電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）磷化銦（InP）單晶襯底作為光通信、5G射頻、量子計算等領域的核心材料，其市場發(fā)展與國內替代進程呈現出技術突破與國際競爭交織的復雜格局。全球市場正經歷需求爆發(fā)期，而國內企業(yè)在政策支持和市場需求驅動下，正加速實現中低端產品的國產化替代，同時在高端領域逐步突破技術壁壘。

在全球范圍內，磷化銦襯底市場規(guī)?？焖僭鲩L。受AI算力、數據中心和6G通信驅動，Yole預測全球InP襯底市場規(guī)模將從2022年的30億美元增至2028年的64 億美元，年復合增長率達13.5%。

這一增長主要由光通信、5G與衛(wèi)星通信、新興技術等領域推動。例如，100G/200G光模塊需求激增，使得InP基激光器芯片成為主流選擇；高頻器件（如HEMT、pHEMT）對InP襯底的需求也隨5G網絡建設而上升。此外，量子點激光器、硅光集成等前沿技術的商業(yè)化加速，進一步擴大了市場需求。

然而，全球InP襯底市場高度集中，前三大廠商（日本住友電工、美國AXT、法國II-VI）占據91%的份額。日本住友電工采用VB法生產4英寸摻Fe半絕緣襯底，技術成熟且良率穩(wěn)定；美國AXT憑借VGF法實現6英寸InP襯底量產，成本優(yōu)勢顯著；法國II-VI則聚焦高端外延片，在光通信領域占據主導地位。

國內企業(yè)如北京通美雖已躋身全球前列，但在大尺寸（6英寸）和高端產品（如半絕緣襯底）上仍依賴進口。

國內替代進程中，頭部企業(yè)加速技術攻關。如華芯晶電采用垂直梯度凝固法（VGF）突破4英寸InP襯底制備技術，產品良率達70%，價格僅為進口產品的50%，已進入蘋果供應鏈。其子公司立昂晶電通過優(yōu)化晶體生長工藝，實現大尺寸、低位錯襯底量產，填補國內空白。

云南鍺業(yè)年產15萬片4英寸InP襯底，良率提升至70%，計劃擴產至10噸/年（全球第一），目標切入華為海思、Wolfspeed等頭部供應鏈。有研新材則布局InP外延片技術，與國內光模塊廠商合作推進國產替代。

政策與資本的雙重驅動為國內企業(yè)提供了有力支持。國家大基金二期重點支持半導體材料領域，云南鍺業(yè)等企業(yè)獲注資加速產線建設。

地方政策方面，河北省對第三代半導體企業(yè)給予流片補貼，最高可達1000萬元，北京市順義區(qū)對InP襯底項目提供固定資產投資補貼，最高3000萬元。市場需求方面，國內光模塊廠商（如中際旭創(chuàng)、新易盛）加速國產芯片驗證，2024年25G DFB 光器芯片國產化率提升至20%。

盡管取得進展，國內企業(yè)仍面臨技術瓶頸。國際廠商已量產6英寸InP襯底，而國內企業(yè)仍以4英寸為主，6英寸技術處于研發(fā)階段。高端產品如半絕緣襯底、高純度外延片依賴進口，國內企業(yè)在材料一致性和缺陷控制上存在差距。設備與工藝方面，晶體生長設備（如VGF爐）、切片拋光設備（如雙面研磨機）國產化率不足30%，高端工藝（如離子注入）依賴海外技術。

未來，國內InP襯底市場將呈現國產替代加速與生態(tài)重構的趨勢。短期內，中低端2-4英寸InP襯底將實現全面國產替代，價格下降30%-50%；6英寸襯底進入小批量試產，半絕緣襯底良率提升至60%。

長期來看，6英寸襯底將實現量產，半絕緣襯底市占率提升至30%，切入100G以上光模塊市場。國內企業(yè)將從襯底向外延片、器件延伸，形成“材料-器件-應用”全產業(yè)鏈，在價格和服務上擠壓國際廠商份額，但技術壁壘仍需5-10年突破。

然而，國內InP襯底產業(yè)仍面臨多重風險。技術封鎖方面，美國對華半導體設備出口限制可能影響InP襯底生產；產能過剩可能導致價格戰(zhàn)，壓縮企業(yè)利潤率；全球光通信市場周期性波動也可能影響國內替代進程。

為應對這些挑戰(zhàn)，企業(yè)需加強研發(fā)，聚焦6英寸襯底、半絕緣材料等關鍵技術，與高校共建聯合實驗室；推動產業(yè)鏈協(xié)同，加速產品驗證；爭取政策支持，完善設備與材料供應鏈。

小結

InP單晶襯底市場正處于需求爆發(fā)與技術壟斷的博弈期，國內企業(yè)在政策支持和市場需求驅動下，已實現中低端產品的國產替代，但在高端領域仍需突破技術壁壘。未來5-10年，隨著技術進步和產業(yè)鏈整合，國內InP襯底有望在全球市場占據更重要地位，成為半導體材料自主可控的關鍵一環(huán)。