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LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-20 18:16 ? 次閱讀
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LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供高峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流,并改善高頻運(yùn)行所需的功率耗散。復(fù)合輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括并聯(lián)工作的 MOS 和雙極晶體管,它們共同從容性負(fù)載吸收超過 7 A 的峰值電流。結(jié)合 MOS 和雙極器件的獨(dú)特特性,減少了驅(qū)動(dòng)電流隨電壓和溫度的變化。提供欠壓鎖定保護(hù),以防止因柵極導(dǎo)通電壓不足而損壞 MOSFET。LM5112 器件提供反相和非反相輸入,以使用單一器件類型滿足反相和非反相柵極驅(qū)動(dòng)的要求。
*附件:lm5112-q1.pdf

特性

  • LM5112-Q1 符合汽車應(yīng)用要求
  • 符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
  • 采用汽車級(jí)流程制造
  • 復(fù)合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
  • 7A 灌電流和 3A 拉電流
  • 快速傳播時(shí)間:25 ns(典型值)
  • 快速上升和下降時(shí)間:14 ns 或 12 ns
    上升或下降(2nF 負(fù)載)
  • 反相和非反相輸入通過單個(gè)器件提供任一配置
  • 電源軌欠壓鎖定保護(hù)
  • 專用輸入接地 (IN_REF) 用于
    雙電源或單電源作
  • 功率增強(qiáng)型 6 引腳 WSON 封裝
    (3 mm × 3 mm)或熱增強(qiáng)型
    MSOP-PowerPAD 封裝
  • V 級(jí)輸出擺幅抄送到 VEE 系列相對(duì)于輸入接地為負(fù)數(shù)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?型號(hào)?:LM-Q1
  • ?類型?:A MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
  • ?特點(diǎn)?:
    • AEC-Q0 Grade 認(rèn)證,適用于汽車應(yīng)用
    • 復(fù)合CMOS和雙極輸出,減少輸出電流變化
    • A峰值漏極電流,3A峰值源極電流
    • 快速傳播時(shí)間:ns(典型值)
    • 快速上升和下降時(shí)間:ns或ns(帶nF負(fù)載)
    • 反相和非反相輸入配置
    • 供電軌欠壓鎖定保護(hù)
    • 專用輸入地(IN_REF)支持單電源或分裂電源操作
    • 引腳WSON或8引腳MSOP-PowerPAD封裝

二、應(yīng)用領(lǐng)域

三、引腳配置與功能

  • ?IN?:非反相輸入引腳,TTL兼容閾值
  • ?INB?:反相輸入引腳,TTL兼容閾值
  • ?IN_REF?:控制輸入的接地參考,連接至電源地或系統(tǒng)邏輯地
  • ?OUT?:柵極驅(qū)動(dòng)輸出,能夠源出A和漏極7A
  • ?VEE?:驅(qū)動(dòng)輸出的功率地,連接至電源地或負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電源
  • ?VCC?:正供電電壓輸入,需局部解耦至VEE
  • ?NC?:未連接引腳

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VCC為.V至V
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:上升閾值.V至3.5V,遲滯mV
  • ?控制輸入?:
    • 高電平閾值:1.3V至.V
    • 低電平閾值:0.8V至.5V
    • 輸入遲滯:0mV
  • ?輸出特性?:
    • 高電平輸出電阻:0Ω至0Ω
    • 低電平輸出電阻:.Ω至2.5Ω
    • 峰值源極電流:3A(ns脈沖)
    • 峰值漏極電流:7A(ns脈沖)

五、開關(guān)特性

  • ?傳播延遲時(shí)間?:低至高5ns至0ns,高至低ns至ns
  • ?上升時(shí)間?:ns(2nF負(fù)載)
  • ?下降時(shí)間?:ns(2nF負(fù)載)

六、功能描述

  • ?輸入緩沖器?:高阻抗CMOS緩沖器,具有TTL兼容閾值電壓
  • ?電平移位電路?:連接邏輯輸入緩沖器和圖騰柱輸出驅(qū)動(dòng)器
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:監(jiān)測(cè)VCC與IN_REF之間的電壓差,防止因柵極開啟電壓不足而損壞MOSFET

七、設(shè)備功能模式

  • ?反相模式?:使用INB作為控制輸入,OUT的極性與INB相反
  • ?非反相模式?:使用IN作為控制輸入,OUT的極性與IN相同

八、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

  • ?典型應(yīng)用?:提供PWM控制器和主功率開關(guān)器件柵極之間的高功率緩沖級(jí)
  • ?設(shè)計(jì)考慮?:包括輸入至輸出配置、輸入閾值類型、偏置電源電壓水平、峰值源極和漏極電流、電容性負(fù)載和開關(guān)頻率

九、電源推薦與布局指南

  • ?電源推薦?:VCC推薦電壓范圍為3.5V至4V,需使用低ESR/ESL電容器在VCC和VEE之間解耦
  • ?布局指南?:
    • 適當(dāng)?shù)慕拥卦O(shè)計(jì),避免感性環(huán)路
    • 最小化電流承載導(dǎo)體的長(zhǎng)度,以減少電感和EMI
    • 注意熱管理,估算最壞情況下的結(jié)溫
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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