摘要：本文針對激光退火后晶圓總厚度偏差（TTV）變化的問題，深入探討從工藝參數優(yōu)化、設備改進、晶圓預處理以及檢測反饋機制等方面，提出一系列有效管控 TTV 變化的方法，為提升激光退火后晶圓質量提供技術參考。

關鍵詞：激光退火；晶圓；TTV 變化；管控方法

一、引言

激光退火作為半導體制造中的關鍵工藝，在改善晶圓電學性能方面發(fā)揮著重要作用。然而，激光退火過程中產生的高熱量及不均勻的能量分布，易導致晶圓內部應力變化，從而引起 TTV 改變。TTV 的波動會影響后續(xù)芯片制造工藝的精度與良率，因此對激光退火后晶圓 TTV 變化進行有效管控成為半導體制造領域亟待解決的重要問題 。

二、TTV 變化管控方法

2.1 工藝參數優(yōu)化

激光退火的工藝參數直接影響晶圓 TTV 變化程度。激光能量密度需嚴格控制，過高的能量密度會使晶圓局部溫度急劇升高，產生過大熱應力，導致 TTV 增大；過低則無法達到預期的退火效果。通過試驗確定不同晶圓材質和工藝需求下的最佳能量密度范圍，例如對于硅晶圓，在特定的退火目標下，將能量密度控制在某區(qū)間內可有效減少 TTV 變化。同時，激光掃描速度也至關重要，合適的掃描速度能保證晶圓受熱均勻，避免局部過度受熱引起的變形 。

2.2 設備改進

對激光退火設備進行優(yōu)化有助于管控 TTV 變化。改進激光束的勻化裝置，使激光能量在晶圓表面更均勻地分布，減少因能量不均導致的局部應力差異。此外，升級設備的溫度控制系統(tǒng)，提高溫度監(jiān)測和控制的精度，確保晶圓在退火過程中溫度變化平穩(wěn)，降低熱應力對 TTV 的影響 。

2.3 晶圓預處理

在進行激光退火前，對晶圓進行預處理可有效降低 TTV 變化。通過化學機械拋光（CMP）技術進一步提高晶圓表面平整度，減少因表面不平整在激光退火時產生的應力集中現象。同時，對晶圓進行應力釋放處理，如采用熱處理等方式消除晶圓內部原有應力，使其在激光退火過程中更穩(wěn)定，降低 TTV 變化幅度 。

2.4 檢測與反饋機制完善

建立高精度的檢測與反饋機制是管控 TTV 變化的關鍵。利用高分辨率的光學檢測設備，在激光退火前后對晶圓 TTV 進行快速、精確測量。將測量數據實時傳輸至控制系統(tǒng)，一旦檢測到 TTV 變化超出允許范圍，系統(tǒng)自動調整激光退火工藝參數，如能量密度、掃描速度等，實現對 TTV 變化的動態(tài)管控 。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，相比傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數。

1，靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

2，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強，充分提高重復性測量能力。

4，采用第三代高速掃頻可調諧激光器，一改過去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長度短，而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾，實現小型化設計，同時也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實現產線自動化集成測量。

5，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。

審核編輯 黃宇