UCC27201A-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管和具有獨(dú)立輸入的高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這允許在半橋、全橋、雙開關(guān)正激和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行 N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器由獨(dú)立控制，并在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 1ns。為了提高在嘈雜電源環(huán)境中的性能，UCC27201A-Q1 的 HS 引腳能夠承受絕對(duì)最大 -18V。
*附件：ucc27201a-q1.pdf

片上自舉二極管消除了外部分立二極管。如果驅(qū)動(dòng)電壓低于指定閾值，則為高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供欠壓鎖定，強(qiáng)制輸出為低電平。

UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容閾值，并采用帶導(dǎo)熱墊的 8 引腳 SOIC 封裝。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用：器件溫度等級(jí) 1
• –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
• HS 上的負(fù)電壓處理：-18V
• 在高側(cè)/低側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 最大啟動(dòng)電壓：120V
• 最大 VDD 電壓：20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自舉二極管
• 22ns 傳播延遲時(shí)間
• 3A 灌電流、3A 拉電流輸出電流
• 1000pF 負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間 7ns 下降時(shí)間
• 1ns 延遲匹配
• 用于高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓鎖定
• 采用 8 引腳 PowerPad? SOIC-8 （DDA） 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

UCC1A-Q1是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的高頻N通道MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)器，具有AEC-Q資質(zhì)。它能夠在-0°C至+°C的結(jié)溫范圍內(nèi)工作，適用于各種汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器、兩輪和三輪車的牽引驅(qū)動(dòng)及電池組、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、無線充電和智能玻璃模塊等應(yīng)用。

2. 主要特性

• ?高電壓與電流能力?：最大自舉電壓達(dá)0V，最大VDD電壓為0V，提供3A的源電流和3A的灌電流。
• ?快速響應(yīng)?：ns的傳播延遲時(shí)間，ns的上升時(shí)間和7ns的下降時(shí)間（pF負(fù)載），ns的延遲匹配。
• ?負(fù)電壓處理能力?：HS引腳可承受高達(dá)-8V的負(fù)電壓。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均具備UVLO功能，確保在電壓不足時(shí)輸出保持低電平。
• ?熱增強(qiáng)封裝?：采用8引腳PowerPad SOIC封裝，具有優(yōu)異的熱性能。

3. 功能描述

3.1 輸入階段

• 輸入采用TTL兼容閾值，具有kΩ的標(biāo)稱輸入阻抗和約pF的輸入電容。
• 輸入階段包含下拉電阻，提供低電壓和獨(dú)立于VDD的閾值電壓。

3.2 UVLO保護(hù)

• VDD和VHB至VHS的差分電壓均受UVLO監(jiān)控，確保在電壓不足時(shí)關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器。
• VDD的UVLO閾值為7.1V，具有0.5V的遲滯；VHB的UVLO閾值為6.7V，具有0.4V的遲滯。

3.3 電平移位

• 電平移位電路實(shí)現(xiàn)高側(cè)輸入到高側(cè)驅(qū)動(dòng)級(jí)的接口，提供與高側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓的電平匹配。

3.4 自舉二極管

• 內(nèi)部集成自舉二極管，省去了外部離散二極管，提供快速恢復(fù)時(shí)間和低二極管電阻。

3.5 輸出階段

• 輸出階段具有高擺率、低電阻和高峰值電流能力，適用于高效切換功率MOSFET。

4. 應(yīng)用指南

4.1 應(yīng)用信息

• UCC1A-Q1適用于需要快速切換功率器件并減少切換功率損失的應(yīng)用。
• 在數(shù)字電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)器將3.3V邏輯信號(hào)提升至柵極驅(qū)動(dòng)電壓，以完全開啟功率器件并最小化導(dǎo)通損失。

4.2 典型應(yīng)用

• 提供了典型應(yīng)用電路圖，包括PWM控制器、驅(qū)動(dòng)電路和隔離反饋等部分。
• 強(qiáng)調(diào)了布局的重要性，建議將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近MOSFET放置，并使用寬跡線以減少寄生電感。

5. 電源建議

• 推薦使用.2μF至1.0μF的旁路電容連接VDD和VSS，以及.μF至.μF的旁路電容連接HB和HS。
• VDD的電壓范圍建議為V至V，以確保UVLO功能和避免超過絕對(duì)最大額定值。