LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅(qū)動(dòng)器用于雙通道或單通道 PWM 輸入應(yīng)用。
*附件：lm2103.pdf

SH 引腳上的固定死區(qū)時(shí)間以及 –1V DC 和 –19.5V 瞬態(tài)負(fù)電壓處理提高了高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。LM2103 采用與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定 （UVLO），用于在上電和斷電期間提供保護(hù)。

特性

• 在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• GVDD 上的典型欠壓鎖定為 8V
• BST 上的最大電壓為 107V
• SH 上的最大絕對(duì)負(fù)瞬態(tài)電壓處理電壓為 –19.5V
• 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
• 475 ns（典型值）固定內(nèi)部死區(qū)時(shí)間
• 內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防
• 115ns 典型傳播延遲
• 反相輸入引腳 INL

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM3是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高端和低端N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器具有V的欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)、固定的內(nèi)部死區(qū)時(shí)間、以及反相輸入等特性。

二、主要特性

• ?驅(qū)動(dòng)能力?：能夠驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET，適用于半橋配置。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：V典型UVLO保護(hù)，防止在低電壓條件下?lián)p壞MOSFET。
• ?電壓范圍?：BST引腳絕對(duì)最大電壓為7V，SH引腳絕對(duì)最大負(fù)瞬態(tài)電壓處理能力為-.V。
• ?電流能力?：0.5A/.A峰值源/漏電流。
• ?死區(qū)時(shí)間?：ns典型固定內(nèi)部死區(qū)時(shí)間，防止交叉導(dǎo)通。
• ?輸入類型?：INL為反相輸入，兼容TTL和CMOS輸入閾值。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)
• 永磁同步電機(jī)（PMSM）
• 伺服和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• 無(wú)繩吸塵器
• 無(wú)繩園林和電動(dòng)工具
• 電動(dòng)自行車和電動(dòng)滑板車
• 電池測(cè)試設(shè)備
• 離線不間斷電源（UPS）
• 通用MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)器

四、功能描述

1. UVLO保護(hù)

• 高端和低端驅(qū)動(dòng)級(jí)均包含UVLO保護(hù)電路，監(jiān)測(cè)GVDD和BST-SH的供電電壓。
• 當(dāng)供電電壓低于UVLO閾值時(shí)，輸出被抑制，防止MOSFET誤動(dòng)作。

2. 輸入階段

• INH和INL輸入獨(dú)立工作，但具有防止交叉導(dǎo)通的邏輯。
• INL為反相輸入，允許驅(qū)動(dòng)器在雙或單PWM輸入應(yīng)用中使用。

3. 輸出階段

• 高端和低端輸出級(jí)獨(dú)立控制，具有高斯勒率、低電阻和高峰值電流能力。
• 內(nèi)置的電平移位電路提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。

4. 死區(qū)時(shí)間

• 內(nèi)置固定的ns死區(qū)時(shí)間，防止高端和低端MOSFET同時(shí)導(dǎo)通。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了LM3在半橋轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動(dòng)MOSFET的典型應(yīng)用電路圖，并詳細(xì)討論了設(shè)計(jì)要求和布局指南。

六、電源推薦

• 推薦GVDD供電電壓范圍為V至V，需考慮UVLO保護(hù)特性。
• 建議在GVDD和GND之間以及BST和SH之間使用低ESR陶瓷旁路電容器。

七、布局指南

• 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能靠近MOSFET放置，以減小柵極驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感。
• 旁路電容器應(yīng)盡可能靠近IC放置，以提供低阻抗路徑。
• 注意高端和低端MOSFET之間的布局，以最小化寄生電感。