UCC27511A-Q1 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動器，可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動器（緩沖電路）解決方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽車級單通道低側(cè)高速柵極驅(qū)動器，適用于 MOSFET、IGBT 和 GaN 等新興寬帶隙功率器件。該器件具有快速上升時間、下降時間和傳播延遲，使 UCC27511A-Q1 器件適用于高速應用。該器件具有 4A 峰值拉電流和 8A 峰值灌電流，具有非對稱驅(qū)動功能，增強了對寄生米勒導通效應的抗擾度。分離輸出配置只需兩個電阻器即可輕松、獨立地調(diào)整上升和下降時間，無需外部二極管。
*附件：ucc27511a-q1.pdf

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 低成本柵極驅(qū)動器器件，可出色地替代 NPN 和 PNP 分立解決方案
• 4A 峰值拉電流和 8A 峰值灌電流非對稱驅(qū)動
• 強大的灌電流提供了更強的抗米勒轉(zhuǎn)向能力
• UCC27511A-Q1 中的分離輸出配置（允許輕松獨立地調(diào)整導通和關(guān)斷速度）
• 快速傳播延遲 （典型值為 13ns）
• 快速上升和下降時間（典型值為 8ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 單電源范圍
• 在 VDD UVLO 期間，輸出保持低電平（確保在上電和斷電時無毛刺運行）
• TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯閾值 （與電源電壓無關(guān)）
• 具有高抗噪能力的遲滯邏輯閾值
• 雙輸入設計（可選擇反相 （IN– 引腳） 或非反相 （IN+ 引腳） 驅(qū)動器配置）
  • 未使用的 Input Pin 可用于啟用或禁用功能
• 當 Input Pins 懸空時 Output Held Low
• 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓限制
• 輸入引腳能夠承受低于 GND 引腳的 –5V DC 電壓
• 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C
• 6 引腳 DBV （SOT-23） 封裝選項

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

UCC1A-Q1是一款單通道高速低側(cè)門驅(qū)動器，專為汽車應用設計，并通過了AEC-Q0認證。該驅(qū)動器提供A峰值源電流和A峰值沉電流，適用于驅(qū)動MOSFET、IGBT及新興寬禁帶功率器件（如GaN）。

2. 主要特性

• ?高電流驅(qū)動能力?：4A峰值源電流，8A峰值沉電流，提供不對稱驅(qū)動。
• ?快速響應?：ns典型傳播延遲，ns上升時間和ns下降時間。
• ?寬電壓范圍?：單一4.5V至8V供電范圍。
• ? 低電壓鎖定（UVLO） ?：在VDD欠壓時輸出保持低電平，確保無故障啟動和關(guān)閉。
• ?輸入邏輯兼容?：TTL和CMOS兼容輸入邏輯閾值，獨立于供電電壓。
• ?高噪聲免疫?：滯回邏輯閾值提供高噪聲環(huán)境下的穩(wěn)定性能。
• ?雙輸入設計?：提供反相（IN-）和非反相（IN+）輸入配置，未使用輸入引腳可用于使能或禁用功能。
• ?緊湊封裝?：提供引腳DBV（SOT-3）封裝選項，適合空間受限的應用。

3. 功能描述

3.1 VDD與UVLO

• 內(nèi)置UVLO保護功能，當VDD電壓低于閾值時，輸出保持低電平。
• UVLO閾值為4.2V（典型值），具有mV遲滯，防止電源噪聲引起的誤動作。

3.2 輸入階段

• 輸入邏輯閾值固定且獨立于VDD供電電壓，高閾值約為.V，低閾值約為.V。
• 寬滯回（V典型值）提供高噪聲免疫能力。
• 未使用輸入引腳內(nèi)部上拉或下拉至固定電平，確保輸出在輸入引腳浮動時保持禁用狀態(tài)。

3.3 輸出階段

• 采用獨特的分裂輸出配置（OUTH和OUTL），允許獨立調(diào)整開通和關(guān)斷速度。
• 輸出電壓擺動范圍從VDD到GND，提供軌到軌操作。
• 強沉電流能力（8A）和低下拉阻抗（.Ω典型值）提供對米勒開通效應的高免疫力。

4. 應用指南

4.1 應用信息

• 高電流門驅(qū)動器在開關(guān)電源應用中用于實現(xiàn)快速切換和減少切換功率損失。
• UCC1A-Q1適用于需要將PWM控制器信號電平轉(zhuǎn)換為適合功率開關(guān)柵極驅(qū)動電壓的應用。

4.2 典型應用

• 提供了在功率因數(shù)校正（PFC）電源級中作為MOSFET門驅(qū)動器的典型應用電路圖。
• 強調(diào)了布局的重要性，包括最小化高電流跡線長度、使用低電感旁路電容以及優(yōu)化電流環(huán)路路徑。

5. 電源建議

• 推薦使用.V至V的供電電壓范圍，最大不超過V（考慮V瞬態(tài)電壓尖峰）。
• 建議在VDD和GND引腳之間放置兩個旁路電容：一個0nF的陶瓷電容靠近引腳放置，另一個幾微法的電容并聯(lián)。

6. 封裝與訂購信息

• 提供6引腳DBV（SOT-）封裝選項。
• 可通過TI官方網(wǎng)站訂購。