LM2104 是一款緊湊型高壓柵極驅動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET。IN 引腳允許該器件用于單個 PWM 輸入應用，SD 引腳允許控制器在 SD 引腳為低電平時通過關閉驅動器的輸出來禁用驅動器的輸出，而不管 IN 引腳狀態(tài)如何。
*附件：lm2104.pdf

SH 引腳上的固定死區(qū)時間以及 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負電壓處理提高了高噪聲應用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。LM2104 采用與行業(yè)標準引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側和高側電源軌均提供欠壓鎖定 （UVLO），用于在上電和斷電期間提供保護。

特性

• 在半橋配置中驅動兩個 N 溝道 MOSFET
• GVDD 上的典型欠壓鎖定為 8V
• BST 上的最大電壓為 107V
• SH 上的最大絕對負瞬態(tài)電壓處理電壓為 –19.5V
• 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
• 475 ns（典型值）固定內部死區(qū)時間
• 內置交叉?zhèn)鲗ьA防
• 115ns 典型傳播延遲
• 關斷邏輯輸入引腳 SD
• 單輸入引腳 IN

參數(shù)

方框圖

1. 產品概述

LM4是一款高電壓半橋驅動器，專為驅動兩個N溝道MOSFET設計，適用于同步降壓或半橋配置。該驅動器具有V欠壓鎖定（UVLO）保護、固定內部死區(qū)時間、關斷邏輯輸入引腳（SD）和單輸入引腳（IN）等特點。

2. 主要特性

• ?高電壓能力?：支持最高V的BST電壓和-.V的負瞬態(tài)電壓處理。
• ?電流驅動能力?：.A/0.8A的峰值源/沉電流。
• ?固定死區(qū)時間?：5ns典型固定內部死區(qū)時間，防止交叉?zhèn)鲗А?/li>
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：V典型低側和高側電源軌欠壓鎖定保護。
• ?關斷邏輯?：SD引腳允許控制器通過拉低該引腳來禁用驅動器輸出。
• ?單輸入控制?：IN引腳支持TTL和CMOS輸入閾值，用于單PWM輸入應用。

3. 應用領域

• 無刷直流（BLDC）電機
• 永磁同步電機（PMSM）
• 伺服和步進電機驅動
• 無線吸塵器
• 無線園林和電動工具
• 電動車和電動滑板車
• 電池測試設備
• 離線不間斷電源（UPS）
• 通用MOSFET或IGBT驅動器

4. 功能描述

4.1 啟動與UVLO

• LM在低側（GVDD）和高側（BST-SH）電源軌上均包含UVLO保護電路，確保在電源電壓足夠高以打開外部MOSFET之前，輸出保持低電平。
• UVLO遲滯功能可防止電源電壓波動時的顫振。

4.2 輸入階段

• IN引腳接收單個TTL/CMOS兼容的PWM信號，控制兩個輸出（GL和GH）。
• SD引腳為關斷控制輸入，當SD引腳拉低時，無論IN引腳狀態(tài)如何，GH和GL輸出均關閉。

4.3 電平移位

• 內置電平移位電路，將GND參考的控制信號轉換為高側驅動級所需的SH參考信號。

4.4 輸出階段

• GL和GH輸出級具有高斜率、低電阻和高峰值電流能力，支持高效切換功率MOSFET。
• 輸出級設計為低側（GL）參考GND，高側（GH）參考SH。

5. 典型應用

文檔提供了LM4在半橋轉換器中驅動MOSFET的典型應用電路圖，并詳細討論了設計要求、設計步驟、應用曲線和布局指南。

6. 電源推薦

• 推薦GVDD電源電壓范圍為9V至8V，以支持正常操作和UVLO功能。
• 建議在GVDD和GND引腳之間放置低ESR陶瓷旁路電容器，以支持高峰值電流并減少噪聲。

7. 布局指南

• 推薦將低ESR/ESL電容器放置在GVDD和GND引腳以及BST和SH引腳之間，以支持高峰值電流并減少串聯(lián)電感。
• 驅動器應盡可能靠近MOSFET放置，以最小化柵極驅動回路的寄生電感。
• 特別注意高側柵極驅動回路的布局，以減少電壓瞬變和噪聲耦合。