4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來”為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。

2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)。

中國內(nèi)需龐大，不僅有華為、聯(lián)想等終端制造商，還有百度、騰訊、阿里巴巴等互聯(lián)網(wǎng)巨頭，再加上中國物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、機(jī)器人等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中國對(duì)半導(dǎo)體芯片需求龐大，尤其是存儲(chǔ)器。

對(duì)于中國而言，芯片國產(chǎn)化是一個(gè)戰(zhàn)略目標(biāo)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)器一期廠房建設(shè)的完工以及廠房正式移入生產(chǎn)設(shè)備，代表著國產(chǎn)存儲(chǔ)正式進(jìn)入正軌。

據(jù)悉，國家存儲(chǔ)器基地一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存生產(chǎn)廠房，存儲(chǔ)器基地一號(hào)項(xiàng)目未來總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月。

9日的CITE大會(huì)上，趙偉國表示：武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)基地4月11日開始移入生產(chǎn)設(shè)備，后續(xù)將實(shí)現(xiàn) 32層64G存儲(chǔ)器小規(guī)模量產(chǎn)。

在長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展規(guī)劃中，第一階段長(zhǎng)江存儲(chǔ)將以 3D Nand Flash 做為切入點(diǎn)，通過技術(shù)合作支持爭(zhēng)取快速發(fā)展，第二階段目標(biāo)到 2020 年月產(chǎn)能達(dá)到 30 萬片，趙偉國稱借此長(zhǎng)江存儲(chǔ)將能進(jìn)入世界內(nèi)存企業(yè)的第一梯隊(duì)，這階段將能貢獻(xiàn)中國芯片制造自產(chǎn)率的 8%，中國目標(biāo)在 2020 年芯片自給率要達(dá)到 40%。

趙偉國曾透露，目前已經(jīng)籌集1800億人民幣，其中武漢800億，成都、南京兩個(gè)基地各500億元。紫光正在和重慶市政府、國家大基金發(fā)起紫光國芯集成電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱大公司），注冊(cè)資本1000億人民幣，注冊(cè)地是重慶。希望通過注冊(cè)資本1000億的大公司合計(jì)籌集1900億?？傆?jì)3700億，足夠五年的彈藥。

中國存儲(chǔ)器三大陣營成形

中囯己有三家企業(yè)向存儲(chǔ)器芯片制造發(fā)起沖鋒，分別是武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存；福建晉華的是32納米的DRAM利基型產(chǎn)品；以及合肥長(zhǎng)鑫(睿力)的19納米 DRAM。而且三家都聲稱2018年底前將實(shí)現(xiàn)試產(chǎn)，開通生產(chǎn)線。

如果再計(jì)及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個(gè)存儲(chǔ)器基地，總計(jì)己有五家企業(yè)。

中國半導(dǎo)體業(yè)要上馬存儲(chǔ)器芯片制造，當(dāng)時(shí)大多數(shù)人持謹(jǐn)慎態(tài)度，不是看輕自己，而是存儲(chǔ)器業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)太激烈。

以目前現(xiàn)況來看，中國發(fā)展存儲(chǔ)器的策略能否成功，未來的3~5年將是極其重要的關(guān)鍵期，特別是強(qiáng)化IP的布局，中國政府以及廠商未來必須憑借內(nèi)需市場(chǎng)、優(yōu)秀的開發(fā)能力，以及具國際水平的產(chǎn)能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機(jī)會(huì)立足全球并占有一席之地。