前言

TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝和TOLT（Transistor Outline Leaded Topside）封裝均屬于TOLx封裝家族，兩者在多個方面存在顯著差異。

一、散熱方式及熱性能

TOLL封裝：

采用底部散熱方式。

散熱路徑相對較長：熱量從Junction傳導至Case，再通過Solder傳導至PCB，然后通過VIAs（高密過孔）至散熱器。散熱路徑相對較長：Junction → Case → Solder → PCB → VIAs → PCB → TIM → Heatsink。

由于散熱路徑較長，可能在一定程度上影響散熱效率。

TOLT封裝：

采用頂部散熱方式。

散熱路徑更短：熱量直接從Junction傳導至Case，然后通過TIM（熱界面材料）直接傳導至Heatsink（散熱器）。頂部散熱方式使得散熱路徑更短：Junction → Case → TIM → Heatsink。

頂部散熱方式顯著優(yōu)化了器件的散熱能力，降低了散熱成本，提高了器件的可靠性和性能。

測試分析表明，TOLT封裝能夠顯著降低GaN開關管和散熱器之間的熱阻，相較于TOLL封裝，TOLT封裝的Rth（j-heatsink）可降低約30%，能將90%以上的熱量通過散熱器傳遞。

二、占板面積與布局

TOLL封裝：

由于采用底部散熱方式，驅動器無法布局在功率器件背面，因此占板面積相對較大。

TOLT封裝：

GaN功率器件下方無電氣連接且發(fā)熱少，因此可以將驅動器背面布線。

更好的實現驅動走線的磁場相消，在高密電源中減少了布板面積，有利于功率密度的提升。

三、應用場景

TOLL封裝：

已廣泛應用于數據中心、逆變儲能、電動汽車等大電流應用場景。

TOLT封裝：

主要面向需要更好熱性能的應用，如電動腳踏車、輕型電動車（LEV）、電動工具和電池管理系統等。

也適用于高功率密度設計，如OptiMOS? 5功率MOSFET等高性能產品。