2022年5月11日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless (TOLL) 封裝的碳化硅
2022-05-11 11:45:30
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由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。
2022-07-27 14:55:161314 由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。
2022-09-06 11:59:102305 
通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。
2020-08-27 17:44:171445 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---
2023-09-04 15:13:402087 
TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的Supe
2023-11-07 17:51:231546 
TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)
2024-01-19 15:39:361261 中國(guó) 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型
2024-06-14 15:29:581291 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 TOLL（TO-LeadLess，薄型無(wú)引腳）封裝得益于其高密度、小型化的特性，在近年受到了功率半導(dǎo)體廠商的關(guān)注，在SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體中得到越來(lái)越多的應(yīng)用。 ? 近期
2025-12-20 07:40:009994 TOLL Schottky SKY 肖特基二極管，大電流應(yīng)用時(shí)的應(yīng)用注意事項(xiàng)!
48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源，48V 10A的注意事項(xiàng)Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁(yè)面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
，究竟它是如何辦到的？讓我們來(lái)進(jìn)一步深入了解?！ ⊥ㄟ^(guò)TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件，正如其開發(fā)的目的，結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能，它在
2020-07-07 08:40:25
TLP291-4，LTV-247，PS2801-4，分別由東至、光寶、瑞薩生產(chǎn)，它們是可以相互直接替換的，其中TLP291-4具有優(yōu)異的性價(jià)比，四通道光耦能直接取代4顆單通道SSOP封裝的晶體管輸出
2017-06-27 16:31:26
;>TO-247封裝圖</font><br/></p><p><a
2008-06-11 13:24:17
設(shè)計(jì)。 01 TO-247-3與TO-247-4兩種封裝類型介紹 圖1 傳統(tǒng)TO-247-3封裝的MOSFET類型 傳統(tǒng)的TO-247-3封裝的MOSFET類型如圖1所示，其管腳由柵極、漏極和源極構(gòu)成。從
2023-02-27 16:14:19
、IGBT、可控硅、電源模塊、整流橋、功率電阻等領(lǐng)域工藝與技術(shù)已經(jīng)趨于完善?！ O-247-3L封裝結(jié)構(gòu)與尺寸表 TO-247-2L封裝結(jié)構(gòu)與尺寸表 TO247安裝注意事項(xiàng)： TO247
2020-09-24 15:57:31
，ID為40A，具體參數(shù)可到羅姆官網(wǎng)下載datsheet，這里不多余介紹。評(píng)估板上默認(rèn)是沒(méi)有焊接SIC MOSFET的，預(yù)留了兩種不同封裝的孔位。羅姆推薦評(píng)估的是TO-247-4L封裝的，那么我也同樣先
2020-05-09 11:59:07
。碳化硅有優(yōu)點(diǎn)相當(dāng)突出。是半導(dǎo)體公司兵家必爭(zhēng)之地。應(yīng)用場(chǎng)景;評(píng)估板采用常見的半橋電路配置，并配有驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電源、過(guò)電流保護(hù)電路及柵極信號(hào)保護(hù)電路等評(píng)估板的主要特點(diǎn)如下：? 可評(píng)估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
開關(guān)損耗。測(cè)試中使用的是最大額定值（RDS（on））為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產(chǎn)品（型號(hào)：SCT3040KL）沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049179 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:004371 TO-247封裝TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標(biāo)準(zhǔn)的序號(hào)。常見的TO-247AC和TO-247AD應(yīng)該都是vishay的名稱。TO-247封裝尺寸介于模塊與單管之間
2018-12-07 16:52:2612732 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)HMC247相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有HMC247的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，HMC247真值表，HMC247管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 15:34:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Broadcom(ti)247E-1490相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有247E-1490的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，247E-1490真值表，247E-1490管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-07-04 10:56:01
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Broadcom(ti)247E-1310相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有247E-1310的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，247E-1310真值表，247E-1310管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-07-04 10:56:01
TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標(biāo)準(zhǔn)的序號(hào)。常見的TO-247AC和TO-247AD應(yīng)該都是vishay的名稱。
2020-10-02 18:02:0035206 
EE-247：AD7676 ADC與ADSP-21065L SHARC?處理器接口
2021-05-20 19:59:18
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC247A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DC247A的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DC247A真值表，DC247A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-03 06:00:02
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET。該
2022-05-11 11:29:333577 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 。該組件基于“級(jí)聯(lián)”電路的獨(dú)特配置。帶 R DS(on)不到競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的一半，該器件的短路耐受時(shí)間為 5 μs。樣品采用 TO-247-4L 封裝，具有四個(gè)引腳，部分采用 TO-247-3L 封裝，具有三個(gè)引腳。
2022-07-29 09:14:201232 
產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì) TOLL是一種表面貼裝型封裝，所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬于4引腳型封裝，能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開爾文連接，從而減小封裝中源極線的電感，進(jìn)而發(fā)揮MOSFET
2022-09-05 10:36:0413328 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?目前ROHM有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。
2023-02-09 10:19:201556 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。
2023-02-09 10:19:211201 
采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 具有優(yōu)異的高頻特性，在高頻應(yīng)用中，傳統(tǒng)的TO-247封裝會(huì)制約其高頻特性。瑞森半導(dǎo)體因應(yīng)客戶需求及為進(jìn)一步提升碳化硅MOS性能，特開發(fā)出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產(chǎn)品。 ?
