UCC27611 是一款針對(duì) 5V 驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器，專門針對(duì)增強(qiáng)型 GaN FET 進(jìn)行尋址。驅(qū)動(dòng)電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控制至 5 V。UCC27611 提供不對(duì)稱的軌到軌峰值電流驅(qū)動(dòng)能力，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流。分離輸出配置允許根據(jù) FET 單獨(dú)優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間。具有最小寄生電感的封裝和引腳排列可縮短上升和下降時(shí)間并限制振鈴。此外，具有最小容差和變化的短傳播延遲允許在高頻下高效運(yùn)行。1-Ω 和 0.35-Ω 電阻增強(qiáng)了對(duì)高轉(zhuǎn)換速率 dV 和 dt 的硬開關(guān)的抗擾度。
*附件：ucc27611.pdf

獨(dú)立于 VDD 輸入信號(hào)閾值，確保 TTL 和 CMOS 低電壓邏輯兼容性。出于安全原因，當(dāng) input 引腳處于浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)，內(nèi)部 input pullup 和 pulldown 電阻器將輸出保持為低電平。VREF 引腳上的內(nèi)部電路提供欠壓鎖定功能，將輸出保持為低電平，直到 VREF 電源電壓處于工作范圍內(nèi)。UCC27611 采用小型 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 封裝 （DRV），帶有外露散熱和接地焊盤，可提高封裝的功率處理能力。該UCC27611可在 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 增強(qiáng)型氮化鎵 FET （eGANFET）
• 4V 至 18V 單電源范圍 VDD 范圍
• 驅(qū)動(dòng)電壓 VREF 穩(wěn)壓至 5 V
• 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)電流
• 1-Ω 和 0.35-Ω 上拉和下拉電阻（最大限度地提高高轉(zhuǎn)換速率 dV 和 dt 抗擾度）
• 分離輸出配置（允許對(duì)單個(gè) FET 進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷優(yōu)化）
• 快速傳播延遲（典型值為 14ns）
• 快速上升和下降時(shí)間（典型值為 9ns 和 5ns）
• TTL 和 CMOS 兼容輸入（與電源電壓無關(guān)，可輕松連接到數(shù)字和模擬控制器）
• 雙輸入設(shè)計(jì)提供驅(qū)動(dòng)靈活性（反相和同相配置）
• 當(dāng) inputs 懸空時(shí)，output 保持低電平
• VDD 欠壓鎖定 （UVLO）
• 優(yōu)化的引腳排列與 eGANFET 封裝兼容，便于布局
• 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 封裝，帶外露散熱焊盤和接地焊盤（最小化寄生電感以減少柵極振鈴）
• 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：UCC
• ?類型?：單通道高速GaN驅(qū)動(dòng)器
• ?特點(diǎn)?：
  • 專為5V驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，針對(duì)增強(qiáng)型GaN FETs進(jìn)行優(yōu)化
  • .V至V的單電源供電范圍
  • VREF驅(qū)動(dòng)電壓精確調(diào)節(jié)至V
  • 高達(dá)4A的源電流和6A的漏電流峰值驅(qū)動(dòng)能力
  • Ω和0.Ω的上拉和下拉電阻，增強(qiáng)高dV/dt和dt免疫能力
  • 分裂輸出配置，允許獨(dú)立優(yōu)化FET的開通和關(guān)斷時(shí)間
  • 極快的傳播延遲（典型值4ns）
  • 快速的上升和下降時(shí)間（典型值分別為9ns和ns）
  • TTL和CMOS兼容輸入，獨(dú)立于供電電壓
  • 雙輸入設(shè)計(jì)，提供驅(qū)動(dòng)靈活性（反相和非反相配置）
  • 輸入浮空時(shí)輸出保持低電平
  • VDD欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
  • 優(yōu)化的引腳布局，與eGANFET引腳布局兼容，便于布局
  • .0mm × 2.mm SON-封裝，具有暴露的熱墊和接地墊，減少寄生電感以降低柵極振鈴

二、引腳配置與功能

• ?VDD?：偏置供電輸入
• ? IN+ ?：非反相輸入
• ? IN- ?：反相輸入
• ?OUTH?：4A源電流輸出
• ?OUTL?：6A漏電流輸出
• ?VREF?：驅(qū)動(dòng)電壓輸出，內(nèi)部線性調(diào)節(jié)器輸出5V
• ?GND PAD?：接地墊，所有信號(hào)均參考此節(jié)點(diǎn)

三、電氣特性

• ?VDD范圍?：4V至8V
• ?UVLO閾值?：
  • VON：.5V至.5V
  • VOFF：.V至3.9V
  • 滯回電壓：.5V
• ?輸入閾值?：
  • VIN_H（高閾值）：.5V至.5V
  • VIN_L（低閾值）：.V至1.3V
  • 輸入滯回：0.7V至.V
• ?VREF輸出?：4.V至5.V
• ?輸出特性?：
  • 峰值源電流（OUTH）：-A
  • 峰值漏電流（OUTL）：-A
  • VOH：高電平輸出電壓（IOUTH = -mA時(shí)）
  • VOL：低電平輸出電壓（IOUTL = 0mA時(shí)）
  • ROH：輸出上拉電阻（典型值1Ω）
  • ROL：輸出下拉電阻（典型值0.Ω）

四、開關(guān)特性

• ?傳播延遲?：
  • 開通傳播延遲（tD）：典型值4ns
  • 關(guān)斷傳播延遲（tD）：典型值4ns
• ?上升時(shí)間?：典型值5ns
• ?下降時(shí)間?：典型值9ns

五、應(yīng)用

• ?適用領(lǐng)域?：
  • 開關(guān)電源
  • DC-DC轉(zhuǎn)換器
  • 同步整流
  • 太陽能逆變器、電機(jī)控制、UPS
  • 包絡(luò)跟蹤電源供應(yīng)

六、布局與熱考慮

• ?布局指南?：
  • 將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近功率器件放置，以最小化高電流跡線的長度。
  • 在VDD、VREF和GND之間放置旁路電容器，并盡可能縮短跡線長度以改善噪聲濾波。
  • 最小化開通和關(guān)斷電流環(huán)路路徑的雜散電感。
  • 使用星型接地減少噪聲耦合。
  • 使用接地平面提供噪聲屏蔽和輔助散熱。
• ?熱考慮?：
  • SON-6封裝提供通過暴露熱墊的高效散熱。
  • 印刷電路板應(yīng)設(shè)計(jì)有熱著陸區(qū)和熱過孔，以完成熱移除子系統(tǒng)。