IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
名詞解釋:
1. 靜電放電(ESD):指具有不同靜電電位的物體相互靠近或直接接觸時(shí),電荷由高電位物體向低電位物體轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象。
2. 靜電敏感設(shè)備(SSD):對(duì)靜電放電敏感,易因靜電而損壞的電子器件,IGBT屬于典型的SSD。
3. 防靜電區(qū)域(EPA):采取特殊防靜電措施,將靜電危害控制在規(guī)定水平內(nèi)的特定工作區(qū)域。
一、IGBT靜電敏感性原理
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,其輸入級(jí)為MOS結(jié)構(gòu),而MOS結(jié)構(gòu)的絕緣柵氧化層非常薄,一般厚度僅為0.1-0.2μm 。這使得IGBT對(duì)靜電極其敏感,因?yàn)殪o電產(chǎn)生的高電壓(通常可達(dá)數(shù)千伏甚至上萬伏)和瞬間強(qiáng)電流,極易突破絕緣柵氧化層的耐壓極限,造成柵極氧化層擊穿,進(jìn)而導(dǎo)致器件永久性損壞。此外,靜電放電(ESD)還可能引發(fā)器件參數(shù)漂移、性能下降,影響設(shè)備的正常運(yùn)行和使用壽命。
二、IGBT使用過程中的防靜電注意事項(xiàng)
(一)人員操作注意事項(xiàng)
1. 穿戴要求:在接觸IGBT器件前,操作人員必須穿戴全套防靜電裝備,包括防靜電工作服、防靜電鞋、防靜電手套和防靜電腕帶。防靜電工作服采用防靜電面料制成,能夠有效導(dǎo)除人體產(chǎn)生的靜電;防靜電鞋通過與防靜電地面形成導(dǎo)電通路,將人體靜電及時(shí)釋放;防靜電手套可避免手部直接接觸器件時(shí)產(chǎn)生靜電;防靜電腕帶需佩戴在手腕上,并通過接地導(dǎo)線與接地系統(tǒng)相連,確保人體靜電始終處于被釋放狀態(tài),其接地電阻通常在1MΩ左右。
2. 操作規(guī)范:拿取IGBT器件時(shí),應(yīng)手持器件的引腳部分,避免直接觸碰器件的表面和柵極引腳。如果必須接觸柵極引腳,需先對(duì)人體進(jìn)行充分的靜電釋放,例如觸摸接地的金屬物體,以防止人體靜電對(duì)器件造成損害。進(jìn)入EPA區(qū)域前,操作人員應(yīng)在入口處的人體靜電釋放裝置上觸摸10 - 15秒,釋放身體靜電。若需觸碰柵極引腳,必須先使用防靜電鑷子等工具進(jìn)行操作。在操作過程中,避免快速移動(dòng)、大幅度擺動(dòng)身體或摩擦衣物,防止因動(dòng)作產(chǎn)生靜電。
(二)環(huán)境要求
1. 溫濕度控制及存儲(chǔ)位置:IGBT的存放和使用環(huán)境應(yīng)保持穩(wěn)定的溫濕度。一般來說,環(huán)境溫度應(yīng)控制在20℃-25℃,相對(duì)濕度控制在40%-60% 。適宜的濕度能夠降低空氣中靜電的產(chǎn)生,因?yàn)槌睗竦目諝饪梢晕讲糠朱o電電荷,減少靜電積累;而穩(wěn)定的溫度則有助于維持器件性能的穩(wěn)定性。建議安裝溫濕度監(jiān)控設(shè)備,實(shí)時(shí)記錄環(huán)境參數(shù),當(dāng)溫濕度超出范圍時(shí)及時(shí)報(bào)警并采取調(diào)節(jié)措施。 將IGBT存儲(chǔ)架放置在遠(yuǎn)離門窗、空調(diào)出風(fēng)口等易產(chǎn)生氣流擾動(dòng)的區(qū)域,避免因空氣流動(dòng)產(chǎn)生摩擦靜電。
