UCC27531-Q1 是一款單通道、高速柵極驅(qū)動器，能夠有效地 通過使用高達 2.5A 的拉電流和 5A 灌電流（非對稱 drive） 峰值電流。非對稱驅(qū)動中的強大灌電流能力增強了對寄生的抗擾度 Miller 開啟效應(yīng)。UCC27531-Q1 器件還可以具有分離輸出配置，其中 柵極驅(qū)動電流通過 OUTH 引腳提供，并通過 OUTL 引腳吸收。此引腳 配置允許用戶將獨立的導(dǎo)通和關(guān)斷電阻器施加到 OUTH 和 OUTL 引腳，并輕松控制開關(guān)轉(zhuǎn)換速率。
*附件：ucc27531-q1.pdf

該驅(qū)動器具有軌到軌驅(qū)動能力和極小的傳播延遲 通常為 17 ns。

UCC27531-Q1 的輸入閾值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低電壓邏輯， 它是固定的，獨立于 VDD 電源電壓。1V 典型遲滯可提供出色的 抗噪性。

驅(qū)動器具有具有固定 TTL 兼容閾值的 EN 引腳。EN 引腳位于內(nèi)部 拉起;將 EN 引腳拉低可禁用驅(qū)動器，而將其保持打開狀態(tài)可提供正常作。 EN 引腳可用作附加輸入，具有與 IN 引腳相同的性能。

將驅(qū)動器的 input pin 保持打開狀態(tài)，使 output 保持低電平。的 driver 顯示在 Application Diagram、timing Diagram 和 Input and output logic truth 中 桌子。

VDD 引腳上的內(nèi)部電路提供 UVLO 功能，將輸出保持為低電平，直到 VDD 電源電壓在工作范圍內(nèi)。

UCC27531-Q1 驅(qū)動器采用 6 引腳標準 SOT-23 （DBV） 封裝。設(shè)備 可在 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標準，結(jié)果如下：
  • 設(shè)備溫度 1 級
  • 器件 HBM ESD 分類等級 H2
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 低成本柵極驅(qū)動器（為驅(qū)動 FET 和 IGBT 提供最佳解決方案
  ）
• 分立晶體管對
  驅(qū)動的絕佳替代品（提供與控制器的輕松接口）
• TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯
  閾值（與電源電壓無關(guān)）
• 分離式輸出選項允許調(diào)諧導(dǎo)通
  和關(guān)斷電流
• 使用固定 TTL 兼容閾值啟用
• 在 18V VDD 時，具有 2.5A 的高拉電流峰值和 5A 灌電流峰值驅(qū)動
  電流
• 10 V 至 35 V 的寬 VDD 范圍
• 輸入和使能引腳能夠承受高達
  地以下 –5V DC 的電壓
• 當輸入懸空或在
  VDD UVLO 期間，輸出保持低電平
• 快速傳播延遲（典型值為 17ns）
• 快速上升和下降時間
  （1800pF 負載時，典型值為 15ns 和 7ns）
• 欠壓鎖定 （UVLO）
• 用作高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動器（如果
  設(shè)計具有適當?shù)钠煤?a target="_blank">信號隔離）
• 低成本、節(jié)省空間的 6 引腳 DBV （SOT-23）
  封裝選項
• 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號?：UCC-Q1
• ?類型?：.-A和-A，5-V MAX VDD FET和IGBT單柵極驅(qū)動器
• ?特點?：
  • 適用于汽車應(yīng)用，符合AEC-Q標準
  • TTL和CMOS兼容輸入邏輯閾值，獨立于電源電壓
  • 提供高達2.5-A源電流和5-A漏電流（非對稱驅(qū)動）
  • 寬VDD范圍：V至V
  • 輸入和使能引腳可承受低至-V DC的電壓
  • 輸出在輸入浮動時保持低電平
  • 快速傳播延遲（典型值ns）
  • 欠壓鎖定（UVLO）功能
  • 可作為高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動器（需適當偏置和信號隔離）
  • 低成本、節(jié)省空間的引腳DBV（SOT-3）封裝

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車
• 開關(guān)電源
• DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 太陽能逆變器
• 電機控制
• UPS
• HEV和EV充電器
• 家用電器
• 可再生能源電力轉(zhuǎn)換
• SiC FET轉(zhuǎn)換器

3. 電氣特性

• ?UVLO?：
  • VDD啟動閾值：約.V
  • 滯后電壓：約.V
• ?輸入特性?：
  • 高電平輸入閾值（VIN_H）：.V至2.2V
  • 低電平輸入閾值（VIN_L）：.V至1.2V
  • 輸入滯回：1V
• ?使能特性?：
  • 使能高電平閾值（VEN_H）：1.7V至.V
  • 使能低電平閾值（VEN_L）：0.8V至.V
  • 使能滯回：.V
• ?輸出特性?：
  • 源峰值電流（ISRC）：.A
  • 漏峰值電流（ISNK）：5A
  • 輸出高電平電壓（VOH）：接近VDD
  • 輸出低電平電壓（VOL）：約0.5V至.V

4. 功能描述

• ?VDD UVLO?：在VDD電壓低于UVLO閾值時，輸出保持低電平。
• ?輸入階段?：基于TTL和CMOS兼容的低電壓邏輯，具有寬滯回以增強噪聲免疫力。
• ?使能功能?：EN引腳具有固定的TTL兼容閾值，內(nèi)部上拉。拉低EN引腳可禁用驅(qū)動器。
• ?輸出階段?：具有獨特的輸出結(jié)構(gòu)，可在Miller平臺期間提供高峰值源電流，增強對寄生Miller開通效應(yīng)的免疫力。

5. 設(shè)備功能模式

• ?正常模式?：輸出狀態(tài)取決于輸入和使能引腳的狀態(tài)。
• ?UVLO模式?：當VDD電壓低于UVLO閾值時，輸出保持低電平。

6. 應(yīng)用與實現(xiàn)

• ?設(shè)計考慮?：包括輸入輸出配置、輸入閾值類型、VDD偏置電壓、峰值源漏電流、使能功能、傳播延遲和功率耗散等。
• ?典型應(yīng)用?：包括驅(qū)動IGBT（無負偏置）、驅(qū)動IGBT（帶3V負關(guān)斷偏置）以及在逆變器中使用UCC1-Q驅(qū)動器。

7. 電源推薦

• 建議VDD使用1μF的旁路電容，以改善噪聲濾波。

8. 布局

• ?布局指南?：建議將驅(qū)動器盡可能靠近功率器件放置，以最小化高電流跡線的長度，并使用寬跡線和平行信號與返回跡線。
• ?熱考慮?：提供了熱阻等熱度量標準，以幫助評估散熱性能。