UCC27311A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè) N 溝道 MOSFET，絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3.7A 峰值拉電流和 4.5A 峰值灌電流能力使UCC27311A能夠在米勒平臺(tái)過(guò)渡期間以最小的開(kāi)關(guān)損耗驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS 引腳） 可以處理負(fù)瞬態(tài)電壓，從而可以保護(hù)高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響。
*附件：ucc27311a.pdf

輸入與電源電壓無(wú)關(guān)，能夠承受 -10V 和 +20V 的絕對(duì)最大額定值。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器在導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 4ns，并分別通過(guò) LI 和 HI 輸入引腳進(jìn)行控制。片內(nèi) 120V 額定電壓自舉二極管，無(wú)需添加分立式自舉二極管。高壓閉鎖 （UVLO） 適用于高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，可提供對(duì)稱(chēng)的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并在驅(qū)動(dòng)電壓低于指定閾值時(shí)強(qiáng)制輸出為低電平。

特性

• 在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
• HB 引腳上的最大電壓為 120V abs
• 3.7A 灌電流、4.5A 拉電流輸出電流
• 8V 至 17V VDD 工作范圍 （最大 20V 絕對(duì)值），帶 UVLO
• HS 引腳上的 –（28–VDD）V abs 最大負(fù)瞬態(tài)容差（<100ns 脈沖）
• –10V 至 +20V 絕對(duì)最大輸入引腳容差，與電源電壓范圍無(wú)關(guān)（TTL 兼容）
• 切換參數(shù)：
  • 20ns 典型傳播延遲時(shí)間
  • 7.2ns 上升時(shí)間，5.5ns 下降時(shí)間，1000pF 負(fù)載
  • 4ns 典型延遲匹配
• 集成自舉二極管
• 禁用時(shí)具有低電流消耗（典型值為 3μA）的啟用/禁用功能

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱(chēng)?：UCCA
• ?類(lèi)型?：V, .A/.A半橋驅(qū)動(dòng)器
• ?特點(diǎn)?：具備V UVLO（欠壓鎖定）和使能功能
• ?應(yīng)用?：適用于太陽(yáng)能電源優(yōu)化器、微逆變器、電信和商用電源、在線(xiàn)和離線(xiàn)UPS、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電池測(cè)試設(shè)備等

二、主要特性

• ?驅(qū)動(dòng)能力?：
  • 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET，半橋或同步降壓配置
  • .A源電流，.A沉電流
• ?電壓范圍?：
  • VDD工作范圍：V至V（絕對(duì)最大V）
  • HB引腳絕對(duì)最大電壓：V
  • HS引腳負(fù)瞬態(tài)電壓耐受：-(-VDD)V（
  • 輸入引腳耐受電壓：-V至+V（獨(dú)立于供電電壓范圍）
• ?開(kāi)關(guān)參數(shù)?：
  • 典型傳播延遲：ns
  • 上升/下降時(shí)間：.ns/.ns（pF負(fù)載）
  • 延遲匹配：ns（典型）
• ?集成功能?：V自舉二極管，使能/禁用功能（禁用時(shí)低功耗）

三、電氣特性

• ?絕對(duì)最大額定值?：定義了VDD、HI/LI輸入、EN輸入、LO/HO輸出、HS、HB等引腳的電壓范圍和工作結(jié)溫。
• ?推薦工作條件?：包括VDD、HS、HB電壓范圍及操作結(jié)溫。
• ?電氣參數(shù)?：
  • 靜態(tài)電流：包括VDD靜態(tài)電流、HB靜態(tài)電流等。
  • 輸入閾值電壓：HI、LI輸入的高/低閾值。
  • 使能閾值電壓：?jiǎn)⒂?禁用閾值。
  • 輸出特性：LO、HO的高/低電平輸出電壓，峰值拉/灌電流。

四、保護(hù)功能

• ?UVLO保護(hù)?：監(jiān)控VDD和HB電壓，低于閾值時(shí)關(guān)斷輸出。
• ?熱關(guān)斷?：防止因過(guò)熱而損壞。

五、封裝與尺寸

• ?封裝類(lèi)型?：VSON（DRC），引腳
• ?尺寸?：mm × mm（體尺寸）

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：半橋或同步降壓配置，驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括輸入閾值類(lèi)型、VDD偏置電壓、峰值源/沉電流、傳播延遲、功率耗散等。

七、布局指導(dǎo)

• ?關(guān)鍵布局原則?：
  • 驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近MOSFET。
  • VDD和GND、HB和HS電容靠近驅(qū)動(dòng)器放置。
  • 注意GND和HS節(jié)點(diǎn)的處理。
  • 使用寬跡線(xiàn)，多過(guò)孔。
  • 避免輸入信號(hào)靠近高dV/dt跡線(xiàn)。

八、文檔與支持

• ?支持資源?：包括TI EE支持論壇、相關(guān)文檔鏈接、貿(mào)易標(biāo)記、靜電放電警告等。