2. 地面和工作臺(tái)面處理:使用防靜電地面,如防靜電地板或防靜電地坪漆,其表面電阻應(yīng)在10? - 1012Ω之間,確保能夠有效導(dǎo)除靜電。工作臺(tái)面需鋪設(shè)防靜電桌墊,桌墊通過接地導(dǎo)線與接地系統(tǒng)相連,接地電阻不大于10Ω,為靜電提供良好的泄放通道。同時(shí),避免在工作臺(tái)面上放置易產(chǎn)生靜電的物品,如塑料、橡膠制品等。
3.防靜電區(qū)域(EPA)建設(shè):EPA區(qū)域地面應(yīng)鋪設(shè)防靜電地板或涂刷防靜電地坪漆,表面電阻需滿足10? - 1012Ω標(biāo)準(zhǔn)。地板應(yīng)定期進(jìn)行清潔和維護(hù),防止灰塵和污垢影響防靜電性能。
(三)器件存儲(chǔ)和運(yùn)輸注意事項(xiàng)
1. 存儲(chǔ)容器選擇:IGBT器件應(yīng)存放在防靜電容器中,如防靜電塑料盒、防靜電屏蔽袋等。防靜電屏蔽袋采用金屬化塑料薄膜制成,具有良好的靜電屏蔽性能,能夠有效屏蔽外部靜電場(chǎng),防止外部靜電對(duì)器件的影響。防靜電周轉(zhuǎn)箱的箱體由防靜電材料注塑成型,表面電阻值在10? - 1012Ω之間,具備良好的靜電耗散能力。器件在存儲(chǔ)過程中,應(yīng)避免相互碰撞和擠壓,防止因機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致器件損壞。
2. 運(yùn)輸保護(hù):器件在運(yùn)輸前需單獨(dú)使用防靜電屏蔽袋包裝,袋內(nèi)可放置干燥劑防止受潮。多個(gè)包裝好的IGBT器件應(yīng)整齊擺放在防靜電周轉(zhuǎn)箱內(nèi),箱內(nèi)使用防靜電泡沫或海綿進(jìn)行填充,確保器件在運(yùn)輸過程中不會(huì)相互碰撞或晃動(dòng)。
3.運(yùn)輸工具與路線選擇:優(yōu)先選擇具備防靜電功能的運(yùn)輸車輛,車廂內(nèi)部鋪設(shè)防靜電地板或防靜電墊。 規(guī)劃運(yùn)輸路線時(shí),盡量避開強(qiáng)電磁干擾區(qū)域和可能產(chǎn)生大量靜電的場(chǎng)所,如化工廠、加油站附近等。
三、IGBT防靜電防護(hù)措施
(一)接地措施
1. 設(shè)備接地:所有與IGBT器件相關(guān)的設(shè)備,如焊接設(shè)備、測(cè)試儀器等,都必須可靠接地。接地電阻應(yīng)小于4Ω,通過良好的接地,能夠?qū)⒃O(shè)備在運(yùn)行過程中產(chǎn)生的靜電及時(shí)導(dǎo)入大地,避免靜電積累對(duì)器件造成損害。
2. 工作區(qū)域接地:整個(gè)工作區(qū)域應(yīng)建立完善的接地系統(tǒng),包括防靜電工作臺(tái)、防靜電地面等都要與接地系統(tǒng)相連。定期檢查接地系統(tǒng)的有效性,確保接地連接牢固,接地電阻符合要求。
(二)靜電中和措施 在IGBT器件的生產(chǎn)、組裝和測(cè)試等環(huán)節(jié),可以使用離子風(fēng)機(jī)、離子風(fēng)槍等靜電消除設(shè)備。這些設(shè)備通過產(chǎn)生正負(fù)離子,中和空氣中的靜電電荷,降低環(huán)境中的靜電電位。離子風(fēng)機(jī)應(yīng)安裝在工作區(qū)域的上方或周圍,確保能夠有效覆蓋整個(gè)工作區(qū)域;離子風(fēng)槍則適用于局部區(qū)域的靜電消除,如在對(duì)器件進(jìn)行焊接、測(cè)試前,可使用離子風(fēng)槍對(duì)器件和操作區(qū)域進(jìn)行靜電消除。使用離子風(fēng)槍對(duì)IGBT器件進(jìn)行局部靜電消除時(shí),應(yīng)保持槍口與器件距離在10 - 20cm,吹掃時(shí)間控制在5 - 10秒。
(三)靜電監(jiān)測(cè)與預(yù)警措施
