲得約13.6V的穩(wěn)壓電壓。
2.設(shè)計要點
選型配對：盡量選用同型號、同批次的器件，以減少電壓偏差。
溫度一致性：串聯(lián)器件應(yīng)靠近布置，確保受熱一致，防止某顆器件因溫漂特性不同而承擔不均壓。
加平衡電阻：為防止電壓不均勻分擔，可在每顆Zener并聯(lián)一個高阻值電阻（如100kΩ~1MΩ）進行電壓均衡。
總功耗計算：串聯(lián)后，總電壓為各Zener之和，但電流一致，因此各顆器件的功耗需分別計算，確保不超額。
3.注意事項
電壓容差累計：Zener二極管本身存在±5%或±10%的容差，串聯(lián)后會疊加誤差，需考慮整體穩(wěn)壓精度。
總功率限制：若單顆Zener最大功率為1W，串聯(lián)后總功耗不能超過每顆額定功率。
二、并聯(lián)使用：擴展電流能力與冗余備份手段
1.應(yīng)用場景
在高電流鉗位、浪涌吸收等場合，單顆Zener的功耗不足以承受負載，可將多顆相同電壓的Zener并聯(lián)分擔電流，例如在TVS應(yīng)用中。
2.并聯(lián)的核心挑戰(zhàn)：分流不均
由于Zener的擊穿電壓具有微小差異，哪怕相差幾十毫伏，也會導(dǎo)致電流集中在壓值最低的那顆器件上，使其提前過熱擊穿，繼而失效，電流轉(zhuǎn)移至下一顆，最終形成“多米諾失效”。
3.解決辦法
選型嚴格匹配：使用同型號、同批次器件，同時優(yōu)選“精密等級”（如±2%以內(nèi)）的Zener。
加限流電阻：為每顆Zener串聯(lián)小電阻（如1Ω~10Ω），幫助電流自動均衡。
選擇專用器件：如大功率單體Zener或TVS陣列芯片，避免分立并聯(lián)導(dǎo)致的問題。
用熱設(shè)計輔助均流：避免某一顆散熱效果過好或過差導(dǎo)致負載不均。
4.實戰(zhàn)舉例
在某客戶設(shè)計的RS485通信口浪涌保護電路中，采用了兩顆18V/1W Zener并聯(lián)用于共模浪涌抑制。但實測發(fā)現(xiàn)其中一顆Zener異常發(fā)熱并失效。通過分析，發(fā)現(xiàn)兩顆器件Vz存在40mV偏差，且未加入限流電阻。后續(xù)通過在每顆Zener前串聯(lián)4.7Ω電阻后，電流明顯均分，器件溫升顯著降低，系統(tǒng)恢復(fù)穩(wěn)定運行。
三、替代與進階方案
串聯(lián)Zener替代高壓參考源：對于需要精確電壓源的應(yīng)用，推薦改用TL431等可調(diào)精密參考源，其輸出更穩(wěn)定，溫漂更小。
并聯(lián)使用時優(yōu)先考慮TVS陣列器件：如ESD、浪涌吸收等應(yīng)用，TVS二極管在制造中已進行電壓匹配，遠比人工分立匹配更可靠。
所以說，多顆MDD Zener二極管串并聯(lián)使用雖然可以突破單器件的電壓、電流或功率限制，但若設(shè)計不當，則容易因參數(shù)差異導(dǎo)致不均壓、不均流、器件熱失控等問題。作為FAE，我們應(yīng)深入理解其電氣行為，引導(dǎo)客戶在產(chǎn)品選型、布局設(shè)計、熱管理等方面采取有效措施，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與可靠性。真正做到“用對一顆二極管，守住一整個系統(tǒng)”。