2023-02-20 16:02:420 應(yīng)對(duì)大電流場(chǎng)景的“法寶”，WAYON維安TOLL MOSFET優(yōu)勢(shì)講解由代理商KOYUELEC光與電子為您提供技術(shù)交流服務(wù)，歡迎來(lái)我司考察進(jìn)行技術(shù)交流合作，謝謝。 維安TOLL封裝的功率MOSFET
2023-02-28 10:59:442117 
全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無(wú)引線（TOLL）封裝技術(shù)，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)
2023-04-11 15:55:091329 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:523619 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42998 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:582148 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:342881 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:573361 
據(jù)介紹，他們的新一代產(chǎn)品是基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā)，主要有4款新產(chǎn)品（K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3M080120-R4），導(dǎo)通電阻有80mΩ和40mΩ可選，封裝方式有TO-247-3L、TO-247-4L，工作結(jié)溫高達(dá)175℃。
2023-08-28 17:39:355136 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:322086 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡(jiǎn)化了熱管理。
2023-11-20 10:24:002169 
通過(guò)碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計(jì)算的前沿
2023-11-23 09:04:411786 
全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN
2024-01-18 14:12:111332 和TO247封裝之間的區(qū)別。 首先，我們來(lái)介紹一下HIP247封裝。HIP247封裝的全稱為Heptawatt 高繼電功率封裝，是由施耐德(SEMETEY)公司開發(fā)的一種新型封裝。它是基于TO-247封裝
2024-03-12 15:34:435624 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-04-17 14:02:491619 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級(jí)的需求。
2024-05-06 15:20:521273 納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列，該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-05-13 15:27:391829 MOT在當(dāng)今日新月異的電子科技領(lǐng)域，高效、可靠、穩(wěn)定的電子元器件顯得尤為重要。而仁懋，作為一家專業(yè)做MOS的智能制造公司，憑借其創(chuàng)新的TOLL封裝技術(shù)，為BMS保護(hù)板領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的突破。ONE.