在IGBT的使用環(huán)境中安裝靜電監(jiān)測(cè)設(shè)備,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)環(huán)境中的靜電電位和靜電電荷量。當(dāng)靜電電位超過設(shè)定閾值(一般為±100V)時(shí),監(jiān)測(cè)設(shè)備應(yīng)及時(shí)發(fā)出警報(bào),提醒操作人員采取相應(yīng)的防靜電措施。同時(shí),定期對(duì)監(jiān)測(cè)設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)和維護(hù),確保其監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。 通過嚴(yán)格遵守上述IGBT使用過程中的防靜電注意事項(xiàng),并采取有效的防護(hù)措施,能夠最大限度地降低靜電對(duì)IGBT器件的損害,保障器件的性能和可靠性,提高設(shè)備的運(yùn)行穩(wěn)定性和使用壽命。
四、設(shè)備與工具防靜電要求
(一)設(shè)備接地
所有與IGBT相關(guān)的設(shè)備,如焊接設(shè)備、測(cè)試儀器、貼片機(jī)等,必須進(jìn)行可靠接地,接地電阻小于4Ω。定期檢查設(shè)備接地線的連接情況,確保接地牢固。
(二)工具選擇:使用防靜電鑷子、螺絲刀等工具進(jìn)行IGBT操作,這些工具表面經(jīng)過特殊處理,具有良好的防靜電性能。焊接時(shí),需使用防靜電烙鐵,烙鐵接地電阻不大于2Ω,且烙鐵頭應(yīng)定期清潔和鍍錫,保證焊接質(zhì)量。
五、應(yīng)急處理措施
1. 若發(fā)生IGBT疑似靜電損壞情況,應(yīng)立即停止操作,將損壞器件單獨(dú)存放,并做好標(biāo)識(shí)。
2. 對(duì)操作環(huán)境和相關(guān)設(shè)備進(jìn)行全面檢查,排查靜電防護(hù)措施是否存在漏洞,及時(shí)采取整改措施。
3. 組織相關(guān)人員進(jìn)行培訓(xùn),分析事故原因,避免類似情況再次發(fā)生。
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1284文章
4171瀏覽量
258485 -
防靜電
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
177瀏覽量
13512 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1371瀏覽量
44813
原文標(biāo)題:IGBT使用過程中防靜電相關(guān)知識(shí)
文章出處:【微信號(hào):JNsemi,微信公眾號(hào):青島佳恩半導(dǎo)體有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
液晶模塊的操作注意事項(xiàng)及儲(chǔ)存條件
IGBT模塊使用上的注意事項(xiàng)?
IGBT驅(qū)動(dòng)電路布線設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250的應(yīng)用及注意事項(xiàng)

防靜電服檢測(cè)設(shè)備及其相關(guān)注意事項(xiàng)的介紹
防靜電漆的優(yōu)勢(shì)及施工注意事項(xiàng)
工業(yè)LCD顯示屏靜電防護(hù)措施,它的注意事項(xiàng)有哪些
使用 CMOS 和 BiCMOS 邏輯器件時(shí)的功耗注意事項(xiàng)-AN263

評(píng)論