2024-05-15 08:36:452421 
中國(guó) 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型
2024-06-12 14:04:44950 圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF011L1D4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF011L1D4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-06-13 18:47:07
MOTTOLL產(chǎn)品綠色新能源MOT仁懋TOLL封裝MOS在藍(lán)天白云、綠水青山的呼喚下，全球正迎來(lái)一場(chǎng)能源革命。隨著能源危機(jī)的日益緊迫和環(huán)保意識(shí)的深入人心，新能源技術(shù)如雨后春筍般蓬勃發(fā)展。在這場(chǎng)能源
2024-06-14 08:36:442434 圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF011L1U4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF011L1U4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-06-17 19:08:15
的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF012L1C4M-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF012L1C4M-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-07-05 18:48:03
圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF021L1C4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF021L1C4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-07-18 19:04:39
圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF021L1U4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF021L1U4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-07-24 18:39:33
TOLL封裝肖特基二極管產(chǎn)品
2024-08-06 08:43:101112 
圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF022L1C4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF022L1C4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-08-08 18:54:03
圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF022L1D4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF022L1D4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-08-12 18:44:46
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2024-08-16 18:38:18
圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF022L1V4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF022L1V4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-08-19 19:07:43
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2024-08-19 19:27:11
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2024-09-10 19:01:33
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2024-09-18 18:38:12
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2024-09-19 18:48:41
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。
2024-10-08 17:29:012554 圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF042L1C4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF042L1C4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2024-10-10 19:17:16
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2024-10-14 19:08:10
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2024-10-14 19:17:06
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-10-29 13:54:371064 
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2024-11-05 18:55:16
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2024-11-19 19:03:08
MBR6045PT肖特基二極管TO-247AD封裝參數(shù)詳情
2024-11-23 17:01:451612 
新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引腳封裝，以第1代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2024-11-23 01:04:061262 
MBR60100PT肖特基二極管TO-247AD封裝參數(shù)詳情介紹
2024-12-02 18:15:531560 
MOS產(chǎn)品朝著高性能、低功耗、高安全、高穩(wěn)定性和高可靠性等方向演進(jìn)，如何才能做出更好的MOS產(chǎn)品？好的封裝是提升性能的一個(gè)關(guān)鍵。TOLL封裝是一種無(wú)引線的器件封裝技術(shù)，它具有低封裝電阻、寄生電感低
2024-12-27 09:17:461583 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-247：AD7676 ADC與ADSP-21065L SHARC處理器接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:45:140 圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF092L1C4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF092L1C4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-01-09 19:04:07
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2025-01-10 18:53:10
TOLL封裝MOS管廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn)，TOLL封裝MOS管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
2025-02-07 17:14:041927 在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等萬(wàn)億級(jí)賽道爆發(fā)的當(dāng)下，國(guó)產(chǎn)功率器件的"卡脖子"困境正被打破。作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，仁懋電子憑借其TOLL（TO-Leadless）封裝
2025-02-08 17:06:241272 圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MHMF012L1D4-MINAS A6N系列 介紹真值表，MHMF012L1D4-MINAS A6N系列 介紹管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-02-21 19:02:10
TOLL封裝肖特基二極管在PD快充領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，主要得益于其緊湊設(shè)計(jì)、高效散熱和優(yōu)異的電氣性能，以下為具體分析：
2025-04-15 08:58:22843 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝和TOLT（Transistor Outline Leaded Topside）封裝均屬于TOLx封裝家族，兩者在多個(gè)方面存在顯著差異。
2025-05-13 17:28:592470 在工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET需求日益攀升的當(dāng)下，半導(dǎo)體封裝技術(shù)的革新成為關(guān)鍵。仁懋的TOLL和TOLT封裝系列作為TOLx封裝家族的重要成員，各自憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在不同領(lǐng)域大放異彩。今天，我們就來(lái)深入探究
2025-06-04 17:22:421170 季豐電子極速封裝部再添 “新戰(zhàn)力”—— 正式具備 TO247-3P 封裝能力！這一技術(shù)突破不僅代表我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">封裝領(lǐng)域邁上一個(gè)新的臺(tái)階，同時(shí)將為廣大客戶帶來(lái)更適配、更高效的封裝解決方案，助力客戶產(chǎn)品研發(fā)加速落地。
2025-07-28 15:17:44911 新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有
2025-09-08 17:06:34932 在如BMS、電機(jī)控制、負(fù)載開關(guān)的12V/24V電源系統(tǒng)中，高電流容量、低損耗與可靠性是核心需求，合科泰新推出的HKTS190N03與HKTS190N04的TOLL4封裝MOS管，正是針對(duì)這類場(chǎng)景
2025-11-17 14:49:15618 新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動(dòng)汽車充電、儲(chǔ)能
2025-11-17 17:02:541207 在功率電子設(shè)備向小型化、高效化發(fā)展的當(dāng)下，合科泰TOLL4封裝是超結(jié)MOS管HKTS13N65，憑借超結(jié)工藝與TOLL4封裝的協(xié)同優(yōu)化，成為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)等領(lǐng)域提升功率密度的核心選擇。這款N
2025-11-26 09:42:00547 
在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET一直是電源設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V、44mΩ、47A的N溝道SiC功率MOSFET，采用TO247 - 4L封裝。
2025-12-08 15:02:32326 
新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術(shù)與高爬電距離的堅(jiān)固
2026-01-04 17:06:49688
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